一种适用于精神分裂症患者动态性特征指标的检测方法

    公开(公告)号:CN116473557B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202310401191.1

    申请日:2023-04-12

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及一种适用于精神分裂症患者动态性特征指标的检测方法,涉及动态性特征指标检测技术领域,所述检测方法包括:于黑暗房间内,受试者持续注视显示屏幕中心呈现的“十”字形;“十”字形消失后,受试者观察显示屏幕中心呈现的视觉刺激图案,并对所述视觉刺激图案的漂移方向作出判断,记录并统计受试者的判断结果和视觉刺激图案的呈现时间;所述视觉刺激图案是随机出现的小或大的边缘模糊的正弦光栅;共判断160次;根据受试者对小视觉刺激图案的判断结果和视觉刺激图案的呈现时间进行数据处理,得到所述精神分裂症患者动态性特征指标。本发明提出了衡量精神分裂症患者在视觉运动感知范式中的动态性特征的方法,填补了现有技术的空白。

    一种基于低参数增长快照模型的连续学习方法

    公开(公告)号:CN114580633A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210225240.6

    申请日:2022-03-09

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于低参数增长快照模型的连续学习方法。本发明将参与训练的模型分为快照模型以及全局模型,全局模型通过顺序学习任务序列中的所有任务以此来接收所有任务中所需要的知识,快照模型为任务流中的每个独立任务训练出来用于存储知识的模型。在学习当前到达的任务时,将学习流程分为两个阶段,第一个阶段是对快照模型进行学习,第二个阶段是利用习得的快照模型来指导约束全局模型学习。本发明利用低参数增长的方法来实现空间高效的快照模型存储,以此来消解对历史数据的依赖,保护用户隐私。使用全局模型保留所有任务的信息,在推断阶段不会引入额外的计算代价。

    一种新型的半监督文本实体信息抽取方法

    公开(公告)号:CN111274814B

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN201911369784.4

    申请日:2019-12-26

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种新型的半监督文本实体信息抽取方法。文档短语分割得候选实体集合;建立有、无监督学习部分,有、无标注的文档分别有、无监督学习;文档和实体类型输入实体抽取模块输出实体信息;文档和短语输入类型选择模块输出短语概率分布;两模块损失值相加为损失;文档输入实体抽取模块获得每个实体类型的损失;文档和短语输入类型选择模块输出短语概率分布;两模块损失值相乘后相加构成损失;两部分加权计算获得总损失,优化训练获得模型参数;将测文本依次输入到实体抽取模块和类型选择模块获得实体信息。本发明能够利用海量无标注数据,显著增强模型性能,在小样本标注数据的条件下有着显著的提升,也适用于零样本学习的半监督文本数据处理。

    一种引入纵向沟道结构的功率集成芯片

    公开(公告)号:CN113035863B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202110235396.8

    申请日:2021-03-03

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及一种引入纵向沟道结构的功率集成芯片,包括:P型衬底区、纵向耐压区、隔离区、MOSFET和二极管区域;所述二极管区域包括二极管、N‑横向漂移区和纵向沟道区;P型衬底区位于芯片底部,P型衬底区上方设置纵向耐压区,纵向耐压区上方一边设置MOSFET,纵向耐压区上方另一边设置二极管区域。本发明的有益效果是:通过加入纵向沟道区并适当调节其沟道长度,来增加纵向耗尽层在N型层的极限深度;当漏极/阳极对源极/参考地形成高压降时,避免了因耗尽层边界扩展到二极管阳极而出现的纵向穿通问题。纵向沟道区提升了功率集成芯片的纵向耐压能力和整体耐压水平,拓宽了芯片的应用范围。

    一种SiC MOSFET浪涌性能测试方法

    公开(公告)号:CN110794278B

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201911011971.5

    申请日:2019-10-23

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET浪涌性能的测试方法。将场效应管器件放置在测试探针台上,连接浪涌电流产生电路和驱动电路,设置输出电流幅值和周期并施加到场效应管器件进行浪涌测试,测量得到不同幅值浪涌电流下的源漏电压、经过浪涌测试后器件的栅源电阻以及浪涌测试前和浪涌测试后的转移特性曲线,转移特性曲线的横纵坐标分别为源漏电压和漏极电流;利用浪涌电流产生电路产生浪涌电流,在浪涌电流通过器件后,器件在电学特性上会发生变化,根据电学特性的变化来判断器件是否失效。本发明提供了一种简单可靠的测试SiC MOSFET浪涌可靠性的方法,可有效得到SiC MOSFET场效应管器件的浪涌性能和数据。

    一种基于金字塔层级网络的嵌套实体检测方法

    公开(公告)号:CN111581957A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010371816.0

    申请日:2020-05-06

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于金字塔层级网络的嵌套实体检测方法,属于自然语言处理技术领域。该嵌套实体检测方法包括:(一)对单词进行编码获得词向量,将词向量作为仅包含单个单词的文本区域的表示输入第一个解码层;(二)当前解码层对输入的每个文本区域的表示进行命名实体识别,将相邻的两个文本区域的表示被合并为一个新的文本区域的表示,输入到下一解码层,重复该步骤直到次数达到预设的层数或输入文本的长度;(三)对应于上述金字塔层级网络,使用合适的优化方法进行训练;(四)将待检测文本输入训练好的金字塔层级网络,获得命名实体识别结果。本发明的基于金字塔层级网络的嵌套实体检测方法可以解决命名实体识别中存在实体嵌套的问题。

    一种多模式可计算的SRAM单元电路及其控制方法

    公开(公告)号:CN111429956A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN202010165900.7

    申请日:2020-03-11

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种多模式可计算的SRAM单元电路及其控制方法。包括两个结构相同的逻辑子电路,包括由反向串联的MOSFET晶体管构成的两个反向器、两个存取管及两组计算和读取单元;两个反向器的MOSFET晶体管间引出连接到两个逻辑存储单元中节点;存取管的源极分别连接到接位B,存取管的漏极接到逻辑存储单元中节点,存取管的栅极接第三字线;两组计算和读取单元对称布置并接多条位线和字线。本发明实现了多模式的存储器内运算,在不使用大量外部计算电路的情况下,能够方便实现存储器内的加法等算术运算,较大的节省了芯片的面积,且计算并行执行,没有带宽的限制,提高了运算速度。

    一种丝素-短肽凝血微球的制备方法

    公开(公告)号:CN109157672B

    公开(公告)日:2020-06-23

    申请号:CN201810934442.1

    申请日:2018-08-16

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种丝素‑短肽凝血微球的制备方法。由丝素和短肽复合而成,短肽为RGD、TI或者LD;将蚕茧脱胶后形成的纤维状丝素溶解获得丝素蛋白溶液;将丝素蛋白溶液与短肽混匀,注入无水乙醇自组装再超声冷冻,取出后使融化为乳白色溶液,经第一次离心后倒去上清液得到丝素蛋白颗粒,再经第二次离心后用去离子水洗涤两次,两次离心后超声第三次离心,弃去底部沉淀从而得到丝素蛋白微球悬浮液,超声后立刻冷冻;取出冷冻好的悬浮液,冷冻干燥所得丝素短肽微球粉末。本发明获得的产物具有优良的生物相容性,用途广泛,同时能配制溶液注射使用以及治疗体内脏器出血的凝血和外部创伤的凝血,环保无污染。

    一种新型的半监督文本实体信息抽取方法

    公开(公告)号:CN111274814A

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN201911369784.4

    申请日:2019-12-26

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种新型的半监督文本实体信息抽取方法。文档短语分割得候选实体集合;建立有、无监督学习部分,有、无标注的文档分别有、无监督学习;文档和实体类型输入实体抽取模块输出实体信息;文档和短语输入类型选择模块输出短语概率分布;两模块损失值相加为损失;文档输入实体抽取模块获得每个实体类型的损失;文档和短语输入类型选择模块输出短语概率分布;两模块损失值相乘后相加构成损失;两部分加权计算获得总损失,优化训练获得模型参数;将测文本依次输入到实体抽取模块和类型选择模块获得实体信息。本发明能够利用海量无标注数据,显著增强模型性能,在小样本标注数据的条件下有着显著的提升,也适用于零样本学习的半监督文本数据处理。

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