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公开(公告)号：CN110794278B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201911011971.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET浪涌性能的测试方法。将场效应管器件放置在测试探针台上，连接浪涌电流产生电路和驱动电路，设置输出电流幅值和周期并施加到场效应管器件进行浪涌测试，测量得到不同幅值浪涌电流下的源漏电压、经过浪涌测试后器件的栅源电阻以及浪涌测试前和浪涌测试后的转移特性曲线，转移特性曲线的横纵坐标分别为源漏电压和漏极电流；利用浪涌电流产生电路产生浪涌电流，在浪涌电流通过器件后，器件在电学特性上会发生变化，根据电学特性的变化来判断器件是否失效。本发明提供了一种简单可靠的测试SiC MOSFET浪涌可靠性的方法，可有效得到SiC MOSFET场效应管器件的浪涌性能和数据。
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公开(公告)号：CN111429956A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010165900.7
申请日：2020-03-11
Applicant: 浙江大学
IPC: G11C11/412 , G11C11/418 , G06F7/575
Abstract: 本发明公开了一种多模式可计算的SRAM单元电路及其控制方法。包括两个结构相同的逻辑子电路，包括由反向串联的MOSFET晶体管构成的两个反向器、两个存取管及两组计算和读取单元；两个反向器的MOSFET晶体管间引出连接到两个逻辑存储单元中节点；存取管的源极分别连接到接位B，存取管的漏极接到逻辑存储单元中节点，存取管的栅极接第三字线；两组计算和读取单元对称布置并接多条位线和字线。本发明实现了多模式的存储器内运算，在不使用大量外部计算电路的情况下，能够方便实现存储器内的加法等算术运算，较大的节省了芯片的面积，且计算并行执行，没有带宽的限制，提高了运算速度。
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公开(公告)号：CN110794278A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911011971.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET浪涌性能的测试方法。将场效应管器件放置在测试探针台上，连接浪涌电流产生电路和驱动电路，设置输出电流幅值和周期并施加到场效应管器件进行浪涌测试，测量得到不同幅值浪涌电流下的源漏电压、经过浪涌测试后器件的栅源电阻以及浪涌测试前和浪涌测试后的转移特性曲线，转移特性曲线的横纵坐标分别为源漏电压和漏极电流；利用浪涌电流产生电路产生浪涌电流，在浪涌电流通过器件后，器件在电学特性上会发生变化，根据电学特性的变化来判断器件是否失效。本发明提供了一种简单可靠的测试SiC MOSFET浪涌可靠性的方法，可有效得到SiC MOSFET场效应管器件的浪涌性能和数据。
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公开(公告)号：CN109684665A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811388786.3
申请日：2018-11-21
Applicant: 浙江大学城市学院
CPC classification number: G06F17/5045 , G11C16/08 , G11C16/24
Abstract: 本发明涉及基于FinFET的三值SRAM单元电路，包括：由FinFET晶体管构成的两个三值反相器交叉耦合所组成的逻辑值存储基本元件，所述逻辑值存储基本元件包含两个三值反相器，包括两个P沟道FinFET晶体管M1和M3，四个N沟道FINFET晶体管M2、M4、M5和M6；两个由FinFET晶体管构成的传输门作为存取管，所述两个存取管分别由N沟道FinFET晶体管M11、P沟道FinFET晶体管M12N沟道晶体管M9、P沟道晶体管M10构成。本发明的有益效果是：本发明电路通过两个三值反相器交叉耦合所组成的逻辑值存储基本元件、由传输门构成的存取管以及两个和内部节点分开的晶体管组建的三值SRAM单元电路，采用隔离和交叉耦合技术，实现了SRAM的三值存储，并增强三值数据存储的稳定性。
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公开(公告)号：CN105515017B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510920820.7
申请日：2015-12-11
IPC: H02J3/24
CPC classification number: Y02E60/728 , Y04S10/265
Abstract: 本发明公开了一种计及信息安全约束的广域测量系统PMU优化配置方法，本发明通过对广域测量系统WAMS中PMU设备的合理优化配置，在保证系统可观性的前提下，使其在面对信息攻击时，可以将状态估计的计算结果偏差限定在设定的阈值之内。本方法在考虑系统安全性时，针对攻击者会考虑电力系统网络脆弱节点或攻击危害影响最大节点来实施信息篡改攻击的可能，保证了系统即使面对最极端的信息篡改攻击选点，也可以保证使其状态估计偏差控制在预设的可以接受的范围内。该方法能在保证系统可观性的前提下，降低系统在受到此类恶意信息篡改攻击时状态估计的偏移，使其控制在预设的可以接受的范围内，达到维护电力信息物理系统安全性的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117912108A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410048795.7
申请日：2024-01-12
Applicant: 浙江大学 , 杭州万维镜像科技有限公司 , 杭州电子科技大学 , 杭州鸿雁电器有限公司
Abstract: 本发明公开了一种应用于智能家居领域的人体姿态估计方法。采用Haar小波变换将输入图像进行多尺度分解，生成关注局部细节的特征图。然后基于DCA方法，将局部细节特征图与初步特征进行深度融合。最后输入到多级不同分辨率网络中，得到姿态估计结果。本方法通过小波变换有效捕捉人体边缘、纹理信息和局部微动，适应智能家居中的复杂场景。基于DCA的融合方法提升了特征间的独立性和非线性关系，降低信息冗余。多级网络的使用进一步维护了图像细节，提高了关键点预测的准确性。在智能家居环境中提供了卓越的姿态检测准确度和局部特征表现力，为智能照明、家庭安全、智能家电控制等应用场景提供了更为精确和及时的人体动作识别解决方案。
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公开(公告)号：CN109684665B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201811388786.3
申请日：2018-11-21
Applicant: 浙江大学城市学院
Abstract: 本发明涉及基于FinFET的三值SRAM单元电路，包括：由FinFET晶体管构成的两个三值反相器交叉耦合所组成的逻辑值存储基本元件，所述逻辑值存储基本元件包含两个三值反相器，包括两个P沟道FinFET晶体管M1和M3，四个N沟道FINFET晶体管M2、M4、M5和M6；两个由FinFET晶体管构成的传输门作为存取管，所述两个存取管分别由N沟道FinFET晶体管M11、P沟道FinFET晶体管M12N沟道晶体管M9、P沟道晶体管M10构成。本发明的有益效果是：本发明电路通过两个三值反相器交叉耦合所组成的逻辑值存储基本元件、由传输门构成的存取管以及两个和内部节点分开的晶体管组建的三值SRAM单元电路，采用隔离和交叉耦合技术，实现了SRAM的三值存储，并增强三值数据存储的稳定性。
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公开(公告)号：CN111429956B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010165900.7
申请日：2020-03-11
Applicant: 浙江大学
IPC: G11C11/412 , G11C11/418 , G06F7/575
Abstract: 本发明公开了一种多模式可计算的SRAM单元电路及其控制方法。包括两个结构相同的逻辑子电路，包括由反向串联的MOSFET晶体管构成的两个反向器、两个存取管及两组计算和读取单元；两个反向器的MOSFET晶体管间引出连接到两个逻辑存储单元中节点；存取管的源极分别连接到接位B，存取管的漏极接到逻辑存储单元中节点，存取管的栅极接第三字线；两组计算和读取单元对称布置并接多条位线和字线。本发明实现了多模式的存储器内运算，在不使用大量外部计算电路的情况下，能够方便实现存储器内的加法等算术运算，较大的节省了芯片的面积，且计算并行执行，没有带宽的限制，提高了运算速度。
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公开(公告)号：CN105515017A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510920820.7
申请日：2015-12-11
IPC: H02J3/24
CPC classification number: Y02E60/728 , Y04S10/265 , H02J3/24
Abstract: 本发明公开了一种计及信息安全约束的广域测量系统PMU优化配置方法，本发明通过对广域测量系统WAMS中PMU设备的合理优化配置，在保证系统可观性的前提下，使其在面对信息攻击时，可以将状态估计的计算结果偏差限定在设定的阈值之内。本方法在考虑系统安全性时，针对攻击者会考虑电力系统网络脆弱节点或攻击危害影响最大节点来实施信息篡改攻击的可能，保证了系统即使面对最极端的信息篡改攻击选点，也可以保证使其状态估计偏差控制在预设的可以接受的范围内。该方法能在保证系统可观性的前提下，降低系统在受到此类恶意信息篡改攻击时状态估计的偏移，使其控制在预设的可以接受的范围内，达到维护电力信息物理系统安全性的目的。
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公开(公告)号：CN209070995U
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201821917820.7
申请日：2018-11-21
Applicant: 浙江大学城市学院
IPC: G11C11/402
Abstract: 本实用新型涉及基于FinFET的三值SRAM单元电路，包括：由FinFET晶体管构成的两个三值反相器交叉耦合所组成的逻辑值存储基本元件，所述逻辑值存储基本元件包含两个三值反相器，包括两个P沟道FinFET晶体管M1和M3，四个N沟道FINFET晶体管M2、M4、M5和M6；两个由FinFET晶体管构成的传输门作为存取管，所述两个存取管分别由N沟道FinFET晶体管M11、P沟道FinFET晶体管M12N沟道晶体管M9、P沟道晶体管M10构成。本实用新型的有益效果是：本实用新型电路通过两个三值反相器交叉耦合所组成的逻辑值存储基本元件、由传输门构成的存取管以及两个和内部节点分开的晶体管组建的三值SRAM单元电路，采用隔离和交叉耦合技术，实现了SRAM的三值存储，并增强三值数据存储的稳定性。
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