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公开(公告)号：CN103715284A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310742938.6
申请日：2013-12-30
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/03762 , H01L31/03926 , H01L31/075 , H01L31/1848 , H01L31/202 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , H01L31/03529 , H01L31/022483 , H01L31/20
Abstract: 本发明属于柔性太阳能电池制造技术领域，特别涉及一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本发明的太阳能电池具体结构是：Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底；其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极，然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜，最后制备金属Al电极。本发明的可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池具有优异的柔软性，重量轻，携带方便，具有产业化潜力和市场空间，而且制备工艺简单，能实现规模生产。
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公开(公告)号：CN114360918B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202111382335.0
申请日：2021-11-22
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 本发明属于电极材料制备领域，主要包括一种高性能超级电容器异质结构的电极材料的制备方法。该方法包括：对泡沫镍预处理，将硝酸镍、硝酸钴，氟化铵，尿素溶入水中制备前驱体；接着将硝酸钴，钼酸钠，氟化铵，尿素溶入50ml水中；然后将上述溶液和前驱体转入反应釜中得到制备的电极材料。解决材料的结构不稳定，尺寸均一，合成方法无法精确控制，导电性能不好，与集流体接触性不好等问题。
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公开(公告)号：CN116914850A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310825626.5
申请日：2023-07-07
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: H02J3/46 , H02J3/28 , H02J3/32 , H02J3/00 , G06Q10/04 , G06Q10/0631 , G06Q30/0201 , G06N3/006
Abstract: 本发明公开了一种区域综合能源系统双层优化调控方法、系统及设备，涉及能源优化调度领域，该方法包括：以火电机组的运行成本、高温储能装置的运行成本、蓄电池的运行成本、电锅炉的运行成本以及新能源远地输送成本建立上层优化模型，并建立上层约束条件；采用改进遗传算法对上层优化模型进行求解，得到全局最优解；全局最优解为最优火电机组启停计划；基于最优火电机组启停计划，以火电机组有功输出为优化变量，以区域综合能源系统的碳交易成本最小为目标建立下层优化模型，并建立下层约束条件；采用自适应粒子群算法对下层优化模型进行求解，得到最优解，最优解为最优调度方案。本发明能够在满足系统净负荷波动的情况下保障系统稳定运行。
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公开(公告)号：CN113779883B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111075348.3
申请日：2021-09-14
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: G06F30/27 , G06N3/006 , G06F113/06
Abstract: 本发明公布了一种基于变异人工鱼群的风电储能系统充放电过程优化方法，包括以下步骤：依据风电储能系统实时监控设备获取各蓄电池组实时运行状态信息；依据获取的状态信息，引入复数，赋予人工鱼信息，建立人工鱼群，建立公告板；人工鱼群产生变异开始迭代；人工鱼群基于自身感知和环境反馈选择相应行为；记录每条人工鱼位置，更新公告板；系统根据检测点充满能量数之和是否达到设定的最高食物浓度或最低食物浓度，从而进行放电或者充能；系统检测点充满能量点数之和回到最高食物浓度设定以下时，重新恢复系统正常运行；输出系统运行结果。本发明引入变异鱼的概念，将变异人工鱼群算法与风机储能系统补偿相结合对风电进行优化。
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公开(公告)号：CN114943360A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210209461.4
申请日：2022-03-04
Applicant: 沈阳工程学院
Inventor： 王健 , 宋世巍 , 金家丞 , 李昱材 , 柯昀洁 , 李兆滢 , 白金禹 , 姜铭坤 , 辛长庆 , 赵琰 , 张东 , 林盛 , 王晗 , 郭瑞 , 王东来 , 姜河 , 许鉴
Abstract: 本发明公开了一种基于改进粒子群的神经网络预测光伏短期发电方法。该方法包括以下内容：运用Pearson相关系数方法对影响的光伏发电因素(光照强度、温度、湿度、气压以及PM10)进行相关性分析，选取主要影响的光伏发电因素作为神经网络输入；运用经验方法确定神经网络预测模型中的层数以及隐含层的神经元个数；选取预测模型的输出值与实际值误差的平方和作为粒子群适应度函数，基于构建的适应度函数，改进粒子群中的惯性权重、认知学习因子、社会学习因子。将改进粒子群优化的参数结果作为神经网络初始参数对光伏短期发电量进行预测。该算法避免在优化神经网络参数过程中陷入局部最优以及提高粒子群的收敛速度，最终，提高了短期光伏发电预测精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113537598A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110809421.9
申请日：2021-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 本发明公布了一种基于NWP‑LSTM的短期光功率预测方法，该方法包括以下步骤：1.采集目标位置t‑1时刻、t时刻的实时气象数据以及t时刻的实时气象预报，并基于三次样条插值对采集的数据进行精度提升；2.建立基于长短期记忆神经网络的数值天气预报修正模型，将数值天气预报系统提供的不同位置的气象预报修正到目标光伏板处，增强数值天气预报与目标光伏板之间的关联性；3.计算功率数据与气象数据之间的相关性，并建立基于长短期记忆神经网络的短期功率预测模型。本发明能够较好的修正气象数据并提高短期光伏功率的预测精度，实现电网的经济和稳定运行。
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公开(公告)号：CN108417618A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810134370.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: H01L29/267 , H01L29/40 , H01L31/0224 , H01L31/0336 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于本发明可逆半导体到金属(SMT)一级转变涂层的制造技术领域，特别涉及一种Si衬底异质结构器件及其制备方法，在Si衬底上依次沉积AZO透明导电电极、掺硼金刚石薄膜、AZO透明导电电极、VO2薄膜、P型CuO薄膜、VO2薄膜、AZO透明导电电极以及TiN抗腐蚀保护涂层。本发明采用金刚石材料薄膜材料作为P型层，金刚石是自然界散热速度最快的材料，n-VO2/p-CuO异质结构结合金刚石材料作为n-VO2/p-diamond双异质结构，可以制备出高功率的器件。
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公开(公告)号：CN108376700A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810133499.1
申请日：2018-02-09
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构及其制备方法，属于薄膜制备技术领域。所述异质结构是在苯二甲酸乙二酯衬底层上依次制备第一AZO透明导电薄膜、SnO2材料层、VO2材料层、第二AZO透明导电薄膜及抗腐蚀保护层。本发明以苯二甲酸乙二酯材料衬底基片，采用SnO2作为缓冲层，VO2/SnO2异质结构结合，采用AZO作为透明导电电极，最后蒸镀耐腐蚀的TiN材料，可以制备出高质量廉价的器件；同时，该制备工艺简单，可实现规模生产。
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公开(公告)号：CN103361629B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310299023.2
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: C23C16/34 , C23C16/511 , C23C16/27
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在GaN缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将Si基片依次用丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）用热丝CVD系统，将反应室抽真空，将Si基片加热，向反应室内通入氢气和甲烷气体，在Si衬底基片上得到金刚石薄膜。3）采用ECR-PEMOCVD（电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积）系统，将反应室抽真空，将基片加热至200～600℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基镓、氮气。
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公开(公告)号：CN103715284B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310742938.6
申请日：2013-12-30
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/075 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/03762 , H01L31/03926 , H01L31/075 , H01L31/1848 , H01L31/202 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于柔性太阳能电池制造技术领域，特别涉及一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本发明的太阳能电池具体结构是：Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底；其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极，然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜，最后制备金属Al电极。本发明的可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池具有优异的柔软性，重量轻，携带方便，具有产业化潜力和市场空间，而且制备工艺简单，能实现规模生产。
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