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公开(公告)号：CN103350532A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310074747.7
申请日：2013-07-22
Applicant: 江苏大学
Abstract: 一种太阳能选择性吸收膜系及其制备方法，涉及平板太阳能热水器上选择性吸收薄膜。所述吸收膜系以Al箔作为膜系的基底，所述吸收膜系从顶层至底层依次为：作为减反层的双层AlN膜、作为吸收层的单层TiNxOy膜、作为红外反射层的单层Al膜和基底Al箔，其特征在于：所述基底Al箔上均匀布有玫瑰花瓣状结构，所述花瓣中心距h满足300nm
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公开(公告)号：CN102556953A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210034487.6
申请日：2012-02-16
Applicant: 江苏大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及硅纳米线，特指一种双面硅纳米线阵列的制备方法。在较低温度条件下，利用溶液的腐蚀性和金属离子催化性相结合，在硅表面进行刻蚀得到硅纳米线阵列；包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、用化学镀法在硅片两个表面覆盖一层均匀的银纳米颗粒网络的步骤、双面硅纳米线阵列制备的步骤和多余银纳米颗粒去除的步骤。本发明的优点是其制备过程不需要昂贵设备和高温环境条件，具有操作简单、易控制等明显的优点，且成本低、效率高可应用于大型工业化生产。
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公开(公告)号：CN101734610B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910263065.4
申请日：2009-12-15
Applicant: 江苏大学
Abstract: 一种用于微机电系统低载荷工况的多层薄膜及其制备方法，多层薄膜由下至上依次为偶联剂层、弹性体层和硬质薄膜层，偶联剂层与弹性体层之间通过化学反应结合，硬质薄膜层沉积在硬质薄膜层表面，制备方法为：对Si片进行清洗去除有机杂质、去除表面氧化物；将清洁后的硅片进行羟基化反应；利用自组装技术将市售的含乙氧基的硅烷偶联剂与羟基化的硅表面反应，从而将偶联剂与硅表面通过化学键链接起来；再次利用自组装技术将热弹性塑料上的马来酸酐与偶联剂上的氨基反应，完成偶联剂与弹性体的化学键链接；在弹性体表面沉积DLC薄膜。本发明制备的薄膜可以提高硅器件的抗摩擦磨损能力，减少材料在摩擦过程中产生的能量耗散，改善材料的摩擦学性能。
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公开(公告)号：CN101734610A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910263065.4
申请日：2009-12-15
Applicant: 江苏大学
Abstract: 一种用于微机电系统低载荷工况的多层薄膜及其制备方法，多层薄膜由下至上依次为偶联剂层、弹性体层和硬质薄膜层，偶联剂层与弹性体层之间通过化学反应结合，硬质薄膜层沉积在硬质薄膜层表面，制备方法为：对Si片进行清洗去除有机杂质、去除表面氧化物；将清洁后的硅片进行羟基化反应；利用自组装技术将市售的含乙氧基的硅烷偶联剂与羟基化的硅表面反应，从而将偶联剂与硅表面通过化学键链接起来；再次利用自组装技术将热弹性塑料上的马来酸酐与偶联剂上的氨基反应，完成偶联剂与弹性体的化学键链接；在弹性体表面沉积DLC薄膜。本发明制备的薄膜可以提高硅器件的抗摩擦磨损能力，减少材料在摩擦过程中产生的能量耗散，改善材料的摩擦学性能。
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公开(公告)号：CN103779424B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410026623.6
申请日：2014-01-21
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L21/336 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种功能薄膜制备方法及应用领域，特指一种非晶态氮化镓或氮化铟薄膜晶体管及其制备方法。采用等离子体化学气相沉积技术，利用有机源、氨气作为反应源；利用氢气或氮气作为有机源载气源，利用硅烷、三甲基镁作为掺杂剂，在衬底上分别制备n型、p型非晶态氮化镓或氮化铟；并以n型、p型非晶态氮化镓或氮化铟薄膜作为薄膜晶体管的沟道层，通过该方法制作的非晶态氮化镓或氮化铟薄膜及非晶态氮化镓或氮化铟薄膜晶体管是在廉价的衬底上得到的，因此大大降低了制造成本；本发明的材料均匀程度高、杂质含量低、器件与衬底黏附力大等优点；另外本发明方法具有操作简便、适于大面积连续生产等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103582118B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210577409.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 江苏大学
IPC: H04W64/00 , H04B17/318 , H04B17/391
Abstract: 本发明公开了一种基于节点接收信号强度值（RSSI）的改进DV?hop定位算法，利用“距离—损耗”模型，建立一种新的跳数计算方法，同时设置最大跳数门限值来去除一些失真数据。改进的算法中接收节点计算出此次传递的跳数后，跳数加上后继续投递数据包，这样最小跳数同样可以获得，进一步逼近网络节点通信的实际路径，更为客观的反映节点分布的实际情况，来减小邻居节点间有着不同距离而都被视为一跳的距离所带来的累计误差，从而达到提高定位精度的目的。
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公开(公告)号：CN103014577B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310002540.9
申请日：2013-01-05
Applicant: 江苏大学
Abstract: 一种基于组织超细化和电化学抛光的提高钛材生物医用性能的方法，包括以下步骤：首先，以市购钛材为原材料，对其进行等通道转角大应变加工（ECAP）制得组织超细化钛材；然后，将采用ECAP制得的组织超细化钛材，进行抛光、清洗及活化预处理；最后，将预处理后的钛材，在电解液中进行电化学抛光处理，即可使市购钛材具有高抗腐蚀性、高抗微动摩擦磨损性、高生物活性等优异生物医用性能。本发明很好地解决了钛材表面生物相容差的难题，并且工艺简单，在生物医用等领域具有广泛的应用前景。本发明方法对于纯钛和TiNi合金尤为适用。
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公开(公告)号：CN102856434B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210322845.3
申请日：2012-09-04
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅纳米孔阵列，特指一种单面或双面正方形硅纳米孔阵列的制备方法。本发明在较低温度条件下，利用溶液的腐蚀性和金属粒子催化性相结合，在硅表面进行刻蚀得到方形硅纳米孔阵列。具体包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、正方形硅纳米孔阵列的制备步骤和多余银纳米颗粒去除的步骤，其特征在于：所述正方形硅纳米孔阵列的制备步骤为：在室温暗室环境下，将已经氢钝化表面的硅片放入到三号腐蚀液中刻蚀10～60min，处理好后用去离子水反复冲洗硅片的两个表面；所述三号溶液为HF酸和AgNO3的混合溶液，其中每升混合溶液中含有的HF酸为2.4～5mol，每升混合溶液中含有的AgNO3为0.01～0.05mol。
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公开(公告)号：CN103779424A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410026623.6
申请日：2014-01-21
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L21/336 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/0062 , C23C16/301 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种功能薄膜制备方法及应用领域，特指一种非晶态氮化镓或氮化铟薄膜晶体管及其制备方法。采用等离子体化学气相沉积技术，利用有机源、氨气作为反应源；利用氢气或氮气作为有机源载气源，利用硅烷、三甲基镁作为掺杂剂，在衬底上分别制备n型、p型非晶态氮化镓或氮化铟；并以n型、p型非晶态氮化镓或氮化铟薄膜作为薄膜晶体管的沟道层，通过该方法制作的非晶态氮化镓或氮化铟薄膜及非晶态氮化镓或氮化铟薄膜晶体管是在廉价的衬底上得到的，因此大大降低了制造成本；本发明的材料均匀程度高、杂质含量低、器件与衬底黏附力大等优点；另外本发明方法具有操作简便、适于大面积连续生产等优点。？
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公开(公告)号：CN103628019A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310536276.7
申请日：2013-11-04
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及碳纤维生产设备，具体是一种碳纤维生产设备辊轮的制备方法。本发明在常规辊轮表面，利用等离子喷涂技术制备一种Al2O3/CrO涂层，使Al2O3/CrO微球颗粒均匀分布在辊轮表面，从而在辊轮表面形成许多光滑的微球面，改善纤维传送过程中的损伤，可以满足碳纤维生产设备上的具体工况要求。
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