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公开(公告)号：CN108910939A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810883716.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种超薄CuInS2纳米片，所述纳米片为二维介晶材料，具有单层或多层结构，厚度0.65～3nm，尺寸在100～900nm；所述超薄CuInS2纳米片的制备方法，包括以下步骤：制备巯基乙胺配位的Cu+和In3+前驱体溶液；制备巯基乙胺包裹的超小CuInS2量子点；制备单层或多层超薄CuInS2纳米片，本发明提供的超薄CuInS2纳米片具有二维介晶结构，能够用于太阳能电池和光催化等领域；本发明提供的制备方法采用水相合成工艺，可大批量制备，纳米片的厚度和尺寸易于控制，具有可控性强，工艺参数容易控制，安全绿色无污染、产率高的优点。
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公开(公告)号：CN107612502A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710952644.4
申请日：2017-10-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池寿命测试装置，包括：用于放置太阳能电池组件的密封腔体、密封压盖，所述密封腔体与密封压盖通过铰链连接；在所述密封压盖上设置有阳光透光片，密封腔体上设置有红外透光片，所述阳光透光片、红外透光片上透过的光均能够照射在太阳能电池组件上；在密封腔体上设置有进气口、出气口、传感器安装固定机构、以及密封型电极引线接头；所述密封腔体、密封压盖构成的腔体内壁为黑色。本发明可以明确太阳能电池器件衰减中的主导因素，明确各个因素之间的协同效应，能为提升电池稳定性提供直接的实验支撑，填补了分因数太阳能电池寿命测试的空白。
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公开(公告)号：CN119926459A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510000480.X
申请日：2025-01-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J27/24 , B01J23/02 , B01J35/39 , B01J37/08 , C01B15/027
Abstract: 本发明公开了一种Cs和氰基共掺杂的黄色g‑C3N4制备及其光催化产双氧水应用，该方法包含：称取一定量的溴化铯，将其和定量尿素混合，研磨均匀。之后将前述样品放入石英坩埚，并盖上石英盖子。将其放入马弗炉，100～120分钟升温到500～600℃，并在其温度下保温两小时，自然冷却到室温，得到Cs‑g‑C3N4光催化材料。本发明以CsBr为掺杂剂，在尿素聚合温度附近释放Cs2+，制备g‑C3N4的同质结，具有优异的光催化产双氧水性能。
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公开(公告)号：CN117920269A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410012037.X
申请日：2024-01-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J27/04 , C02F1/30 , B01J27/24 , B01J35/39 , B01J37/08 , B01J35/50 , G21F9/06 , C02F101/34 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种Cd‑ZIF衍生的S型g‑C3N4@CdS核壳异质结制备及其光催化铀酰还原应用，其制备方法包含：将一定量的尿素充分研磨，置于带盖坩埚中，放入马弗炉中煅烧制备g‑C3N4；将Cd离子和g‑C3N4前驱体溶液在室温搅拌条件下加入到2‑甲基咪唑前驱体溶液中，得到g‑C3N4@Cd‑ZIF；将g‑C3N4@Cd‑ZIF、硫前驱体和有机溶剂按照比例混合，室温搅拌1h后置于水热釜中加热反应一定时间获得g‑C3N4@CdS核壳异质结。本发明以Cd‑ZIF为前驱体，制备了g‑C3N4@CdS核壳异质结，该催化剂具有优异的光催化铀酰还原能力和光催化降解盐酸四环素的能力。
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公开(公告)号：CN117903444A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311709241.9
申请日：2023-12-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C08G83/00 , B01J20/26 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F103/08
Abstract: 本发明涉及吸附技术领域，具体涉及一种Cu修饰UiO‑66的制备方法及其应用，包括以下步骤：(1)将ZrCl4和对苯二甲酸加入DMF中混合，加入HAc得到混合溶液；(2)混合溶液超声处理结晶，过滤干燥得到UiO‑66白色晶体，(3)将二水合氯化铜(CuCl2·2H2O)/二水合硝酸铜(Cu(NO3)2·2H2O)加入DMF溶液中超声溶解，(4)UiO‑66晶体与步骤(3)中得到的溶液混合，反应结束后得到Cu修饰的UiO‑66吸附剂。该吸附剂对铀表现出超高的吸附效果，同时也解决了活性位点缺乏、吸附能力低等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114824097A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210394971.3
申请日：2022-04-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种含有缓冲层的钙钛矿太阳电池，其缓冲层为铵盐修饰的二维Ti3C2TXMXene。以该方法制备的钙钛矿太阳能电池能量转换效率超过20％，在相同的器件制备条件下，此种铵盐修饰的二维Ti3C2TxMXene具有比未修饰的拥有更高的光电转换效率。本发明提供的高效、稳定钙钛矿太阳能电池的制备方法，其合成工艺简单易行，设备要求低，有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN114602450A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210313373.9
申请日：2022-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J23/06 , B01J23/75 , B01J27/24 , B01J35/00 , C01B3/04 , C02F1/30 , C02F101/38 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种Co/Zn‑g‑C3N4光催化材料及其制备和应用，该方法包含：将2‑甲基咪唑于含有机胺的有机溶剂溶液中，并加入至钴盐或锌盐的有机溶剂溶液中，室温搅拌，静置，固液分离，以获得Co‑ZIF或Zn‑ZIF；将Co‑ZIF或Zn‑ZIF于有机溶剂中，在研磨过程中将Co‑ZIF或Zn‑ZIF的有机溶剂溶液滴入尿素，将混合物在室温真空干燥，并在500～600℃加热，反应结束后冷却至室温，得到Co‑g‑C3N4光催化材料或Zn‑g‑C3N4光催化材料。本发明以Co‑ZIF或Zn‑ZIF为掺杂剂，在尿素聚合温度附近释放Co2+或Zn2+，制备g‑C3N4的同质结，具有优异的光催化产氢性能，以及光催化降解性能。
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公开(公告)号：CN110165064B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910456855.8
申请日：2019-05-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，尤其涉及具有梯度能级空穴调控有机电致发光器件，包括依次叠接的阳极、第一空穴注入层、第二空穴注入层、发光层、电子注入层和金属阴极，所述第一空穴注入层为PEDOT:PSS或者PEDOT:PSS+V2O5复合材料，第二空穴注入层为C3N4薄膜，发光层为TPBi，电子注入层为LiF，金属阴极为Al。本发明的具有梯度能级空穴调控有机电致发光器件，利用V2O5掺杂PEDOT:PSS的复合薄膜PEDOT:PSS+V2O5和二维材料C3N4的各自优点，利用其合适的能级结构有效地构筑具有梯度能级的空穴注入传输体系，从而调节了载流子平衡，器件具有良好的性能。
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公开(公告)号：CN112239670A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011062060.8
申请日：2020-09-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01B19/00 , C09D11/50 , B01J27/057 , C01B3/04 , H01L31/0272 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种CuInSe2超小量子点及其制备方法和应用，其制备方法步骤为：S1：制备三聚硫氰酸或巯基配位的Cu和In离子前驱体溶液以及硒前驱体溶液；制备CuInSe2量子点前驱体溶液；制备小分子硫氰酸根或巯基包裹的超小CuInSe2量子点水溶液，采用水相一锅法以较简单的工艺和较低的温度在水溶液中制备出目标产物，所得CuInSe2量子点是立方相的超小的纳米晶由小分子硫氰酸根或巯基包裹，近红外发光，本发明的量子点墨水经印制后能够得到稳定的量子点发光层，具有较长的寿命，且具有较好的发光性能。将所述量子点墨水用于印刷制备太阳能电池能够有效提升电池的光学性能和电学性能，量子点具有优异的光催化性能。
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公开(公告)号：CN111129315A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911421476.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种倒置平面异质结杂化钙钛矿太阳能电池及制备方法，采用倒置平面异质结结构太阳能电池，分别使用透明电极和银作为阳极和阴极，聚(三芳胺)为空穴传输层，富勒烯衍生物PC61BM为电子传输层，聚乙烯吡咯烷酮为钙钛矿钝化层。本发明中的聚乙烯吡咯烷酮能够有效的钝化钙钛矿晶界，降低钙钛矿表面缺陷，降低钙钛矿电池的串联电阻，提高太阳能电池的填充因子和电流密度，最后提高了太阳能电池的光电转化效率，修饰钝化后的钙钛矿太阳能电池性能较未钝化的器件性能有较大的提升。本发明工艺操作简单、可重复性高、成本较低，能够适用于多种平面异质结钙钛矿太阳能电池的制备和大规模应用。
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