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公开(公告)号：CN103187527B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310067831.6
申请日：2013-03-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/TiO2/Si为衬底，采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺方法制备Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方法制备金属薄膜上电极并获得相应的阻变电容。本发明的优点是：（1）薄膜的组分控制精确，而且易于调整（掺杂）组分，能够大面积制膜，成本低；（2）采用多次匀胶，分层预热、线性升温加保温的工艺方案，可提高结晶度，减少薄膜内应力，提高薄膜的质量和性能；（3）与半导体Si集成工艺兼容；（4）通过适量的Ce掺杂，可以明显提高Bi4-xCexTi3O12薄膜的阻变性能。
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公开(公告)号：CN104124349A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410394162.8
申请日：2014-08-12
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L51/504 , H01L51/5072
Abstract: 本发明公开了一种双层结构的高效率黄绿光有机电致发光器件，包括顺序叠接的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层和反射金属阴极，通过阳极由正向负连接反射金属阴极构成外电路，通以直流电出射发光线从衬底下方发出。其特征是：位于空穴传输层与电子注入层之间的黄绿光发光层兼具有电子传输层的功能，该层由发绿光的主发光体中掺杂发黄光的客发光体构成；空穴传输层由迁移率较低的空穴传输材料构成。该双层结构器件在简化器件结构的同时其发光效率与相应的三层结构器件基本相当，而且电致发光光谱和色坐标几乎没有变化。
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公开(公告)号：CN103896578A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410102318.0
申请日：2014-03-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高密度低电阻率氧化锌陶瓷靶材的制备方法，所述方法包括在掺杂ZnO粉体中加入助烧剂，助烧剂是Bi2O3、B2O3和SiO2中的一种、两种或三种，并于不低于摄氏1200度的温度下烧结。本方法能够使得制备的氧化锌陶瓷靶材不仅具有高密度、低电阻率及降低对氧化锌粉体的粒度要求，而且因为降低了烧结温度，从而导致能耗的大幅降低。另外，本方法制备的氧化锌陶瓷靶材由于具有超高的密度及低的电阻率，使得在磁控溅射镀膜时，可以使用直流工艺进行溅射镀膜，在对靶材加高压进行镀膜过程中的放电次数少，高速沉积薄膜，靶材表面节瘤少。
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公开(公告)号：CN103400936A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310324856.X
申请日：2013-07-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成；所述肖特基特性自整流阻变存储器，包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极，所述底电极是导电薄膜电极，所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜，所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。本发明不仅保持器件具有较好的双极性存储功能，而且增加了存储器的自整流功能，可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题，其自整流功能具有肖特基特性，较之pn结自整流阻变存储器，具有肖特基二极管带来的开关速度快，开关损耗小等一切优点，降低了功耗，提高了读写速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103280534A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310186916.6
申请日：2013-05-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂型双空穴传输层的高效率低电压有机电致发光器件，包括顺序叠接的衬底、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极、阳极由正向负连接反射金属阴极的外电路及从衬底射出的出射发光线，其特征是：空穴传输层为掺杂型双空穴传输层。该器件与传统空穴传输层构建的器件相比，其发光效率可以提高1.5-2倍，而驱动电压降低1V-1.5V。
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公开(公告)号：CN102424577A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110278893.2
申请日：2011-09-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低压压敏电阻陶瓷材料及其制备方法，它是在ZnO-Bi2O3基低压压敏陶瓷中同时添加V2O5和TiO2来实现，用料量V2O5︰TiO2︰ZnO-Bi2O3基的摩尔比为0.05-0.08︰0.80-1.30︰98.62-99.15，其中ZnO-Bi2O3基包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnCO3组成成分，且ZnO︰Bi2O3︰Co2O3︰MnCO3的摩尔比为97.40-98.20︰0.60-0.80︰0.80-1.20︰0.40-0.60，用传统制陶工艺烧制而成。本发明的优点是：（1）Ti掺杂可提高压敏陶瓷材料的非线性系数，降低电位梯度；（2）V掺杂可降低陶瓷材料的烧结温度，并节约能耗，降低成本；（3）预烧能增强粉体活性；（4）分段升温、保温的工艺可以提高陶瓷的质量和性能，同时降低能耗，节约成本。
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公开(公告)号：CN119320273A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411474160.X
申请日：2024-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸钡的高储能高熵陶瓷介质材料，所述材料具有以下的化学组成：Ba0.2[(K0.5Na0.5)Bi]x(SrCaMg)(2/3)(0.4‑x)TiO3；x＝0.16‑0.20。本发明通过将在BaTiO3中引入六种A位阳离子(K、Na、Bi、Sr、Ca和Mg)来构建高熵陶瓷，以优化其结构从而提高其储能性能。根据离子特性将引入的离子分为铁电相和非铁电相两组，并使铁电相和非铁电相达到相对平衡。材料具有细窄的电滞回线和高的击穿场强，在保证一定储能效率的前提下大幅提升了储能性能。
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公开(公告)号：CN113121226B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110481507.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01G7/06
Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，特别涉及一种光介电铁电陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种光介电铁电陶瓷材料，所述光介电铁电陶瓷材料的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(MyNb1‑y)O3‑δ，x为0.005～0.10，y为0.01～0.5；A为AII族元素中的一种或多种，M为过渡金属元素中的一种或多种。本发明通过过渡金属的引入降低(K0.5Na0.5)NbO3材料的带隙，实现半导化，从而使光介电铁电陶瓷材料具有高的光介电调谐率，使光介电铁电陶瓷材料的介电常数在光激励时产生改变，实现光对光介电铁电陶瓷材料介电性能的非接触式调控。
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