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公开(公告)号：CN110877978B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201911336342.X
申请日：2019-12-23
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种氧化物(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3，其中0.02≤x≤0.1，Me为Ni、Co、Fe、Mn中的一种，该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(1‑x)/2：(1‑x)/2：x：1的摩尔比例称取高纯度的Bi2O3：Na2CO3：MeO：TiO2粉体原料，以无水乙醇为介质置于行星球磨机中充分混合后取出干燥、研磨，再煅烧合成(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3粉体；2）将(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体高温烧结，即得到氧化物(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷。该(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷可用于制造光电器件、光传感器、光探测器、光伏器件和多功能电磁器件等领域中。
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公开(公告)号：CN109704757B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910025697.0
申请日：2019-01-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种兼具低场与高场压电性能的无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷是以(Bi0.5Na0.5)TiO3、BaTiO3、Bi2CoMnO6、WO3和MgO为原料，按照化学组成通式(1‑y)(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06Ti1‑x(W0.5Mg0.5)xO3‑yBi2CoMnO6制备所得，其中x、y表示摩尔分数，0.01≤x≤0.05，0.01≤y≤0.05；所述制备方法则是在现有工艺上优化后的方法。本发明公开的无铅压电陶瓷能够很好的兼顾低场和高场下的压电性能，生产成本低、实用性好。
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公开(公告)号：CN108706971B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810670093.7
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变记忆特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：Bi0.53Na0.5TiO3+0.05wt%LiVO3+0.1wt%MnO2。用微波快速烧结结合快速水冷制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变记忆特性，最大压电应变记忆效应ΔS=0.46%，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN108191246B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201810151932.4
申请日：2018-02-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低介低烧基板材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：7.0～9.0 mol%的MgO，43.0～45.0 mol%的ZnO，13.0～15.0 mol%的B2O3，34.0 mol%的P2O5，0.5～1.0mol%Ga2O3和0.5mol%Sc2O3。所述基板材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及小谐振频率温度系数的微晶玻璃基板材料，其在测试频率（15‑16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至3.02‑3.15，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至57‑70 ppm/oC，品质因数（Qxf）可以达到11500‑14000GHz。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107151138B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201710301046.0
申请日：2017-05-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B41/88 , C04B41/80 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法，配方为：0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu，通过加入Bi2WO6，促进烧结，获得致密，晶粒均匀的陶瓷材料，结合化学包覆法，在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面，采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒，合成时形成梯度分级结构，抑制Sn的变价，即克服了该体系漏电流大的问题，也同时提高压电性能，降低介电损耗，解决了该体系绝缘性差，难以极化等难题。该陶瓷材料具有超高压电性能，同时具有超低介电损耗，环境友好型、稳定性好。
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公开(公告)号：CN108558391A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810668020.4
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/628 , C04B35/622 , C04B41/88
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/622 , C04B35/62842 , C04B35/62886 , C04B35/62894 , C04B41/5116 , C04B41/88 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3241 , C04B2235/3293 , C04B2235/656 , C04B2235/667 , C04B2235/96
Abstract: 本发明公开了一种具有巨压电响应的无铅压电陶瓷材料及其制备方法，材料组成为：Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3+0.05wt%Co+0.05wt%Cu。其中Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3通过固相合成法，Co与Cu分别以沉淀的形式在表面二次包覆形成，通过烧结技术产生特殊的分级次梯度结构，产生巨压电效应，这些性能目前超过了所有报道的无铅压电陶瓷。产品经实验测量，具有非常优异的压电性能，准静态压电常数d33=1820pC/N，压电应变常数 =2032pm/V，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN107032786A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710330694.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种同时具有高压电性能与高机械品质因数的低烧无铅压电陶瓷，其特征在于，组成通式为：(1‑x)(Bi0.5Na0.5)1‑2y(LiAl0.5Y0.5)yTiO3‑ xBa(Ti0.9Mn0.1)O3+z(0.6BiVO4‑0.4CuO)来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0
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公开(公告)号：CN104649660B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201510103955.4
申请日：2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/64 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋基高温压电与高储能密度无铅介电陶瓷材料，成分以通式(1‑u)BiFe1‑xMexO3–uBaTi1‑ y(Zn1/3Nb2/3)yO3来表示，其中Me为三价金属元素Al、Ga、Y、Sc、Cr、Co中的一种或两种，x、y、u表示摩尔分数，0.01≤x≤0.4，0.01≤y≤0.3，0.1≤u≤0.5。本发明采用分步合成结合微波烧结，获得成分结构梯度可控的均匀致密陶瓷。本发明的陶瓷具有优异的储能密度、高压电常数及高居里温度，储能密度可达0.90J/cm3，压电常数d33可达236pm/V、应变可达0.19%，居里温度可达452oC，应变滞后小，实用性好。
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公开(公告)号：CN104108930B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410349447.X
申请日：2014-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种在350℃以上使用的高温稳定型介电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1?x)Bi1/2Na1/2TiO3?x(La,Bi)2/3TiO3 +zRE2O3来表示，其中RE2O3为稀土氧化物，(La,Bi)中La:Bi=1:1(摩尔比)，x与z表示摩尔分数，0
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