公开(公告)号：CN101402521A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810073870.6

申请日：2008-10-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘心宇 ,  杨云 ,  杨华斌

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/457

Abstract: 本发明公开了一种NTC热敏导电陶瓷材料及其制备方法，它是以BaCO3、SrCO3、SnO2和Fe2O3为主要原料，混合球磨，烘干，得到Ba1－ySryFexSn1－xO3坯料，不掺杂或单独掺杂或复合掺杂后二次球磨Ba1－ySryFexSn1－xO3坯料；采用普通陶瓷制备工艺制备。本发明制备的NTC热敏导电陶瓷B值可以达到5100K，室温电阻率可降至2800Ω·m。本发明制备工艺简单，成本低，所得产品可应用于测温、控温、自动增益调整、温度补偿等方面。

公开(公告)号：CN106673062B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201611181133.9

申请日：2016-12-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  严亚飞 ,  郝崇琰 ,  李林 ,  饶光辉 ,  成钢 ,  顾正飞 ,  刘心宇

IPC: C01G33/00 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种碱金属铌酸盐微纳米线材料及其制备方法，以Na2CO3、K2CO3、BaCO3、Nb2O5、Bi2O3为原料，按照化学式(1‑x)KyNa1‑yNbO3‑xBaBiO3进行配料，其中0.15≤x≤0.07，0.4≤y≤0.6。其制备方法包括：（1）所有原料在称量配料前均置于烘箱中烘干；（2）准确称量后，以无水乙醇为介质球磨；（3）将球磨后产物取出，烘干，预烧；（4）以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯固相烧结，在烧结体中获得碱金属铌酸盐微纳米线。本发明的优点是可采用传统陶固相烧结法获得碱金属铌酸盐微纳米线。

公开(公告)号：CN106631016A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611181176.7

申请日：2016-12-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  严亚飞 ,  郝崇琰 ,  李林 ,  饶光辉 ,  顾正飞 ,  成钢 ,  刘心宇

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明提供一种铌酸钾钠体系纳米线以Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Nb2O5、Bi2O3为原料，按照化学式99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3进行配料。其制备方法包括：（1）所有原料在称量配料前均置于烘箱中烘干；（2）准确称量后，以无水乙醇为介质球磨；（3）将球磨后产物取出，烘干，预烧；（4）以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯固相烧结，在烧结体中获得铌酸钾钠体系纳米线。本发明的优点是可采用传统陶固相烧结法获得铌酸钾钠基纳米线。

公开(公告)号：CN103880415B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201410064074.1

申请日：2014-02-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘飞 ,  杨涛 ,  陈国华 ,  杨云 ,  周昌荣 ,  刘心宇

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低损耗高介电微波陶瓷，其组成通式为：Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3，其中：0≤x≤0.1，0.6≤y≤0.7，符号M和E均为La,Sm,Nd,Dy,Gd稀土元素中的一种。实现方法为先合成Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3粉体，把所得粉体加入聚乙烯醇混合均匀并压制成圆柱状坯体，然后在1350~1500℃保温4小时进行高温烧结成瓷，即可得到低损耗高介电Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3微波陶瓷。相对于CaTiO3微波陶瓷，该微波陶瓷介电常数高、谐振频率温度系数更小、损耗更低，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr介于150~180，谐振频率温度系数τf介于300~450ppm/℃，品质因子与谐振频率的乘积Qf介于6500~12000GHz。

公开(公告)号：CN103880415A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410064074.1

申请日：2014-02-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘飞 ,  杨涛 ,  陈国华 ,  杨云 ,  周昌荣 ,  刘心宇

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低损耗高介电微波陶瓷，其组成通式为：Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3，其中：0≤x≤0.1，0.6≤y≤0.7，符号M和E均为La,Sm,Nd,Dy,Gd稀土元素中的一种。实现方法为先合成Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3粉体，把所得粉体加入聚乙烯醇混合均匀并压制成圆柱状坯体，然后在1350~1500℃保温4小时进行高温烧结成瓷，即可得到低损耗高介电Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3微波陶瓷。相对于CaTiO3微波陶瓷，该微波陶瓷介电常数高、谐振频率温度系数更小、损耗更低，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr介于150~180，谐振频率温度系数τf介于300~450ppm/℃，品质因子与谐振频率的乘积Qf介于6500~12000GHz。

公开(公告)号：CN101747038B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200910114460.6

申请日：2009-09-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  刘心宇 ,  邓满姣 ,  唐焕丽

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高性能的K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-BiScO3无铅压电陶瓷，它是在K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3中添加BiScO3经传统陶瓷烧结工艺制成，组成通式为(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiSbO3-yBiScO3，式中x、y表示陶瓷体系中摩尔含量，其中0＜x≤0.1，0＜y≤0.01。通过选择适当的x、y值及在烧结时，以120℃/h的升温速度到500℃保温2h，再以120℃/h的升温速度到1060～1150℃保温1～9h烧结。烧结后，随炉冷却至室温。得到的无铅压电陶瓷的压电常数d33突破300pC/N，平面机电耦合系数kp可达0.52以上，机械品质因素Qm可达54.00，常温下介电常数εr可达1742，介电损耗(tanθ)低于2.5％。

公开(公告)号：CN102964119A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210470746.X

申请日：2012-11-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  冯琴 ,  刘心宇 ,  陈国华 ,  洛颖 ,  周昌荣

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法，它是先合成(1-x)BiFeO3-xMeMO3粉体，再不掺入或掺入少量SiO2，经压制成型、烧结制成掺SiO2的(1-x)BiFeO3-xMeMO3热敏陶瓷材料。本发明制备的可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料，烧结温度低于950℃且性能稳定，性能测试表明能够获得较好的综合热敏性能：热敏常数β25/85大于5000K，室温电阻率ρ25小于106Ω·cm，老化率η低于5%。制备过程采用传统的陶瓷固相烧结制备工艺，采用工艺相对简单、稳定，因而具有较高的实用性和推广应用前景。

公开(公告)号：CN102020320B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201010617093.4

申请日：2010-12-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 黄思玉 ,  刘心宇

IPC: C01G51/00

Abstract: 本发明为一种二硫化钴的合成方法，步骤如下：取一定量的金属钴粉置于一个一端封闭、中部弯曲的石英管中；在石英管另一端装入一个事先压紧硫磺粉末的且一端封闭的小石英管，所述硫磺用量为理论用量的1-1.5倍；将上述石英管高温真空封闭，然后将该石英管置于管式扩散炉中，金属钴粉端在450~700℃，硫磺端在200~440℃条件下热处理5~50小时；冷却至室温后粉碎至200目，得钴硫化合物粗制品；将初步所得到的钴硫化物粗制品，置于一根新的一端封闭、中部弯曲的石英管中，重复上述步骤,冷却至室温，即得到二硫化钴。经过二次硫化处理得到的二硫化钴纯度大于99%。本发明方法相对于现有技术更安全、环保、快速，并可以较大量并安全地制备二硫化钴，降低生产成本。

公开(公告)号：CN101402523B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200810073872.5

申请日：2008-10-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  黄晋 ,  袁昌来 ,  杨华斌

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种复相NTC热敏陶瓷材料及其制备方法，它以BaCO3、SnO2和Bi2O3为主要原料，预先固相合成BaSnO3及BaBiO3坯料，二次混合球磨BaSnO3和BaBiO3坯料或在此混合坯料中掺杂微量Sb2O3和稀土元素氧化物后二次球磨，采用普通陶瓷制备工艺，在1100～1300℃下烧结成型。性能测试表明，本发明的复相NTC热敏陶瓷B值可以达到5000K以上，室温电阻率可降至200Ω·m。本发明制备工艺简单，物料损耗小，成本较低，所得产品可应用于测温、控温、自动增益调整、温度补偿等方面。

公开(公告)号：CN101200369B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200710049650.5

申请日：2007-07-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  刘心宇

IPC: C04B35/462 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明公开了钛铌锌酸铋钠系无铅压电陶瓷材料及其制备方法，它是在ABO3型钙钛矿结构的(Na1/2Bi1/2)TiO3中B位离子Ti4+被复合离子(Zn1/3Nb2/3)4+部分取代构成的无铅压电陶瓷，可以用通式(Na1/2Bi1/2)Ti1-x(Zn1/3Nb2/3)xO3+zMaOb来表示，其中MaOb为一种或多种氧化物。该体系压电陶瓷采用两步合成法，经烧结得到。本发明无铅压电陶瓷，烧结温度低，节能，对烧结设备要求低，陶瓷致密度高，耐热性好，性能优良，其压电常数d33可达120pC/N以上，kt可达0.50以上，kp在0.20以下，具有较强的各向异性，且制备工艺简单、稳定，适合产业化生产。