公开(公告)号：CN101402523B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200810073872.5

申请日：2008-10-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  黄晋 ,  袁昌来 ,  杨华斌

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种复相NTC热敏陶瓷材料及其制备方法，它以BaCO3、SnO2和Bi2O3为主要原料，预先固相合成BaSnO3及BaBiO3坯料，二次混合球磨BaSnO3和BaBiO3坯料或在此混合坯料中掺杂微量Sb2O3和稀土元素氧化物后二次球磨，采用普通陶瓷制备工艺，在1100～1300℃下烧结成型。性能测试表明，本发明的复相NTC热敏陶瓷B值可以达到5000K以上，室温电阻率可降至200Ω·m。本发明制备工艺简单，物料损耗小，成本较低，所得产品可应用于测温、控温、自动增益调整、温度补偿等方面。

公开(公告)号：CN101402523A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810073872.5

申请日：2008-10-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  黄晋 ,  袁昌来 ,  杨华斌

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种复相NTC热敏陶瓷材料及其制备方法，它以BaCO3、SnO2和Bi2O3为主要原料，预先固相合成BaSnO3及BaBiO3坯料，二次混合球磨BaSnO3和BaBiO3坯料或在此混合坯料中掺杂微量Sb2O3和稀土元素氧化物后二次球磨，采用普通陶瓷制备工艺，在1100～1300℃下烧结成型。性能测试表明，本发明的复相NTC热敏陶瓷B值可以达到5000K以上，室温电阻率可降至200Ω·m。本发明制备工艺简单，物料损耗小，成本较低，所得产品可应用于测温、控温、自动增益调整、温度补偿等方面。

公开(公告)号：CN101402522A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810073871.0

申请日：2008-10-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  杨华斌 ,  黄晋 ,  袁昌来

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种新型锡酸钡基导电陶瓷材料及其制备方法，它是在易于半导体化的BaSnO3中添加锑的氧化物，实现施主掺杂，采用传统陶瓷制备工艺，形成导电陶瓷，其成分可以用通式BaSbxSn1－xO3来表示，其中0＜x≤0.2。这种陶瓷材料成本低、导电性好、化学性能稳定、电阻率稳定、耐高温。常温电阻率可达1.0Ω·cm以下。而且制备工艺简单、稳定、实用性强。