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公开(公告)号：CN103681318A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210345828.1
申请日：2012-09-18
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/66143 , H01L21/76202 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开一种使用硅的选择氧化技术制造结势垒肖特基二极管的方法，使用LOCOS（硅的局部氧化）氧化硅的形成，把注入的杂质离子的扩散范围有效的局限在LOCOS氧化硅区域之间，从而有效减少PN结的P区域或N区域横向（水平方向）的扩散的范围，因而减少了P区域或N区域横向扩散所占用的肖特基介面，因此肖特基介面的面积可以得到充分的利用，同时将有效的肖特基势垒界面弯曲成曲面从而增加导电面积，补偿异型小岛占用的面积，因而提升了势垒结肖特基二极管正向通电的功能及效率。
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公开(公告)号：CN103515245A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310460632.1
申请日：2013-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L29/0642 , H01L29/66666 , H01L29/7827
Abstract: 本发明公开一种基于高能离子注入方式的通道分压场效应管及生产方法，利用高能离子注入设备进行渐深注入，再通过扩散制作一N型通道连接沟道与漏极，N型通道所形成的类T形结构也是3D结构，PN之间形成空乏区从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，这样可以大幅提高这个区域的耐压，从而可以增加N通道的掺杂浓度，进而又起到降低导通电阻的作用；同时，上述结构中栅极底部与漏极之间由P外延阻隔，从而使栅极底部与漏极之间的电容基本为零；并且通道与沟道的接触部分较小，可以大幅消除栅极和漏极之间的电容，综合前述两方面的改进，可以大幅减少栅极开关时的充、放电时间（Qgd可以大幅降低），从而提高了MOS管的开关速度。
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公开(公告)号：CN106180007A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610791281.6
申请日：2016-08-31
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种测试分选机用的可拆卸电磁铁，包括电磁铁本体，设于电磁铁本体中心处的推拉杆，所述电磁铁本体包括滑动轴承、内套、线圈、外套，所述电磁铁本体的两端设有端盖，所述端盖通过连接件与电磁铁本体连接。本发明结构简单、易于制造，通过连接件连接，可拆卸进而单独更换滑动轴承，减少维修成本，从而降低生产成本；采用硅化石墨材料制成的滑动轴承，具有摩擦系数小、耐磨损、润滑效果好、使用寿命长等优点，避免吸嘴掉料，分选机的生产效率高，值得广泛推广。
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公开(公告)号：CN105253954A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510726910.2
申请日：2015-10-29
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: C02F1/42 , C02F103/04
Abstract: 本发明公开一种制纯水装置，包括第一和第二离子交换树脂塔，两个离子交换树脂塔的顶部均设有两个进水口、底部均设有两个出水口，第一离子交换树脂塔的出水口、进水口分别与第二离子交换树脂塔的进水口、出水口串联连接。本发明结构简单、易于实现，将两个离子交换树脂塔进行串联连接，延长离子交换树脂塔再生后纯水使用寿命和树脂延长使用年限，有效节约再生使用酸碱材料，制备的纯水水质高；同时水与树脂的有效接触面大、填料的传质效率高、塔内液体的均匀分布等特点，值得广泛推广。
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公开(公告)号：CN105188335A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510639912.8
申请日：2015-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H05K13/04
Abstract: 本发明公开了一种消除贴片机热应力装置，包括轨道、运行于轨道上的铜框架以及架设于轨道上的加温区域，还包括安装设置在轨道尾部上的延长轨道，该延长轨道与轨道处于同一水平面上形成冷却区域。本发明能有效减少芯片内部应力，不会出现芯片上层与粘在框架的下层开裂分离现象，同时芯片测试参数得到明显改善，产品不良品明显减少，有效的提高生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104989884A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510404648.X
申请日：2015-07-10
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: F16L3/20
CPC classification number: F16L3/20
Abstract: 本发明公开了一种防止液压快速接头磨损的缓冲块，包括缓冲块块体，该缓冲块块体用于安装在与油管相连接的快速接头处，所述缓冲块块体的上端开设有U形槽，所述U形槽的开设方向与快速接头的轴向方向相一致，所述U形槽槽体的大小与快速接头相适配。本发明通过在缓冲块块体的上端开设有U形槽，该U形槽能够支撑、并且能牢固地扣住快速接头，有效的缓冲了由于油管振动而导致快速接头的振动，减少了快速接头振动产生的磨损，提高了快速接头的使用寿命，降低了设备维护的成本。
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公开(公告)号：CN104299906A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310305389.6
申请日：2013-07-19
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L29/0688 , H01L29/7827
Abstract: 本发明公开一种掩埋式势垒分压场效应管及其生产方法，其在外延层上根据耐压的需要确定向下挖槽的深度，提前掩埋分压势垒，并以与栅极相似的网格结构连接到源极，分两层制作高压功率场效应器件，当源极（Source）和漏极（Drain）有电压（不导通）时，掩埋的势垒之间形成耗尽层（在两者之间形成空乏区），起到耐压的作用。同时，上述结构中掩埋分压势垒和上面的沟槽的栅极（Gate）形成耗尽层（在两者之间形成空乏区），可以大幅消除Gate和Drain之间的电容，可以大幅减少Gate开关时的充电时间（Qg可以大幅降低），从而提高了MOS管的开关速度。
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公开(公告)号：CN103681781A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210346537.4
申请日：2012-09-18
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0646
Abstract: 本发明公开一种掩埋PN结势垒肖特基二极管，其通过在原有硅外延层的上方增设一层附加硅外延层，这样有多个掩埋体掩埋在附加外延表面以下，形成多个隔离的PN结，在反向电压的情况下，这些PN结形成的空泛层会防护肖特基势垒介面而减低反向电压的电场影响，因而减少反向电压增加对反向漏电变大的负面效应，并且肖特基势垒介面也保持其原先的面积，在正向电压情况下，可以保持其正向电流导通的功能及效率。
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公开(公告)号：CN111554654A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010548519.9
申请日：2020-06-16
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种半导体集成晶体管封装结构，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体，所述塑封体上开设有供半导体集成晶体管的引脚引出的引脚孔，所述塑封体的前、后长度为2.9毫米，左、右宽度为1.65毫米，上、下高度为0.9毫米；一个居中引脚孔和两个前、后引脚孔分别于塑封体上左、右开设，六个引脚孔分别于塑封体上左、右对称开设，引脚孔的开设位置距离塑封体底部的高度为塑封体高度的1/3。本发明从外部尺寸上对封装结构进行了改进，既能够提高产品的宽度及表面积以确保产品在功耗方面的优势，又能够减少产品特别是接触PCB面板的厚度来提高产品的散热效率和耗散功率。
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公开(公告)号：CN104879495B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510288894.3
申请日：2015-05-29
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: F16J15/16
Abstract: 本发明公开了一种测试分选打印编带机的真空密封装置，包括开有沟槽的空心轴以及套设在空心轴外壁的轴套，所述空心轴上开有轴向压缩空气孔、径向压缩空气孔和径向真空通孔，所述径向压缩空气孔与沟槽、轴向压缩空气孔连通，且其出气口装有喷嘴；所述径向真空通孔与轴通孔、沟槽连通，所述轴套上开有与径向压缩空气孔对应的轴套通孔；其中，所述轴套内壁上、轴套通孔两侧设有耐磨环。本发明通过在空心轴和轴套内壁之间设有耐磨环，当耐磨环磨损后，仅需要更换磨损的耐磨环，整个轴套即可重复使用，大大降低了设备的维修成本。
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