公开(公告)号：CN113366380A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201980090616.3

申请日：2019-12-06

Applicant: 株式会社V技术 ,  夏普株式会社

Inventor： 吉田祐治 ,  池田聪 ,  新井敏成 ,  片山崇 ,  花冈一孝

IPC: G02F1/1337

Abstract: 本发明的课题在于提供一种光取向曝光装置，进行稳定地形成预倾角的倾斜曝光法，该光取向曝光装置中，能够使用廉价的散射光源(体积光源)，并且即使为紧凑的形态也能够进行均匀的光照射。本发明的光取向用曝光装置(1)，对成为光取向膜的被照射面进行偏振扫描曝光，其具备：光源(2)，朝向被照射面射出散射光；光学滤波器(3)，在从光源(2)射出的光中选择性地射出光取向膜的感光波长；及光限制部件(4)，将通过了光学滤波器(3)的光限制成在扫描方向(X)的前后方向上非对称，光学滤波器(3)具有如下波长透射特性：通过沿扫描方向(X)的照射角度相对于被照射面的法线方向为设定角度(θs)以上的倾斜曝光，感光波长的光的透射率成为峰值。

公开(公告)号：CN111279270A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201880070461.2

申请日：2018-11-22

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 新井敏成 ,  竹下琢郎

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供一种曝光装置及曝光方法，该曝光装置将对形成于被曝光基板的已有基准图案进行拍摄后的基准图案数据与光掩模的基准位置部数据进行比较，检测宽度方向上光掩模的偏移量，计算出光掩模的暂定移动量，预先存储被曝光基板或光掩模的偏转状态变化的装置固有的偏转特性数据，并基于偏转特性数据，进行对光掩模移动量施加补正的控制。

公开(公告)号：CN107407888A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680010209.3

申请日：2016-02-17

Applicant: 株式会社V技术 ,  夏普株式会社

Inventor： 吉田祐治 ,  松本峰征 ,  新井敏成 ,  田中茂树 ,  片寄敬太 ,  铃木英幸 ,  神户诚

IPC: G03F7/20 ,  G02F1/1337

CPC classification number: H04N1/0282 ,  G03F1/88 ,  H04N1/40056 ,  H04N1/401

Abstract: 本发明提供一种扫描曝光装置。为了改善扫描曝光装置的生产节拍时间并提高吞吐量，在进行光源的高照度化和扫描速度的高速化时，防止在基板的端部附近的曝光不均。扫描曝光装置(1)具备：载物台(2)，在与载物台表面(2A)之间设置间隙(2S)而支撑基板(W)；光源单元(3)，向沿基板(W)上的一方向延伸设置的光照射区域(3L)照射光；及扫描装置(4)，使载物台(2)与光源单元(3)的一方或双方沿与一方向交叉的扫描方向(S)相对移动，在扫描装置(4)中设置有从载物台(2)及光源单元(3)静止的位置直至被载物台(2)支撑的基板(W)进入到光照射区域(3L)的加速区间(F)，载物台(2)在其端部具备覆盖载物台表面(2A)与基板(W)之间的间隙(2S)的遮光体(20)。

公开(公告)号：CN103081060B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180042029.0

申请日：2011-07-26

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  新井敏成

IPC: H01L21/027 ,  G02B3/00 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F1/42 ,  G02B3/0056 ,  G02B3/0068 ,  G03F1/38 ,  G03F9/7038 ,  G03F9/7096

Abstract: 本发明提供一种能够防止异物进入到微透镜阵列与基板之间并且能够防止由于基板的异常接近和上述异物导致对微透镜造成伤痕的曝光装置和光学构件。在透明基板（1）的上方配置有形成了多个微透镜（3a）的微透镜阵列（3），该微透镜阵列（3）在其端面（6）与掩模（4）接合。在掩模（4），在微透镜阵列（3）的两侧接合有对准标记台（12），在该对准标记台（12）的与基板（1）的相向面形成有对准标记（11）。对准标记台（12）与基板（1）之间的间隔小于微透镜阵列（3）与基板（1）的间隔。

公开(公告)号：CN103314328B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201180064668.7

申请日：2011-10-24

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 新井敏成 ,  桥本和重

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/20 ,  G03B27/10 ,  G03F7/70791 ,  G03F9/00 ,  Y10S430/146

Abstract: 在膜基材（20）上的曝光图案形成用区域形成有曝光材料膜（21）的膜（2）中，在其宽度方向上的两侧缘部的至少一方涂敷有色的烧结材料、有色的光固化性材料或有色的墨水而形成侧部涂敷膜（22），通过定位标记形成部（14）照射激光而形成定位标记（2a），使用该定位标记（2a）检测膜曲折，调整掩模（12）的位置。由此，在对膜基材上的曝光图案形成区域形成有曝光材料膜的膜进行连续曝光时，定位标记的形成及形成的定位标记的检测容易，能高精度地校正膜的曲折，能稳定地进行曝光。

公开(公告)号：CN103140804B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201180048221.0

申请日：2011-09-12

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  畑中诚 ,  新井敏成

IPC: G03F7/20 ,  G02B3/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G02B3/0037 ,  G02B3/0062 ,  G02B26/0875 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/70275

Abstract: 扫描曝光装置通过多个微透镜阵列（2），将掩模（3）的曝光图案投影于衬底（1）上。此时，通过线性CCD相机检测衬底上的图像，将衬底上的第一层图案作为基准图案，检测掩模的曝光图案是否与该基准图案一致。不一致时，使微透镜阵列从平行于衬底的方向倾斜，调整由微透镜阵列形成的衬底上的曝光区域，使掩模的曝光图案与基准图案一致。由此，即使产生曝光图案与基准图案的偏移，也能在曝光中检测该偏移，防止曝光图案的错位，能够提高重叠曝光中的曝光图案的精度。

公开(公告)号：CN104412152A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380034672.8

申请日：2013-03-29

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  桥本和重 ,  新井敏成

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/13

CPC classification number: G02F1/133788 ,  G02F1/133753 ,  G02F2001/133757

Abstract: 本发明提供一种光取向曝光方法及光取向曝光装置。将取向曝光方式适用于多域法时，消除单位图像区域的分割区域的边界附近的取向混乱。一种光取向曝光方法，其将液晶显示元件的各单位图像区域(Pa)分割为多个分割区域(Da1、Da2)，并分别向不同方向对各分割区域(Da1、Da2)的取向材料膜进行光取向，所述光取向曝光方法具有：第1曝光工序，相对于整个单位图像区域(Pa)的被曝光面以倾斜的光照射角度(θ1)照射光；及第2曝光工序，相对于分割区域(Da1、Da2)中的一个区域即第2分割区域(Da2)，用以与第1曝光工序中的光照射角度(θ1)不同的角度倾斜的光照射角度(θ2)照射光。第2曝光工序经由与分割区域(Da1、Da2)中的一个区域即第2分割区域(Da2)对应的掩模图案照射光，通过聚光机构(13)对掩模图案的透射光进行聚光并照射于所曝光的第2分割区域(Da2)。

公开(公告)号：CN104395831A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380034890.1

申请日：2013-03-29

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 桥本和重 ,  新井敏成 ,  富冢吉博

IPC: G03F7/20 ,  F21S2/00 ,  F21V19/00 ,  H01L21/027 ,  F21Y103/00

CPC classification number: G03F7/201 ,  G03F7/2004

Abstract: 本发明提供一种曝光装置，其使用多个短尺寸灯作为光源，并能够以简单的结构进行照度不均较低的曝光。提供一种可轻松更换灯的曝光装置。曝光装置(100)具有：搬送部(2)，向搬送方向搬送被曝光体(11)；及光照射部(3)，在水平面内以规定间隔排列配置有具备长边方向的长度比被曝光体(11)短的棒状光源(32)及配置于光源(32)与被曝光体(11)之间的偏光器(34)的多个光照射单元(31)，光照射单元(31)配置成光源(32)及偏光器(34)相对于被曝光体(11)平行，且各偏光器(34)的偏振轴的方向相对于搬送方向设定为规定方向，各光源(32)配置成光源(32)的长边方向相对于搬送方向平行或成为倾斜方向。曝光装置(100)具有摆动机构(56b)，所述摆动机构使被曝光体(11)或光照射部(3)向相对于搬送方向交叉的方向摆动。

公开(公告)号：CN115461833A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180029913.4

申请日：2021-05-31

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  新井敏成 ,  松本隆德 ,  竹下琢郎

IPC: H01J37/18 ,  H01J37/16 ,  H01J37/28 ,  H01J37/305 ,  H01J37/317 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 差动排气装置将处理用空间设为高真空度，其中，所述差动排气装置具备：位移驱动部，其能够使头部或被处理基板进行位移来调整被处理面与所述头部的对置面的平行度及距离；间隙测定部，其沿着所述头部的所述对置面的周缘分别配置在至少三个部位以上，能够检测所述对置面与所述被处理面之间的距离；以及间隙控制部，其基于所述间隙测定部检测出的所述对置面与所述被处理面之间的距离信息来控制所述位移驱动部，以使得所述对置面与所述被处理面隔开规定的距离而成为平行。

公开(公告)号：CN110998795A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880051904.3

申请日：2018-07-27

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  畑中诚 ,  新井敏成

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一个实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其向被覆于基板上的非晶硅薄膜的规定的区域照射激光；及投影掩模图案，其设置在投影透镜上，并设有多个开口部以对于非晶硅薄膜的规定的区域照射激光，投影透镜经由投影掩模图案而对于沿规定的方向移动的基板上的非晶硅薄膜的规定的区域照射激光，投影掩模图案在与移动的方向正交的一列中，至少相邻的开口部的面积互不相同。