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公开(公告)号：CN113421918B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202110539770.3
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/417 , H01L29/08
Abstract: 本发明提供一种能够维持较高的线性效率以及较高的线性输出的异质结双极晶体管。HBT的集电极层包含高浓度集电极层和配置于其上的低浓度集电极层。低浓度集电极层包含随着远离基极层而能带隙变窄地变化的渐变集电极层。基极层的半导体材料的电子亲和力比渐变集电极层的能带隙最大的位置处的半导体材料的电子亲和力大，它们的差为0.15eV以下。渐变集电极层具有在使电场强度变化时，在某个电场强度下电子的移动速度示出峰值的特性。由渐变集电极层的能带隙的变化引起而作用于电子的伪电场的强度是电子的移动速度示出峰值的电场强度亦即峰值电场强度的0.3倍以上1.8倍以下。
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公开(公告)号：CN113285681B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110171481.2
申请日：2021-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F1/52
Abstract: 本发明提供高频功率放大元件，能够提高输入信号的振幅增大时的击穿耐压。在基板上配置有前级的第一放大电路、后级的第二放大电路、接地用外部连接端子。第一以及第二放大电路分别包括多个双极晶体管、以及与多个双极晶体管分别对应地配置的电容元件以及电阻元件。多个双极晶体管分别包括相互分离的高频用的第一基极电极以及偏置用的第二基极电极。第二放大电路的双极晶体管的发射极电极与接地用外部连接端子连接。在第二放大电路的多个双极晶体管中的至少一个双极晶体管中，第一基极电极与发射极台面层之间的最小间隔宽于第一放大电路的双极晶体管的第一基极电极与发射极台面层之间的最小间隔。
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公开(公告)号：CN110610988B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201910514927.X
申请日：2019-06-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/417 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够增大过渡电压而将SOA扩大的半导体装置。配置于基板之上的集电极层、基极层、以及发射极层构成双极晶体管。发射极电极与发射极层进行欧姆接触。发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状。发射极层跟发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面与发射极层间的在发射极层的长边方向上的尺寸差大于发射极层与欧姆接触界面间的在发射极层的宽度方向上的尺寸差。
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公开(公告)号：CN113543458B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202110399315.8
申请日：2021-04-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H05K1/02 , H05K1/18 , H01L23/367 , H03F3/213
Abstract: 本发明提供能够将放大IC稳定地安装于模块基板，并且能够提高从放大IC向模块基板的散热性的放大模块。安装于层叠基板的放大IC具备输入端子、输出端子及共用端子。层叠基板具备基板侧的共用端子、输入端子及输出端子。这些端子经由凸块与元件侧的对应的端子连接。在层叠基板的下表面，在俯视时与共用端子重叠的位置配置有下表面共用端子。从共用端子朝向下表面共用端子依次配置有第一、第二、第三共用导通孔导体。在基板侧的输入端子连接有输入导通孔导体。第一共用导通孔导体的俯视时的面积比第二、第三共用导通孔导体以及输入导通孔导体中的任何一个的俯视时的面积大。共用端子的凸块的俯视时的面积比输入端子的凸块的俯视时的面积大。
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公开(公告)号：CN109671769B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201811122861.1
申请日：2018-09-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/201 , H01L29/737
Abstract: 本发明涉及异质结双极晶体管。本发明提供一种能够抑制HBT的输入输出特性的线性度降低的HBT。在基板上层叠有集电极层、基极层以及发射极层。集电极层包含渐变型半导体层，该渐变型半导体层的电子亲和力从接近基极层的侧朝向远离基极层的侧增大。基极层的接近集电极层的侧的界面上的电子亲和力与渐变型半导体层的接近基极层的侧的界面上的电子亲和力相等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113285681A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110171481.2
申请日：2021-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F1/52
Abstract: 本发明提供高频功率放大元件，能够提高输入信号的振幅增大时的击穿耐压。在基板上配置有前级的第一放大电路、后级的第二放大电路、接地用外部连接端子。第一以及第二放大电路分别包括多个双极晶体管、以及与多个双极晶体管分别对应地配置的电容元件以及电阻元件。多个双极晶体管分别包括相互分离的高频用的第一基极电极以及偏置用的第二基极电极。第二放大电路的双极晶体管的发射极电极与接地用外部连接端子连接。在第二放大电路的多个双极晶体管中的至少一个双极晶体管中，第一基极电极与发射极台面层之间的最小间隔宽于第一放大电路的双极晶体管的第一基极电极与发射极台面层之间的最小间隔。
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公开(公告)号：CN112582399A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011063884.7
申请日：2020-09-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制集电极电流或漏极电流的路径的寄生电感或寄生电阻的增加的半导体装置。在基板配置有两列的晶体管列。两列的晶体管列的每列晶体管列由在第一方向上排列的多个晶体管构成，两列的晶体管列在与第一方向正交的第二方向上隔开间隔配置。在俯视时，在两列的晶体管列之间的区域配置有第一布线。第一布线与两列的晶体管列的多个晶体管的集电极或者漏极连接。在俯视时第一凸块与第一布线重叠，且配置在两列的晶体管列之间，并与第一布线连接。
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公开(公告)号：CN111683471A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010161392.5
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供多层布线基板，能够抑制晶体管的工作区域的温度上升上的偏差。在多层布线基板的覆盖最上方的导体层的导体图案的保护膜上，设置有使导体图案的局部暴露的在一个方向上较长的开口。第1通路导体从最上方的导体图案向下方延伸，至少到达第2层的导体图案。第2通路导体从第2层或者第3层的导体图案向下方延伸，到达至少向下1层的导体图案。在俯视时，第1通路导体与开口局部重叠。多个第2通路导体中的至少2个第2通路导体配置在隔着开口的位置。隔着开口的多个第2通路导体中，从配置在开口的一侧的第2通路导体到开口为止的最窄的间隔与从配置在另一侧的第2通路导体到开口止的最窄的间隔之差小于从多个第2通路导体到开口止的最窄的间隔。
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公开(公告)号：CN109671769A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811122861.1
申请日：2018-09-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/201 , H01L29/737
Abstract: 本发明涉及异质结双极晶体管。本发明提供一种能够抑制HBT的输入输出特性的线性度降低的HBT。在基板上层叠有集电极层、基极层以及发射极层。集电极层包含渐变型半导体层，该渐变型半导体层的电子亲和力从接近基极层的侧朝向远离基极层的侧增大。基极层的接近集电极层的侧的界面上的电子亲和力与渐变型半导体层的接近基极层的侧的界面上的电子亲和力相等。
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公开(公告)号：CN108461540A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810153959.7
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/205 , H01L29/66242
Abstract: 本发明提供一种能够维持较高的线性效率以及较高的线性输出的异质结双极晶体管。HBT的集电极层包含高浓度集电极层和配置于其上的低浓度集电极层。低浓度集电极层包含随着远离基极层而能带隙变窄地变化的渐变集电极层。基极层的半导体材料的电子亲和力比渐变集电极层的能带隙最大的位置处的半导体材料的电子亲和力大，它们的差为0.15eV以下。渐变集电极层具有在使电场强度变化时，在某个电场强度下电子的移动速度示出峰值的特性。由渐变集电极层的能带隙的变化引起而作用于电子的伪电场的强度是电子的移动速度示出峰值的电场强度亦即峰值电场强度的0.3倍以上1.8倍以下。
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