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公开(公告)号：CN104094374B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201380007943.0
申请日：2013-02-18
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/20 , G01N1/28 , H01J37/30 , H01L21/302
CPC classification number: C23C14/30 , G01N1/32 , H01J37/20 , H01J37/30 , H01J37/3053 , H01J37/3056 , H01J2237/317 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749 , H01J2237/334
Abstract: 本发明的目的在于提供构造简单且能够设定高精密的加工范围的离子铣削装置。为了实现所述目的，提出了一种离子铣削装置，该离子铣削装置包括试样保持架，该试样保持架保持试样和对朝向该试样的离子束的照射的一部分进行限制的掩膜，该试样保持架包括：第一接面，其与位于所述离子束的通过轨道侧的试样的端面接触；以及第二接面，其以使所述掩膜位于比该第一接面远离所述离子束的位置的方式与所述掩膜的端面接触。
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公开(公告)号：CN103635987B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201280032123.2
申请日：2012-04-25
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/20 , B23K15/00 , G01N1/28 , G01N23/225
CPC classification number: H01J37/3005 , G01N1/286 , G01N1/32 , H01J37/16 , H01J37/20 , H01J37/3056 , H01J2237/31 , H01J2237/31745
Abstract: 本发明提供一种无需在带电粒子线装置中另行设置别的装置且在真空状态下进行试料的加工、观察、追加加工的装置以及方法。在带电粒子线装置的真空室内配置填充有离子液体的液池和超声波振动单元，并在离子液体和试料的加工对象区域接触的状态下，使超声波振动向离子液体中传播而加工试料。无需在带电粒子线装置另行设置别的装置且能够在真空状态下进行试料的加工、观察、追加加工，因此提高生产量并且防止空气的影响。
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公开(公告)号：CN103180929A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051255.5
申请日：2011-11-02
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/20 , H01J37/16 , H01J37/30 , H01J37/305
CPC classification number: H01J37/3053 , H01J37/20 , H01J37/3005 , H01J37/3007 , H01J37/304 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/26
Abstract: 本发明提供一种可在同一真空腔内进行剖面加工与平面加工双方的离子铣削装置。为实现该目的，提出一种离子铣削装置，其具备在真空腔内配置、且具有平行于与离子束正交的第一轴的倾斜轴的倾斜工作台，其中，离子铣削装置具备驱动机构和切换部，驱动机构具有平行于与第一轴正交的第二轴的旋转轴以及倾斜轴，且使试料旋转或者倾斜，切换部对如下两个状态进行切换，其一是一边使倾斜工作台倾斜，一边使支承台旋转或者往复倾斜，从而照射离子束的状态，其二是使倾斜工作台成为非倾斜状态，并且使支承台往复倾斜，从而照射离子束的状态。
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公开(公告)号：CN112585714B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN201880096759.0
申请日：2018-08-31
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/30
Abstract: 本发明提供一种能够提高离子分布的再现性的离子研磨装置。离子研磨装置具有：离子源(1)；试样台(2)，其载置通过照射来自离子源(1)的非聚焦离子束而被加工的试样(4)；以及驱动单元(8)，其配置在离子源(1)与试样台(2)之间，且使在第一方向上延伸的线状的离子束测定部件(7)在与第一方向正交的第二方向上移动，在从离子源(1)以第一照射条件输出离子束的状态下，通过驱动单元(8)使离子束测定部件(7)在离子束的照射范围内移动，通过向离子束测定部件(7)照射离子束来测定流过离子束测定部件(7)的离子束电流。
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公开(公告)号：CN108475607B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201680077768.6
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/20 , H01J37/305
Abstract: 提案了一种在由加工装置加工分析试料后不从试料支架取下该分析试料就能用观察装置进行观察的侧入方式试料支架。该试料支架具备：把持部(34)；从把持部(34)延伸的试料支架主体(35)；与试料支架主体(35)连接并设有用于固定试料(203)的试料台(204)的前端部(32)；以及用于变更固定于试料台(204)的试料(203)的加工面与离子束的照射方向的相对位置关系，避免在试料(203)加工过程中对前端部(32)照射离子束的机构(参照图3)。
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公开(公告)号：CN107949899B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201580082721.4
申请日：2015-09-25
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/305 , H01J27/04 , H01J37/08
Abstract: 为了提供能抑制从电子显微镜镜筒放出的观察用电子束的轨道移位的离子铣削装置，离子铣削装置具备：包含永久磁铁(114)并产生加工样品的离子的潘宁放电方式的离子枪(100)；和用于观察样品的扫描电子显微镜，在该离子铣削装置中设置用于减少从永久磁铁(114)向电子显微镜镜筒的泄漏磁场的磁屏蔽(172)。
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公开(公告)号：CN105264632A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480032691.1
申请日：2014-04-28
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01J37/20 , G01K1/14 , G01N1/32 , H01J37/30 , H01J37/3002 , H01J37/3023 , H01J37/3053 , H01J2237/002 , H01J2237/026 , H01J2237/08 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01J2237/20271 , H01J2237/20285 , H01J2237/317
Abstract: 本发明的目的在于提供离子碾磨装置，能够在将离子束照射至试样并进行加工的离子碾磨装置中，与照射离子束时的试样的变形等无关地，高精度地进行试样的温度控制，例如提出有如下离子碾磨装置的方案，具有支撑将上述试样的一部分暴露于上述离子束并将该试样相对于离子束遮蔽的遮蔽件的遮蔽件支撑部件、和控制该遮蔽件支撑部件与上述试样台的至少一方的温度的温度控制机构，具备在上述离子束的照射中使上述试样台的与试样的接触面追随上述试样的变形而移动的移动机构、和配置在上述遮蔽件与试样之间并在上述离子束的照射中追随上述试样的变形而变形的试样保持部件中的至少一个。
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公开(公告)号：CN105047511A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510292799.0
申请日：2011-11-02
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01J37/3053 , H01J37/20 , H01J37/3005 , H01J37/3007 , H01J37/304 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/26
Abstract: 本发明提供一种可在同一真空腔内进行剖面加工与平面加工双方的离子铣削装置。为实现该目的，提出一种离子铣削装置，其具备：离子源，其安装在真空腔内，向试料照射离子束；以及倾斜工作台，其具有相对于该离子源放出的离子束的照射方向垂直的方向的倾斜轴，其特征在于，所述离子铣削装置具备：旋转体，其设置在所述试料工作台上，且具有与所述倾斜轴正交的旋转倾斜轴；以及加工观察用开口，其设置在所述真空腔的壁面上，且设置在与由所述倾斜轴和所述离子束的照射轨道所成的平面正交的方向上。
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公开(公告)号：CN104094374A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380007943.0
申请日：2013-02-18
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/20 , G01N1/28 , H01J37/30 , H01L21/302
CPC classification number: C23C14/30 , G01N1/32 , H01J37/20 , H01J37/30 , H01J37/3053 , H01J37/3056 , H01J2237/317 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749 , H01J2237/334
Abstract: 本发明的目的在于提供构造简单且能够设定高精密的加工范围的离子铣削装置。为了实现所述目的，提出了一种离子铣削装置，该离子铣削装置包括试样保持架，该试样保持架保持试样和对朝向该试样的离子束的照射的一部分进行限制的掩膜，该试样保持架包括：第一接面，其与位于所述离子束的通过轨道侧的试样的端面接触；以及第二接面，其以使所述掩膜位于比该第一接面远离所述离子束的位置的方式与所述掩膜的端面接触。
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