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公开(公告)号：CN1603924A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410088064.8
申请日：1992-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , G02F1/13 , H01L29/786 , H01L21/00 , H04N5/225
Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(off set)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。
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公开(公告)号：CN1525543A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410008282.6
申请日：1992-09-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/136
Abstract: 一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
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公开(公告)号：CN1254951A
公开(公告)日：2000-05-31
申请号：CN99120390.9
申请日：1992-09-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 一种薄膜晶体管或集成电路,包括一绝缘基片,在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管),以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化,氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜,变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
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公开(公告)号：CN1254947A
公开(公告)日：2000-05-31
申请号：CN99120389.5
申请日：1992-09-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种薄膜晶体管或集成电路,包括一绝缘基片,在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管),以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化,氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜,变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1046047A
公开(公告)日：1990-10-10
申请号：CN90102570.4
申请日：1987-08-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/13 , G02F1/1343
Abstract: 公开了一种液晶器件基片的制备方法。该液晶器件包括一对基片，在二基片的内侧面上有多个电极条形成一矩阵。在接近基片的外周缘部分对显示器的象素无用的地方也形成电极条。借助于这些多余的电极条可以无需对基片特别注意而把它们连接起来。该方法是用待制成电极条的一导电薄膜涂敷一基片，再用一准分子激光器的激光来割划以形成多个电极条而完成的。
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公开(公告)号：CN87105511A
公开(公告)日：1988-02-17
申请号：CN87105511
申请日：1987-08-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/1339 , Y10T428/1055 , Y10T428/1059
Abstract: 公开了一种改进了的用以显示的液晶器件。该器件包括一对基片，在二基片的内侧面上该多个电极条形成一矩阵。在接近基片的外周缓部分对显示器的像素无用的地方也形成电极条。借助于这些多余的电极条可以无需对基片的特别注意而把它们连接起来。
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公开(公告)号：CN87100058A
公开(公告)日：1987-07-22
申请号：CN87100058
申请日：1987-01-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L31/1055 , H01L27/14643 , H01L31/022408
Abstract: 介绍了一种经过改良的光电转换器。该光电转换器包括多个光电半导体元件，各光电半导体元件由第一电极、半导体层和第二电极组成。半导体层的相对表面完全为第一和第二电极所遮盖。
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公开(公告)号：CN100388443C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200410008282.6
申请日：1992-09-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/136
Abstract: 一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
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公开(公告)号：CN1908738A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610093447.3
申请日：1992-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/13 , H01L21/00 , H01L29/786 , H04N5/225
CPC classification number: H01L29/66757
Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。
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