公开(公告)号：CN102655222B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201210057926.5

申请日：2012-02-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  濑尾哲史 ,  大泽信晴 ,  下垣智子 ,  井上英子 ,  门间裕史 ,  尾坂晴惠 ,  铃木邦彦 ,  竹村保彦

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0059 ,  H01L51/0067 ,  H01L2251/5384 ,  H01L2251/552

Abstract: 本发明的课题是提供一种外量子效率高的发光元件。本发明提供一种发光元件，包括：一对电极之间的包含客体、n型主体、p型主体的发光层，其中，从客体的三重激发态与基态之间的能量差减去n型主体(或p型主体)的三重激发态与基态之间的能量差而求得的值为0.15eV以上。在该发光元件中，由于不容易发生从三重激发态的客体到n型主体(或p型主体)的三重激发态的转移，所以高效地进行从处于三重激发态的客体的发光。或者，本发明还提供一种发光元件，其中，n型主体的LUMO能级比客体的LUMO能级高0.1eV以上或p型主体的HOMO能级比客体的HOMO能级低0.1eV以上。该发光元件在客体内高效地发生电子与空穴的复合，从而可以提高发光效率或外量子效率。

公开(公告)号：CN103518268B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201280015574.5

申请日：2012-03-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  濑尾哲史 ,  下垣智子 ,  大泽信晴 ,  井上英子 ,  门间裕史 ,  尾坂晴惠

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L51/504 ,  H01L27/3209 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L2251/5346 ,  H01L2251/5376 ,  H01L2251/5384

Abstract: 提供一种具有25%左右的极高的效率的发光元件。发光元件包括包含磷光客体、n型主体及p型主体的发光层，发光层夹在含n型主体的n型层与含p型主体的p型层之间，并且在发光层中n型主体和p型主体可以形成激基复合物。在实现1200cd/m2的亮度的低驱动电压（2.6V）下，发光元件显示极高的发光效率（74.3lm/W的功率效率，24.5%的外部量子效率，19.3%的能量效率）。

公开(公告)号：CN103396411B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310287456.6

申请日：2008-11-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  川上祥子 ,  下垣智子 ,  濑尾哲史

IPC: C07D413/10 ,  C07D413/14 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: C09K11/06 ,  C07D413/10 ,  C07D413/14 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1048 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5048 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明的目的在于：提供一种新的喹喔啉衍生物；提供一种驱动电压低的发光元件；提供耗电少的发光元件；以及提供通过使用这些发光元件提供低耗电的发光装置及电子设备。本发明提供以通式（G11）表示的喹喔啉衍生物，它具有喹喔啉的二位或三位的至少一方的碳和苯并唑的二位的碳介由亚芳基彼此键合的结构。

公开(公告)号：CN105001146A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510278404.1

申请日：2011-09-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 尾坂晴惠 ,  高须贵子 ,  门间裕史 ,  川田优子 ,  下垣智子 ,  能渡広美 ,  铃木恒德 ,  大泽信晴 ,  濑尾哲史

IPC: C07D209/86 ,  C07C25/22

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D209/86 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5088 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/5376 ,  H01L2251/552 ,  Y10S428/917 ,  C07C25/22

Abstract: 本发明涉及一种有机化合物、发光元件、发光器件、电子器件和照明器件。提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。

公开(公告)号：CN103030632A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210579702.0

申请日：2011-03-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  大泽信晴 ,  濑尾哲史

IPC: C07D403/10 ,  C07D405/10 ,  C07D409/10

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D403/10 ,  C07D405/10 ,  C07D409/10 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1088 ,  C09K2211/1092 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/5056 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明的目的是提供可用于发光元件、作为在其中分散有发光物质的发光层的主体材料的新型杂环化合物。本发明的其他目的是提供具有低的驱动电压的发光元件、具有高的电流效率的发光元件、和具有长的寿命的发光元件。提供包括其中二苯并[f,h]喹喔啉环和空穴传输骨架通过亚芳基键合的化合物的发光元件，和各自使用该发光元件的发光器件、电子器件、和照明器件。提供由以下通式(G1)表示的杂环化合物。

公开(公告)号：CN102643240A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210025092.X

申请日：2012-02-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  北野靖 ,  下垣智子 ,  大泽信晴 ,  瀬尾哲史

IPC: C07D241/38 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D403/10 ,  C07D405/10 ,  C07D409/10 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1014 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/508 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新的杂环化合物，在发光元件中，该杂环化合物可以用作使发光层的发光物质分散的主体材料。本发明的一个方式提供由通式(G1)表示的杂环化合物。在通式中，A表示取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基或者取代或未取代的咔唑基，R11至R19分别表示氢、碳数为1至4的烷基或者取代或未取代的碳数为6至13的的芳基，并且，Ar表示取代或未取代的碳数为6至13的的亚芳基。

公开(公告)号：CN102190653A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110052847.0

申请日：2011-03-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  大泽信晴 ,  濑尾哲史

IPC: C07D409/10 ,  C07D405/10 ,  C07D403/10 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D403/10 ,  C07D405/10 ,  C07D409/10 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1088 ,  C09K2211/1092 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/5056 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明的目的是提供可用于发光元件、作为在其中分散有发光物质的发光层的主体材料的新型杂环化合物。本发明的其他目的是提供具有低的驱动电压的发光元件、具有高的电流效率的发光元件、和具有长的寿命的发光元件。提供包括其中二苯并[f，h]喹喔啉环和空穴传输骨架通过亚芳基键合的化合物的发光元件，和各自使用该发光元件的发光器件、电子器件、和照明器件。提供由以下通式(G1)表示的杂环化合物。

公开(公告)号：CN110114910B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201780074360.8

申请日：2017-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小国哲平 ,  内田彩 ,  门间裕史

IPC: H01M50/46 ,  H01B1/06 ,  H01M10/056 ,  H01M10/058

Abstract: 提供一种在使用包含固体电解质的固体电池中防止正极与负极之间的短路的层。作为正极与负极之间的固体电解质，使用包含石墨烯化合物的层。包含石墨烯化合物的层能够使锂离子穿过。预先对包含石墨烯化合物的层添加锂离子。具体而言，使用修饰剂，并使用使扩大层间距离的醚、酯等官能团化学修饰的石墨烯化合物。

公开(公告)号：CN116568685A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180073154.1

申请日：2021-10-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  大泽信晴 ,  濑尾哲史 ,  尾坂晴惠

IPC: C07D471/04

Abstract: 提供一种适合用于发光器件的主体材料，尤其是适合用于磷光发光器件中的主体材料的新颖的有机化合物。提供一种咪唑菲啶的3位上通过亚芳基键合有咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基及二苯基氨基中的任意个的有机化合物或者三唑并菲啶的3位上通过亚芳基键合有二苯基氨基的有机化合物。

公开(公告)号：CN116210113A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202180057666.9

申请日：2021-08-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 八窪裕人 ,  门间裕史 ,  荻田香

IPC: H01M10/052

Abstract: 提供一种通过从到达充电站之前高效地进行二次电池的温度控制而可以进行高速充电的二次电池的控制系统。本发明的一个方式涉及一种包括第一二次电池、第二二次电池、第一温度控制部、二次电池监视部及运算部的车辆。二次电池监视部取得上述第一二次电池的剩余量数据。上述运算部比较上述剩余量数据与设定值。在上述剩余量数据小于上述设定值的情况下，上述二次电池监视部取得上述第一二次电池的温度。上述运算部算出将上述第一二次电池的温度调节为设定温度为止的调节期间。上述运算部算出到达被设定的充电站为止的到达期间。在上述调节期间为上述到达期间以下的情况下，上述第一温度控制部通过来自上述第二二次电池的供电而开始将上述第一二次电池的温度调节为上述设定温度，由此控制二次电池。