公开(公告)号：CN102939659A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180028560.2

申请日：2011-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  远藤佑太

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L22/10 ,  H01L23/564 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个实施方式的目的是制造一种电特性的变动小且可靠性高的半导体器件，其中包括使用氧化物半导体的晶体管。在包括氧化物半导体层的晶体管中，在顶栅结构的情况下使用氧过剩的氧化硅（SiOx（X>2））作为基底绝缘层。通过使用氧过剩的氧化硅，氧从绝缘层放出，并且可以降低氧化物半导体层中的氧缺陷以及基底绝缘层或保护绝缘层与氧化物半导体层之间的界面态密度，从而可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体器件。

公开(公告)号：CN102906881A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025311.8

申请日：2011-04-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  佐藤瑞穗

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的是制造一种半导体装置，其中在使用氧化物半导体的晶体管中，电特性的变动小且可靠性高。作为形成沟道的氧化物半导体层的基底绝缘层，使用通过加热从其放出氧的绝缘层。从该基底绝缘层放出氧，由此可以降低该氧化物半导体层中的氧缺乏及该基底绝缘层与该氧化物半导体层之间的界面态。从而，可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN101490731A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027257.4

申请日：2007-09-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  宇都德晃 ,  冈本知广

IPC: G08G1/017 ,  G06K17/00 ,  G08B13/00 ,  G08G1/052 ,  H04B5/02

CPC classification number: G08G1/017 ,  G06K17/0022 ,  G06K19/07749 ,  G08G1/052 ,  H04B5/0056

Abstract: 具有用于保存关于轮式车辆的信息的存储部的RFID标签被安装在轮式车辆上，并且外部询问器和RFID标签彼此交换信息。而且，具有用于保存关于轮式车辆的信息的存储部的RFID标签和用于与该RFID标签交换信息的通信装置被设置在轮式车辆上。当外部询问器和RFID标签彼此交换信息时，通信装置将状态信息保存在RFID标签的存储部中，其中的状态信息例如为：速度信息、日期与时间信息等。

公开(公告)号：CN111373515B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201880075796.3

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三本菅正太 ,  山根靖正 ,  远藤佑太 ,  奥野直树

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体材料。半导体材料是包含金属元素和氮的氧化物，金属元素是铟(In)、元素M(M为铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)或锡(Sn))及锌(Zn)，氮被引入到氧化物的氧空位内或者与金属元素的原子键合。

公开(公告)号：CN108886021B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201780022719.7

申请日：2017-01-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  远藤佑太 ,  加藤清 ,  冈本悟

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种适合于微型化及高集成化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的晶体管；晶体管上的第二绝缘体；嵌入在第二绝缘体的开口中的第一导电体；第一导电体上的阻挡层；在第二绝缘体及阻挡层上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第二导电体。第一绝缘体、第三绝缘体及阻挡层对氧及氢具有阻挡性。第二绝缘体包括过剩氧区域。晶体管包括氧化物半导体。阻挡层、第三绝缘体及第二导电体被用作电容器。

公开(公告)号：CN111316448A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880072450.8

申请日：2018-10-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  平松智记 ,  野中裕介 ,  石原典隆 ,  三本菅正太 ,  山根靖正 ,  远藤佑太

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种高可靠性半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的彼此分离的第一导电体及第二导电体；第二氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘膜；以及隔着第三氧化物及第二绝缘膜位于第二氧化物上的第三导电体，并且第三氧化物包含金属元素及氮，该金属元素与氮键合。

公开(公告)号：CN110313070A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201880012279.1

申请日：2018-02-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  远藤佑太 ,  长冢修平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体装置，包括：包括彼此相邻的第一区域和第二区域以及它们之间夹有第一区域及第二区域的第三区域和第四区域的第一氧化物；第一区域上的第二氧化物；第二氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；在第二氧化物上并在第一绝缘体及第一导电体的侧面的第二绝缘体；在第二区域上并在第二绝缘体的侧面的第三绝缘体；以其与第二区域之间夹有第三绝缘体的方式在第二区域上且以其与第二绝缘体之间夹有第三绝缘体的方式在第二绝缘体的侧面的第二导电体；覆盖第一氧化物、第二氧化物、第一绝缘体、第一导电体、第二绝缘体、第三绝缘体及第二导电体并与第三区域及第四区域接触的第四绝缘体。

公开(公告)号：CN110137181A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910189112.9

申请日：2013-12-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太

IPC: H01L27/12

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种开口率高的半导体装置。该半导体装置包括晶体管以及包括一对电极的电容元件。将形成在同一个绝缘表面上的氧化物半导体层用于该晶体管的沟道形成区及该电容元件的一个电极。该电容元件的另一个电极是透光导电膜。该电容元件的一个电极与布线电连接，该布线在设置有该晶体管的源电极或漏电极的绝缘表面上形成，电容元件的另一个电极与该晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。

公开(公告)号：CN103915447B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201310730813.1

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L28/60 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种开口率高的半导体装置。该半导体装置包括：氮化绝缘膜；形成在氮化绝缘膜上的晶体管；以及形成在氮化绝缘膜上的包括一对电极的电容元件，晶体管的沟道形成区及电容元件的一个电极由氧化物半导体层形成，而电容元件的另一个电极由透光导电膜形成，电容元件的一个电极与氮化绝缘膜接触，而电容元件的另一个电极电连接到包括在所述晶体管中的源极和漏极中的一个。

公开(公告)号：CN107863352A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710742723.2

申请日：2017-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259

Abstract: 本发明的一个方式提供一种性能高且可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；覆盖第一晶体管的至少一部分的第一金属氧化物；第一晶体管及第二晶体管上的绝缘膜；以及绝缘膜上的第二金属氧化物。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅极绝缘膜；第一氧化物；第一源电极及第一漏电极；第二栅极绝缘膜；以及第二栅电极。第二晶体管包括：第三栅电极；第三栅极绝缘膜；第二氧化物；第二源电极及第二漏电极；第四栅极绝缘膜；以及第四栅电极。第一栅极绝缘膜及第二栅极绝缘膜与第一金属氧化物接触，第三栅极绝缘膜及第四栅极绝缘膜与绝缘膜接触。并且，绝缘膜包含过剩氧。