公开(公告)号：CN117650159A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202211675461.X

申请日：2022-12-26

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 加藤浩朗 ,  宫下桂 ,  下村纱矢 ,  可知刚 ,  西胁达也

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 实施方式涉及半导体装置。半导体装置具备：第一电极；第二电极，配置在所述第一电极上；半导体部分，配置在所述第一电极与所述第二电极之间；第一布线，配置在所述半导体部分与所述第二电极之间；第三电极，配置在所述半导体部分内，与所述半导体部分隔离，具有环状部和从所述环状部向所述环状部的内侧延伸的延伸部；第四电极，在所述半导体部分内的比所述第三电极靠下方且在与上下方向垂直的平面上配置在所述环状部的内侧，与所述半导体部分隔离；第一插塞，将所述第二电极与所述第四电极连接；以及第二插塞，将所述第一布线与所述延伸部连接。

公开(公告)号：CN116705848A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202210853394.X

申请日：2022-07-08

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 可知刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40

Abstract: 实施方式的半导体装置具备第一电极、第二电极、半导体部、导电体、以及控制电极。第二电极在第一方向上与第一电极分离地设置。半导体部位于第一电极与第二电极之间，并包含第一导电型的第一半导体层以及设于第一半导体层与第一电极之间的第二导电型的第二半导体层。导电体设于半导体部内，通过第一绝缘膜与半导体部电绝缘，并隔着第一绝缘膜与第一半导体层相对。控制电极与导电体分离，并包含第一部分以及第二部分。控制电极的第一部分设于第二半导体层与第一电极之间，并隔着第二绝缘膜与第二半导体层相对。第二部分在与第一方向正交的第二方向上，隔着第二绝缘膜而与第二半导体层相对，并与第一部分相连。

公开(公告)号：CN115799316A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210136871.0

申请日：2022-02-15

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 西胁达也 ,  可知刚 ,  德山周平

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式提供能进行高速切换的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一电极，设于第一电极上的第一导电型的第一半导体层，从第一半导体层的上表面向下方延伸的柱状的第一绝缘膜，设于第一绝缘膜中且沿上下方向延伸的柱状的第二电极，局部地设于第一半导体层的上层部、经由第一半导体层与第一绝缘膜相邻的第二导电型的第二半导体层，局部地设于第二半导体层的上层部的第一导电型的第三半导体层，与第一半导体层的上表面相比设于更靠上方、从上方观察时与第一绝缘膜、第一半导体层以及第二半导体层的一部分重叠的第三电极，与第三电极的上端相比设于更靠上方的第四电极，设于第三电极与第四电极、第一半导体层以及第二半导体层之间的第二绝缘膜。

公开(公告)号：CN115117170A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110878875.1

申请日：2021-08-02

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 可知刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 实施方式的半导体装置具有第一～第四电极、半导体部分、第一绝缘膜和第二绝缘膜。所述半导体部分具有第一～第三半导体层。第一导电型的所述第一半导体层设置于所述第一电极的上方，第二导电型的所述第二半导体层设置于所述第一半导体层的一部分的上方，第一导电型的所述第三半导体层设置于所述第二半导体层的上方。所述第二电极与所述第三半导体层接触，并与所述第二半导体层、所述第三半导体层及所述第二电极分离。所述第一绝缘膜覆盖所述第三电极。所述第四电极与所述第二电极连接，与所述第一半导体层及所述第三电极分离。所述第二绝缘膜设置于所述第四电极的侧面上，隔着空隙与所述第一半导体层对置，厚度随着朝向所述第一方向而变大。

公开(公告)号：CN114267737A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202110879401.9

申请日：2021-08-02

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 一关健太郎 ,  可知刚 ,  大麻浩平

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 半导体装置包括第一半导体区域，设置于第一电极之上，与第一电极电连接，是第一导电型；第二半导体区域，设置于第一半导体区域的一部分之上，是第二导电型；第三半导体区域，设置于第二半导体区域之上，是第一导电型；第一导电部，具有与第二半导体区域的侧面对置的部分；第二导电部，具有与第一半导体区域的侧面对置的部分；第二电极，设置于第二半导体区域及第三半导体区域之上，与第二半导体区域及第三半导体区域电连接；第一导电区域，设置于第二导电部之上，与第二导电部电连接；第一电极区域，与第一导电区域电连接；导电层，与第一导电区域及第一电极区域中的至少任一个以及第二电极电连接。

公开(公告)号：CN113380889A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110029917.4

申请日：2021-01-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 西胁达也 ,  可知刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417

Abstract: 一种能够降低电力损失的半导体装置。实施方式涉及的半导体装置具备第一电极、半导体层、第一导电部、第二导电部以及第二电极。半导体层包括与第一电极电连接的第一导电型的第一半导体区域、设置在第一半导体区域之上的第二导电型的第二半导体区域、以及设置在第二半导体区域之上的第一导电型的第三半导体区域。第一导电部包括经由第一绝缘部设置在第一半导体区域中的嵌入电极部。第二导电部包括经由第二绝缘部设置在嵌入电极部之上、且隔着栅极绝缘部与第二半导体区域对置的栅极电极部。第二电极设置在半导体层之上，并与第二半导体区域以及第三半导体区域电连接。第一导电部与第二导电部电连接。第一导电部的电阻比第二导电部的电阻大。