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公开(公告)号：CN100421155C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200480027438.3
申请日：2004-09-22
摘要： 通过使垂直磁记录层的结构更加精细，而使得可以进行高密度记录。垂直磁记录介质(10)包括在非磁性基底(1)上层叠的至少非磁性下层(2)、垂直磁性层(3)以及保护层，其中垂直磁性层包括铁磁性晶粒和非磁性晶粒间界区域，其中晶粒间界区域包括至少两种氧化物，其选自于：钇氧化物、钨氧化物、镁氧化物、铝氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钛氧化物、铈氧化物、硅氧化物、铬氧化物、镍氧化物以及钽氧化物，其中所述磁性层的形成所述晶粒间界区域的氧化物含量为0.1mol%到30mol%。
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公开(公告)号：CN100343903C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510059497.5
申请日：2005-03-25
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G11B5/7325 , G11B5/656
摘要： 本发明公开了一种垂直磁记录媒体，该垂直磁记录媒体包括：非磁性衬底；第一垫层，形成在该非磁性衬底上，主要由从包括Fe2O3、Co3O4、MgO、MoO3、Mn3O4、SiO2、Al2O3、TiO2以及ZrO2的组中选择的至少两种构成，而且具有以柱形生长的晶粒和包围该晶粒的晶粒边界；非磁性第二垫层，形成在第一垫层上，而且具有生长在第一垫层的晶粒上、具有面心立方晶格结构和六方紧密堆积结构之一的晶粒；磁性层，形成在第二垫层上；以及保护层，形成在该磁性层上。
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公开(公告)号：CN1802697A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200480015635.3
申请日：2004-04-07
摘要： 一种磁记录介质，其在非磁性基片1上提供至少：取向控制层3，用来控制直接形成于其上的层的取向、垂直磁性层4，具有取向基本垂直于非磁性基片1的易磁化轴、以及保护层5，其特征在于，垂直磁性层4包括两个或更多个磁性层，所述磁性层中的至少一个是主要成分为Co、还包含Pt且包含氧化物的层4a，并且所述磁性层的至少另一个是主要成分为Co、还包含Cr且不包含氧化物的层4b。
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公开(公告)号：CN1735932A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200480002118.2
申请日：2004-01-14
IPC分类号： G11B5/64
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/7325 , G11B5/8404
摘要： 一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供软磁性底涂膜、第一底涂膜、第二底涂膜、垂直磁记录膜、以及保护膜，并且所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。
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公开(公告)号：CN1551123A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410007300.9
申请日：2004-02-27
摘要： 本申请公开了一种磁记录介质和磁记录/再现设备。其中形成一个多层(4)，其包括磁记录层(2)和高磁致形变层(3)，后者具有大于磁记录层(10)的磁致形变常数。
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公开(公告)号：CN1538391A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031901.3
申请日：2004-03-31
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/7325
摘要： 公开了一种垂直磁记录介质(10)，包括非磁性基板(1)、包括具有39.5kA/m或更小的垂直矫顽力的铁磁底层(2)和具有50到150emu/cc的饱和磁化Ms的弱磁性底层(3)的多层底层(4)以及垂直磁记录层(5)。
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公开(公告)号：CN107689416A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710109879.7
申请日：2017-02-28
申请人： 株式会社东芝
摘要： 本发明涉及磁存储器。提供一种改善了写入效率的SOT写入方式的磁存储器。根据本实施方案的磁存储器具备：第1至第3端子；导电性的第1非磁性层，具有第1至第3部分，所述第1部分位于所述第2部分与所述第3部分之间，所述第2部分与所述第1端子电连接，所述第3部分与所述第2端子电连接；第1磁阻元件，具有与所述第3端子电连接的第1磁性层、配置在所述第1磁性层与所述第1部分之间的第2磁性层、以及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第2非磁性层；和第1层，至少配置在所述第1部分与所述第2磁性层之间，包含Mg、Al、Si、Hf和稀土元素中的至少一种元素、以及氧和氮中的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN101339775A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810131980.3
申请日：2008-07-04
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/66 , G11B5/667 , Y10T428/115
摘要： 本发明涉及一种垂直磁记录介质以及磁记录装置。根据一个实施例，一种垂直磁记录介质包括：基底(1)；以及形成在所述基底(1)上的第一磁性层(5)和第二磁性层(7)，其中假定对于所述第一和第二磁性层(5，7)，单轴磁各向异性常数分别是Ku1和Ku2，饱和磁化分别是Ms1和Ms2，各向异性磁场分别是Hk1和Hk2，以及厚度分别是t1和t2，则满足以下条件：Ku1和Ku2为3×106erg/cc以上，Ms1小于Ms2，Hk1大于Hk2，并且t1大于t2。
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公开(公告)号：CN100347756C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510059290.8
申请日：2005-03-25
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
摘要： 本发明涉及磁记录介质和磁记录设备。在衬底上形成一个大粒径底层，其包括选自Cu、Ni或者Rh中的至少一种，具有大于或等于50nm的较大的平均直径的晶粒，(100)晶面的取向平行于衬底表面。然后，在该底层上淀积磁记录层。带有这种结构的磁记录介质在磁性层中表现出了非常小的磁性晶粒，在高纪录密度下具有优良的重写性能和信噪比。
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公开(公告)号：CN1333387C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200510059299.9
申请日：2005-03-25
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
摘要： 提供一种磁记录媒体、记录媒体的制造方法和磁记录装置。在包含Cu晶粒层和Cu晶粒层表面上的淀积氮原子层的垫层上形成磁记录层。从而得到具有非常小的平均晶粒直径和非常窄的晶粒直径分布的磁记录层。包含上述磁记录层的磁记录媒体在高密度记录的条件下表现出优异的信噪比特性。
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