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公开(公告)号：CN1129958C
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN97102155.4
申请日：1997-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/314
CPC classification number: H01L28/55 , H01L21/31122 , H01L21/32136
Abstract: 在半导体衬底上依次形成器件绝缘膜、下白金膜、强电介质膜、上白金膜、钛膜和期望图形的光刻胶掩模。钛膜厚度设为上白金膜、强电介质膜和下白金膜总厚度的十分之一以上。用干蚀法刻蚀钛膜并用灰化处理除去光刻胶掩模。用已图形化的钛膜为掩模，应用把氧气的体积浓度设定为40%的氯与氧混合气体的等离子体的干蚀法刻蚀上白金膜、强电介质膜和下白金膜。由于钛膜被氧化故可得到高的刻蚀选择比。再用应用了氯气的等离子体的干蚀法除去钛膜。
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公开(公告)号：CN1393931A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN02124394.8
申请日：2002-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 本发明的目的在于：维持好电容元件中的下方电极对氧的阻挡性，并防止电容元件中由金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。下方电极31的侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氧及氢扩散的第1绝缘性阻挡层15覆盖起来。上方电极33的上面、该上方电极33、电容绝缘膜32及掩埋绝缘膜16的各个侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氢扩散的第2绝缘性阻挡层17覆盖起来。第2绝缘性阻挡层17在下方电极31两侧的区域和第1绝缘性阻挡层15相接触。
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公开(公告)号：CN1075243C
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN95119333.3
申请日：1995-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L28/40 , H01L28/56
Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件及其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。
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公开(公告)号：CN1294625C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200410028780.7
申请日：2004-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L28/55 , H01L21/7687 , H01L27/10852 , H01L28/65
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在层间绝缘膜(12)上，与触点(13)的上面相接地布图，形成防止氧原子从上方朝触点(13)扩散的导电性氧阻挡层(14)。该导电性氧阻挡层(14)由导电性氧化物(例如TiAlN)构成的下部层(14a)，和由导电性氧化物(例如IrO2)构成的上部层(14b)组成。在导电性氧阻挡层(14)的侧面上，形成由Al2O3构成的、厚度为20nm左右的绝缘性氧阻挡层(15)，防止来自导电性氧阻挡层(14)的下部层(14a)的侧傍、即来自朝向触头(13)的侧傍的氧原子的扩散。从而对与触点连接的电容元件，即使是小面积，也能防止触点氧化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1627501A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410078515.X
申请日：1996-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L28/40
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下列工序：在半导体基片上形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成由上电极、电容绝缘膜、以及下电极所组成的电容元件的工序，形成所述电容元件的工序包括下列工序：在所述绝缘膜上形成下电极膜的工序；通过蚀刻所述下电极膜形成所述下电极的工序；在所述下电极上形成由强电介质材料制成的电容绝缘膜的工序；在所述电容绝缘膜上形成上电极膜的工序；通过利用上电极形成用掩模对所述上电极膜进行蚀刻，形成所述上电极的工序；以及利用所述电容绝缘膜的端部比所述上电极端部大0.1μm以上的电容绝缘膜用掩模对所述电容绝缘膜进行干式蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN1170316C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN00106251.4
申请日：2000-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L27/10852 , H01L27/11507 , H01L27/11509 , H01L28/55
Abstract: 半导体装置及制法是在形成在半导体基板上的第1和第2场效应管上堆积第1保护绝缘膜，在该第1保护绝缘膜形成电容下部电极、由绝缘性金属氧化膜构成电容绝缘膜以及电容上部电极构成的电容元件。电容下部电极和第1场效应管的杂质扩散层与形成在第1保护绝缘膜上的第1导电芯柱连接，电容上部电极和第2场效应管的杂质扩散层与形成在第1保护绝缘膜上的第2导电芯柱连接。该装置能防止电容绝缘膜的还原和电容元件的特性变化。
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公开(公告)号：CN1532892A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410028780.7
申请日：2004-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L28/55 , H01L21/7687 , H01L27/10852 , H01L28/65
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在层间绝缘膜(12)上，与触点(13)的上面相接地布图，形成防止氧原子从上方朝触点(13)扩散的导电性氧阻挡层(14)。该导电性氧阻挡层(14)由导电性氧化物(例如TiAlN)构成的下部层(14a)，和由导电性氧化物(例如IrO2)构成的上部层(14b)组成。在导电性氧阻挡层(14)的侧面上，形成由Al2O3构成的、厚度为20nm左右的绝缘性氧阻挡层(15)，防止来自导电性氧阻挡层(14)的下部层(14a)的侧旁、即来自朝向触头(13)的侧旁的氧原子的扩散。从而对与触点连接的电容元件，即使是小面积，也能防止触点氧化。
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公开(公告)号：CN1345088A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01117608.3
申请日：1995-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/283 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L28/40 , H01L28/56
Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括:在基片上形成钛膜的粘接层,在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层,以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。
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公开(公告)号：CN1082719C
公开(公告)日：2002-04-10
申请号：CN96107139.7
申请日：1996-06-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L28/55
Abstract: 本发明涉及内含以高介电常数电介质或强电介质作为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件制造方法，目的在于解决现有半导体器件内含的电容绝缘膜表面凹凸不平造成绝缘耐压低、电气特性误差大、配线断线问题，形成第一电介质膜后，在其上面沉积厚度超过其表面凸部与凹部落差的第二电介质膜，再在该第二电介质膜上面使其表面保持平整来沉积蚀刻速度与第二电介质膜蚀刻速度相等的薄膜，再同时蚀刻除去该薄膜全部和第二电介质膜的部分，使第二电介质膜表面成为平滑面，形成电容绝缘膜。
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