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公开(公告)号:CN101908521A
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN201010198571.2
申请日:2010-06-04
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/34 , H01L25/00 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H05K1/0204 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K3/0058 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件以及其制备方法。提供一种半导体器件,包括:通过将第一和第二金属板分别键合到绝缘衬底的两个表面所形成的电路板、要通过第一焊料键合到第一金属板的外表面的至少一个半导体元件,以及要通过第二焊料键合到第二金属板的外表面的散热底板,其中第一和第二焊料由相同类型的焊接材料构成,并且第一和第二金属板的厚度总和与绝缘衬底的厚底的比值设置在预定的范围,以确保第一和第二焊料中的每一种对温度应力的耐久性。
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公开(公告)号:CN101501847A
公开(公告)日:2009-08-05
申请号:CN200780029278.X
申请日:2007-07-25
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置包括第一及第二组装体(12A、12B)。第一组装体具有第一半导体芯片、接合在第一半导体芯片的一侧表面上的高压母线(21)、通过接合线连接在第一半导体芯片的另一侧表面上的第一金属配线板(24-1)、连接在第一金属配线板上的第三金属配线板(24-3)。第二组装体具有第二半导体芯片、通过接合线连接在第二半导体芯片的一侧表面上的低压母线(23)、接合在第二半导体芯片的另一侧表面上的第二金属配线板(24-2)、从第二金属配线板的端部折回地连结且与第二金属配线板平行地配置的第四金属配线板(24-4)。第一及第二组装体以隔开间隔的层叠结构配置。通过该半导体模块结构能够降低主电路的电感。
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