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公开(公告)号：CN115206349A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210330080.1
申请日：2022-03-31
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明的课题在于提供能够具有结晶取向性高，缺陷少的磁性层的磁记录介质的制造方法。本发明涉及的磁记录介质的制造方法包括下述工序：对于基板的表面，使用包含氧化镁的靶标，通过溅射法，形成氧化镁基底层的工序；以及在上述氧化镁基底层的表面侧形成磁性层的工序，在上述形成氧化镁基底层时，将上述包含氧化镁的靶标加热至600℃以上。
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公开(公告)号：CN111916114B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010376998.0
申请日：2020-05-07
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/667
Abstract: 提供一种磁记录介质和磁记录再现装置，所述磁记录介质的特征在于，具有：基板；在所述基板之上形成的底层；及在所述底层之上形成的磁性层。所述磁性层包含具有L10结构的合金。所述底层包含第1底层和第2底层，所述第1底层包含Mo和Ru，Ru的含量位于5at％～30at％的范围内，所述第2底层包含具有BCC结构的材料。所述第2底层形成在所述第1底层和所述基板之间。所述磁记录再现装置具有所述磁记录介质。
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公开(公告)号：CN110517709B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910397007.4
申请日：2019-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁存储装置。提供一种SNR较高的磁记录介质，其依次具有基板、底层、及进行了(001)取向并具有L10结构的磁性层。该磁性层具有粒状结构，并包含碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物。
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公开(公告)号：CN110875063B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201910681488.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。磁性层从基板侧开始具有第一磁性层和第二磁性层。第一磁性层和第二磁性层分别具有粒状结构，晶界部处包含C、SiO2、及BN。第一磁性层和第二磁性层的晶界部的体积分数分别位于25体积％～45体积％的范围内。第一磁性层的C的体积分数位于5体积％～22体积％的范围内。第一磁性层和第二磁性层的SiO2相对于BN的体积比分别位于0.25～3.5的范围内。第二磁性层的SiO2的体积分数比第一磁性层的SiO2的体积分数大5体积％以上。第二磁性层的BN的体积分数比第一磁性层的BN的体积分数小2体积％以上。
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公开(公告)号：CN110634509B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910505522.X
申请日：2019-06-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，具有：基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括：包含具有b c c结构的物质的b c c底层、与所述b c c底层接触的第一氧化物层、及与所述磁性层接触的第二氧化物层。所述第一氧化物层和所述第二氧化物层包含氧化镁。所述第二氧化物层还包含从由氧化钒、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110648693A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910552861.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
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公开(公告)号：CN109036474B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810521202.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。
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公开(公告)号：CN102800332B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210225470.9
申请日：2012-05-22
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法、以及具备这种磁记录介质或利用这种制造方法制造的磁记录介质的磁记录再生装置，所述磁记录介质在圆盘状的非磁性基板上至少具备垂直磁性层，其特征在于，上述垂直磁性层具有如下构造，即，通过实施纹理化处理，在形成有具有圆周方向成分的多个沟槽的形成面上形成FePt或CoPt纳米粒子排列体。
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公开(公告)号：CN102629475A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210015408.7
申请日：2012-01-18
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明提供一种能够切实且以高速进行掩模层的除去的磁记录介质的制造方法。本发明是一种具有磁分离了的磁记录图案(2a)的磁记录介质的制造方法，其包括：在非磁性基板(1)之上形成磁性层(2)的工序；在磁性层(2)之上形成溶解层(3)的工序；在溶解层(3)之上形成掩模层(4)的工序；将溶解层(3)和掩模层(4)图案化成为与磁记录图案(2a)对应的形状的工序；将磁性层(2)的没有被掩模层(4)和溶解层(3)覆盖的地方部分性地改性或除去的工序；和利用药剂将溶解层(3)湿式溶解，与其上的掩模层(4)一同从磁性层(2)之上除去的工序，在形成溶解层(3)的工序中，通过在磁性层(2)之上涂布了将有机硅化合物溶解于有机溶剂中的涂液后，固化该涂液，从而形成溶解层(3)。
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公开(公告)号：CN102237099A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110106933.5
申请日：2011-04-27
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种可以扩大构成非磁性部的树脂的选择的范围、并且使磁记录介质的表面成为平滑的面的磁记录介质的制造方法以及磁记录再生装置。在非磁性基板的表面形成磁性层，接着，通过蚀刻磁性层之中的与非磁性部的形成区域对应的部分，形成待形成非磁性部的沟和包含磁性层的磁记录部，接着，在磁记录部的表面以填埋沟的方式涂布具有活化能射线固化性官能团的树脂，接着，将板材按压于树脂上使得板材的平滑的面与树脂的表面接触，从而使树脂的表面成为平滑的面，接着，从树脂除去板材，其后，通过蚀刻来除去具有平滑的表面的树脂之中的、相比于磁记录部的表面位于上方的部分，由此在沟中形成非磁性部。
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