-
公开(公告)号：CN101045855A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710107443.0
申请日：2003-05-29
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。
-
公开(公告)号：CN100336179C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN03809590.4
申请日：2003-04-28
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B57/02
CPC classification number: B24B37/0056 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及研磨液及使用该研磨液的研磨方法。所述研磨液含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、及水，pH为2～5，其中，氧化金属溶解剂包括除乳酸、苯二甲酸、富马酸、马来酸及氨基乙酸五种以外的可以第一个解离的酸基的解离常数(pka)为小于3.7的酸(A组)、该A组的铵盐和A组的酯中的一种或以上，以及上述五种酸、pka为大于等于3.7的酸(B组)、该B组的铵盐和B组的酯中的一种或以上；或者金属防蚀剂包括具有三唑骨架的芳族化合物的组(C组)的一种或以上，以及具有三唑骨架的脂肪族化合物、具有嘧啶骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有噻唑骨架的化合物及具有吡唑骨架的化合物的组(D组)的一种或以上。由于金属的研磨速度大，蚀刻速度小，并且研磨磨擦小，因此，可以生产率高地得到金属配线的碟状凹陷及侵蚀小的半导体元件。
-
公开(公告)号：CN1323124C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN03119819.8
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C01F17/0043 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L21/02065 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。
-
公开(公告)号：CN1982401A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200710001563.2
申请日：2003-08-06
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳－碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。
-
公开(公告)号：CN1935927A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610142509.5
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1245471C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN03119818.X
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C01F17/0043 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L21/02065 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。
-
公开(公告)号：CN1203529C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN00811731.4
申请日：2000-08-17
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C23F1/18 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂，含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH低于3，氧化剂浓度为0.01-3重量%，或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。
-
公开(公告)号：CN1128195C
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN98812295.2
申请日：1998-12-18
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。
-
公开(公告)号：CN1982401B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710001563.2
申请日：2003-08-06
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , C09G1/02
Abstract: 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳-碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。
-
公开(公告)号：CN101423747A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810183028.8
申请日：1998-12-18
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/3105
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
47
records
(took 0.024 seconds)
