公开(公告)号：CN101037585A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710095820.3

申请日：2003-04-28

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 仓田靖 ,  增田克之 ,  小野裕 ,  上方康雄 ,  榎本和宏

IPC分类号： C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304

CPC分类号： B24B37/0056 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明涉及研磨液及使用该研磨液的研磨方法。所述研磨液含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、及水，pH为2～5，其中，氧化金属溶解剂包括除乳酸、苯二甲酸、富马酸、马来酸及氨基乙酸五种以外的可以第一个解离的酸基的解离常数(pka)为小于3.7的酸(A组)、该A组的铵盐和A组的酯中的一种或以上，以及上述五种酸、pka为大于等于3.7的酸(B组)、该B组的铵盐和B组的酯中的一种或以上；或者金属防蚀剂包括具有三唑骨架的芳族化合物的组(C组)的一种或以上，以及具有三唑骨架的脂肪族化合物、具有嘧啶骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有噻唑骨架的化合物及具有吡唑骨架的化合物的组(D组)的一种或以上。由于金属的研磨速度大，蚀刻速度小，并且研磨磨擦小，因此，可以生产率高地得到金属配线的碟状凹陷及侵蚀小的半导体元件。

公开(公告)号：CN1321166C

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN02148174.1

申请日：1998-12-18

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 吉田诚人 ,  芦沢寅之助 ,  寺崎裕樹 ,  大槻裕人 ,  仓田靖 ,  松沢纯 ,  丹野清仁

IPC分类号： C09K3/14

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： 在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN1745460A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200480003202.6

申请日：2004-01-30

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 深泽正人 ,  吉田诚人 ,  小山直之 ,  大槻裕人 ,  山岸智明 ,  榎本和宏 ,  芳贺浩二 ,  仓田靖

IPC分类号： H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

摘要： 本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法，其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有下述族群中的任一种化合物的N－单取代化合物骨架和N，N－二取代化合物骨架中的任一种的化合物：丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α－取代化合物所构成的族群。其中相对研磨剂100重量份，水溶性高分子优选为0.01～10重量份。从而，在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，能够有效、高速地研磨，且操作管理也能容易地进行。

公开(公告)号：CN1650403A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03809590.4

申请日：2003-04-28

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 仓田靖 ,  增田克之 ,  小野裕 ,  上方康雄 ,  榎本和宏

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B57/02

CPC分类号： B24B37/0056 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明涉及研磨液及使用该研磨液的研磨方法。所述研磨液含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、及水，pH为2～5，其中，氧化金属溶解剂包括除乳酸、苯二甲酸、富马酸、马来酸及氨基乙酸五种以外的可以第一个解离的酸基的解离常数(pka)为小于3.7的酸(A组)、该A组的铵盐和A组的酯中的一种或以上，以及上述五种酸、pka为大于等于3.7的酸(B组)、该B组的铵盐和B组的酯中的一种或以上；或者金属防蚀剂包括具有三唑骨架的芳族化合物的组(C组)的一种或以上，以及具有三唑骨架的脂肪族化合物、具有嘧啶骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有噻唑骨架的化合物及具有吡唑骨架的化合物的组(D组)的一种或以上。由于金属的研磨速度大，蚀刻速度小，并且研磨摩擦小，因此，可以生产率高地得到金属配线的碟状凹陷及侵蚀小的半导体元件。

公开(公告)号：CN1526786A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN03119819.8

申请日：1997-09-30

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC分类号： C09K3/14

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053

摘要： 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN1371529A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN00811963.5

申请日：2000-08-25

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 内田刚 ,  上方康雄 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  星野铁哉 ,  五十岚明子

IPC分类号： H01L21/304

摘要： 本发明中提供了一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、水溶性聚合物和水的CMP用研磨剂,及用它的研磨方法。水溶性聚合物的重量平均分子量在500以上,研磨剂的动摩擦系数在0.25以上,研磨剂的厄布洛德粘度在0.95cP以上,1.5cP以下,研磨剂的拐点压力在50gf/cm2以上。

公开(公告)号：CN101649182A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200810184455.8

申请日：1997-09-30

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC分类号： C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105

摘要： 本发明提供了一种能够在不划伤SiO 2 绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的初级颗粒粒径为10～600纳米，初级颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN101311205A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810129238.9

申请日：2005-07-20

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 深泽正人 ,  小山直之 ,  仓田靖 ,  芳贺浩二 ,  阿久津利明 ,  大槻裕人

IPC分类号： C08J5/14 ,  C08L33/02 ,  B24B29/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

摘要： 本发明涉及一种CMP研磨剂，该CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，其中，上述水溶性高分子是，使用阳离子性偶氮化合物以及其盐中的至少一种作为聚合引发剂，而使含有具有不饱和双键的羧酸以及其盐中的至少一种的单体聚合所形成的聚合物。按照本发明，提供一种在对层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜进行平坦化处理的CMP技术中，可无研磨损伤、有效、高速、均匀且易于控制研磨操作地进行研磨的研磨剂以及研磨方法。

公开(公告)号：CN101045855A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710107443.0

申请日：2003-05-29

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  安西创 ,  寺崎裕树

IPC分类号： C09K3/14 ,  C08L33/02 ,  C08L33/26 ,  C08L29/04 ,  C08L39/06 ,  H01L21/304

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。

公开(公告)号：CN100336179C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN03809590.4

申请日：2003-04-28

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 仓田靖 ,  增田克之 ,  小野裕 ,  上方康雄 ,  榎本和宏

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B57/02

CPC分类号： B24B37/0056 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明涉及研磨液及使用该研磨液的研磨方法。所述研磨液含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、及水，pH为2～5，其中，氧化金属溶解剂包括除乳酸、苯二甲酸、富马酸、马来酸及氨基乙酸五种以外的可以第一个解离的酸基的解离常数(pka)为小于3.7的酸(A组)、该A组的铵盐和A组的酯中的一种或以上，以及上述五种酸、pka为大于等于3.7的酸(B组)、该B组的铵盐和B组的酯中的一种或以上；或者金属防蚀剂包括具有三唑骨架的芳族化合物的组(C组)的一种或以上，以及具有三唑骨架的脂肪族化合物、具有嘧啶骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有噻唑骨架的化合物及具有吡唑骨架的化合物的组(D组)的一种或以上。由于金属的研磨速度大，蚀刻速度小，并且研磨磨擦小，因此，可以生产率高地得到金属配线的碟状凹陷及侵蚀小的半导体元件。