公开(公告)号：CN101300666A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200680040390.9

申请日：2006-09-22

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  日产自动车株式会社

Inventor： 桐谷范彦 ,  谷本智 ,  荒井和雄

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置，其在碳化硅半导体基板(10)的表面和背面上形成作为金属电极的金属薄膜(11、12)之后，进行对碳化硅半导体基板(10)进行加热的快速加热处理，该半导体制造装置构成为：通过与碳化硅半导体基板(10)上的形成有金属薄膜(11、12)的区域以外的区域的接触，由保持结构体(20)保持碳化硅半导体基板(10)，在半导体制造装置的加热室内设置所保持的碳化硅半导体基板(10)。

公开(公告)号：CN1979888A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610140399.9

申请日：2006-12-08

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 谷本智

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种碳化硅半导体装置及其制造方法，该碳化硅半导体装置包括：1)碳化硅衬底；2)硅化物电极，通过以引起固相反应的方式将接触母体材料沉积在该碳化硅衬底上而形成该硅化物电极，该硅化物电极是低碳含量硅化物电极，包括：i)硅，以及ii)摩尔数小于硅的碳；以及3)沉积在该硅化物电极上的上部导体膜。

公开(公告)号：CN104867969B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201510175983.7

申请日：2009-02-27

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 谷本智 ,  桐谷范彦 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  德田规夫 ,  加藤宙光 ,  大串秀世 ,  山崎聪

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/872

Abstract: 在接合元件中，通过在半导体层内形成耗尽层，在正向施加电压时存在于电极层的电子无法移动到半导体层。因此，半导体层的大多数空穴不会与半导体层内的传导电子重新结合而消失，而是扩散到半导体层并到达电极层。由此，能够不受电阻值的影响，对空穴发挥良导体的作用，能够流过与由Si、SiC半导体形成的半导体元件相同或者以上的电流。本发明能够适用于金刚石、氧化锌、氮化铝、氮化硼等施主能级和受主能级中的至少一方位于与对应于动作温度的热激发能相比足够深的位置处的所有半导体材料。另外，即使如硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、锗等那样在室温下具有较浅的杂质能级的材料，在热激发能变得足够低的低温条件下使其进行动作时也能够应用本发明。

公开(公告)号：CN101266929A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810084721.X

申请日：2008-03-14

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 谷本智

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/443 ,  H01L21/473

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅半导体装置的制造方法。本发明公开了一种具有高可靠性和更长的针对栅极氧化膜的TDDB的寿命的MOS型SiC半导体装置。该半导体装置包括MOS(金属氧化物半导体)结构，MOS结构具有碳化硅(SiC)衬底、多晶硅栅电极、插入在SiC衬底与多晶硅栅电极之间的且通过热氧化SiC衬底的表面所形成的栅极氧化膜、以及与SiC衬底电接触的欧姆触点。该半导体装置还包括通过氧化多晶硅栅电极的表面所形成的多晶硅热氧化膜。栅极氧化膜的厚度为20nm或更薄，优选为15nm或更薄。