公开(公告)号：CN101300666A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200680040390.9

申请日：2006-09-22

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  日产自动车株式会社

Inventor： 桐谷范彦 ,  谷本智 ,  荒井和雄

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置，其在碳化硅半导体基板(10)的表面和背面上形成作为金属电极的金属薄膜(11、12)之后，进行对碳化硅半导体基板(10)进行加热的快速加热处理，该半导体制造装置构成为：通过与碳化硅半导体基板(10)上的形成有金属薄膜(11、12)的区域以外的区域的接触，由保持结构体(20)保持碳化硅半导体基板(10)，在半导体制造装置的加热室内设置所保持的碳化硅半导体基板(10)。