公开(公告)号：CN112166379A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201980035022.2

申请日：2019-05-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/02 ,  C08G10/00 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：碳原子数6～60的芳香族化合物(A)、与碳原子数3～60的环式羰基化合物(B)所具有的羰基的反应生成物；以及溶剂，上述反应生成物中，上述环式羰基化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。

公开(公告)号：CN111758075A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201980014513.9

申请日：2019-02-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  齐藤大悟 ,  柄泽凉 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供形成下述抗蚀剂下层膜的组合物，上述抗蚀剂下层膜在将光致抗蚀剂组合物、不同的抗蚀剂下层膜叠层时不容易发生混合，通过提高聚合物的热回流性从而改善了烧成时对图案的填充性。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有结构基(C)的酚醛清漆树脂，上述结构基(C)通过包含至少2个氨基和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的芳香族化合物(A)的芳香族环、与芳香族乙烯基化合物(B)的乙烯基反应而形成。上述结构基(C)为下述式(1)，[在式(1)中，R1为包含至少2个氨基和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的2价基团。]。上述R1为从下述式(2)所示的化合物的芳香族环中除去2个氢原子后的2价有机基。上述R1为从N,N’‑二苯基‑1,4‑苯二胺的芳香族环中除去2个氢原子后的2价有机基。

公开(公告)号：CN110192152A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201880006868.9

申请日：2018-01-09

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  滨田聪志 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G12/34 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供兼具高蚀刻耐性、高耐热性和良好的涂布性的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物、和作为溶剂的式(1)(式(1)中的R1、R2和R3各自表示氢原子、可以被氧原子、硫原子或酰胺键中断的碳原子数1～20的烷基，R1、R2和R3彼此可以相同也可以不同，可以彼此结合而形成环结构。)所示的化合物。将该组合物在可以具有高低差的半导体基板上进行涂布、烧成而形成抗蚀剂下层膜，在该抗蚀剂下层膜上任意选择地经由无机抗蚀剂下层膜而形成抗蚀剂膜，通过光或电子射线的照射与显影来形成抗蚀剂图案，按照抗蚀剂图案对下层膜等进行蚀刻，按照被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工来制造半导体装置。

公开(公告)号：CN112236720B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN201980034895.1

申请日：2019-05-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/02 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓的高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。制作一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与碳原子数3～60的含氧化合物(B)所具有的碳氧间双键的反应生成物、以及溶剂，上述含氧化合物(B)在一分子中具有1个部分结构：‑CON＜或‑COO‑，上述反应生成物中，上述含氧化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。

公开(公告)号：CN108780279B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201780015881.6

申请日：2017-03-07

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  桥本圭祐 ,  西卷裕和 ,  田村护 ,  坂本力丸 ,  德永光

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供，能够形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆用组合物。作为解决方法是一种光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，上述化合物(E)包含部分结构(I)和部分结构(II)，并且该部分结构(II)包含通过环氧基与能够产生质子的化合物之间的反应而产生的羟基，该部分结构(I)为选自下述式(1‑1)～式(1‑5)中的至少一种、或是式(1‑6)与式(1‑7)或式(1‑8)的组合，部分结构(II)为下述式(2‑1)或式(2‑2)的部分结构。此外，关于上述组合物，在化合物(E)中，以0≤(环氧基)/(羟基)≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，以0.01≤(部分结构(II))/(部分结构(I)+部分结构(II))≤0.8的摩尔比包含部分结构(II)。

公开(公告)号：CN112236720A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201980034895.1

申请日：2019-05-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/02 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓的高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。制作一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与碳原子数3～60的含氧化合物(B)所具有的碳氧间双键的反应生成物、以及溶剂，上述含氧化合物(B)在一分子中具有1个部分结构：‑CON＜或‑COO‑，上述反应生成物中，上述含氧化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。

公开(公告)号：CN111095107A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880059291.8

申请日：2018-09-12

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  远藤贵文 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/28 ,  C09D163/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆组合物。解决手段是一种高低差基板被覆组合物，是包含下述主剂和溶剂且能够通过光照射而固化的组合物、或能够通过在光照射过程中或者在光照射后在30℃～300℃下加热而固化的高低差基板被覆组合物，上述主剂包含下述化合物(A)、化合物(B)、或它们的混合物，化合物(A)为包含下述式(A-1)或式(A-2)的结构部分的化合物，化合物(B)为包含选自下述式(B-1)～式(B-5)所示的结构部分中的至少一个结构部分，或包含由式(B-6)所示的结构部分与式(B-7)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，或包含由式(B-6)所示的结构部分与式(B-8)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，该组合物的固体成分中上述主剂的含量为95质量％～100质量％。

公开(公告)号：CN110832397A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880045397.2

申请日：2018-07-12

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 齐藤大悟 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/20 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含(A)下述式(1)所示的化合物、和(B)下述式(2-1)或下述式(2-2)所示的交联性化合物。(在式(1)中，R1各自独立地为碳原子数1～30的2价基团，R2～R7各自独立地为碳原子数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数6～10的芳基、碳原子数2～10的烯基、硫醇基或羟基，R5的至少1个为羟基或硫醇基，m2、m3和m6各自独立地为整数0～9，m4和m7各自独立地为整数0～8，m5为整数1～9，n为整数0～4，p2～p7各自独立地为整数0～2。)(在式(2-1)和式(2-2)中，Q1为单键或m12价的有机基，R12和R15各自独立地为碳原子数2～10的烷基或具有碳原子数1～10的烷氧基的碳原子数2～10的烷基，R13和R16各自独立地为氢原子或甲基，R14和R17各自独立地为碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基。n12为整数1～3，n13为整数2～5，n14为整数0～3，n15为整数0～3，它们具有3≤(n12+n13+n14+n15)≤6的关系。n16为整数1～3，n17为整数1～4，n18为整数0～3，n19为整数0～3，它们具有2≤(n16+n17+n18+n19)≤5的关系。m12为整数2～10。)

公开(公告)号：CN110546570A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880027112.2

申请日：2018-04-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/12 ,  H01L21/027

Abstract: 提供兼具高蚀刻耐性、高耐热性和良好的涂布性的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含下述式(1)[在式(1)中，AA表示单键或双键，X1表示-N(R1)-，X2表示-N(R2)-，X3表示-CH(R3)-，X4表示-CH(R4)-等，R1、R2、R3和R4表示氢原子、C1～20的直链状、支链状或环状的烷基等，R5、R6、R9和R10表示氢原子、羟基、烷基等，R7和R8表示苯环或萘环，n和o为0或1。]所示的化合物或由式(1)所示的化合物衍生的聚合物。将该组合物涂布在半导体基板上进行烧成而形成抗蚀剂下层膜，在其上任意选择地经由无机抗蚀剂下层膜而形成抗蚀剂膜，通过照射光或电子束、以及显影而形成抗蚀剂图案，通过抗蚀剂图案对下层膜进行蚀刻，通过被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工而制造半导体装置。

公开(公告)号：CN110462520A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880022769.X

申请日：2018-03-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  远藤贵文 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08F290/14 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供对图案的填充性高，在基板上形成具有能够通过光固化而形成涂膜的平坦化性的被膜、且在光照射后耐热性高的被膜的高低差基板被覆组合物。解决手段是一种光固化性高低差基板被覆组合物，其包含聚合物，上述聚合物包含式(1)所示的单元结构。〔在式(1)中，A1、A2和A3各自独立地表示可以包含杂原子的碳原子数6～100的芳香族环或表示含有可以包含杂原子的碳原子数6～100的芳香族环的烃基，B1、B2和B3各自独立地表示式(2)。(在式(2)中，R1表示碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数1～10的亚烯基、碳原子数1～10的亚炔基、碳原子数6～40的亚芳基、氧原子、羰基、硫原子、-C(O)-O-、-C(O)-NRa-、-NRb-或由它们的组合构成的基团，R2表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基。〕