粘合片
    21.
    发明公开
    粘合片 审中-实审

    公开(公告)号:CN114901770A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202080090737.0

    申请日:2020-12-10

    Abstract: 本发明提供一种粘合片,其是可将被粘物以能够剥离的方式暂时固定的粘合片,在剥离时不需要高输出功率的激光照射,且在剥离后不需要清洗被粘物的工序。本发明的粘合片具备粘合剂层,所述粘合剂层包含紫外线吸收剂和活性能量射线固化型粘合剂,该粘合片的波长355nm的光透射率为50%以下。一个实施方式中,上述粘合剂层的厚度为20μm以下。一个实施方式中,上述粘合片的可见光透射率为50%以上。

    半导体装置的制造方法
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108352437B

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN201680067695.2

    申请日:2016-10-04

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法,其在将半导体元件以利用两片绝缘基板夹住的方式进行固定时,能够防止半导体元件发生位置偏移、倾斜。一种半导体装置的制造方法,其包括下述工序:工序A,得到在形成于第一绝缘基板的第一电极上借助第一烧结前层预粘接有半导体元件的层叠体;工序B,在工序A之后,借助在第一烧结前层的相反侧设置的第二烧结前层而将半导体元件预粘接在形成于第二绝缘基板的第二电极上,从而得到半导体装置前体;以及工序C,在工序B之后,将第一烧结前层和第二烧结前层同时加热,从而将半导体元件接合于第一电极和第二电极。

    粘合片
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103305146B

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201310078333.1

    申请日:2013-03-12

    Abstract: 本发明提供一种高度差追随性优异的粘合片。本发明的粘合片具备粘合剂层和基材层,其中,该粘合剂层在70℃下的弹性模量E’与厚度之积为0.7N/mm以下,且该基材层在70℃下的弹性模量E’为1.0MPa以下。通过制成具备这样的基材层和粘合剂层的粘合片,可以提供贴附时与被粘物的密合性提高、高度差追随性优异的粘合片。

    粘合片
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104046287A

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201410087004.8

    申请日:2014-03-11

    Abstract: 本发明提供一种粘合片,其在贴附于半导体晶圆并供于半导体晶圆的背面磨削工序时,能够防止磨削水和/或磨削屑侵入粘合片和半导体晶圆之间。本发明的粘合片具备包含2种以上树脂的粘合剂层,该粘合剂层中,由利用原子力显微镜测定的与被粘物相接触侧的表面的相位图像获得的、以相位差为纵轴(y轴)、以测定距离为横轴(x轴)的第1方向和垂直于该第1方向的第2方向的线轮廓中,第1方向上的相位差的大小(P1-avg)与第2方向上的相位差的大小(P2-avg)之比(P1-avg/P2-avg)为0.94~1.06。

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