公开(公告)号：CN110819249A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910725933.X

申请日：2019-08-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 龟井胜利 ,  佐佐木贵俊

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/24 ,  B24D11/00

Abstract: 本发明提供在切割之后进行的背面研磨工序中使用的背面研磨带，其是防止背面研磨时会产生的芯片缺损的背面研磨带。本发明的背面研磨带依次具备粘合剂层、中间层和第1基材，构成该中间层的材料为具有羧基且未交联的丙烯酸类树脂，将该粘合剂层粘贴在Si镜面晶圆上时的初始粘合力为1N/20mm～30N/20mm。

公开(公告)号：CN109468077A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811045398.5

申请日：2018-09-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 佐佐木贵俊 ,  龟井胜利 ,  秋山淳

IPC: C09J7/20 ,  C09J7/38 ,  C09J7/25 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供在背面研磨工序中，不易在半导体晶圆上产生裂纹的半导体晶圆保护用粘合带。一种半导体晶圆保护用粘合带，其具有基材、及层叠在前述基材上的粘合剂层，23℃下的前述基材的厚度为10～150μm，利用热机械分析装置的压缩膨胀法、在厚度方向上施加载荷0.11N的状态下将上述粘合带从-70℃加热至150℃时的、23～100℃下的前述粘合带的厚度相对于23℃下的前述粘合带的厚度的最大增加率为1.2％以下。

公开(公告)号：CN103429690B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201280013540.2

申请日：2012-03-05

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 佐佐木贵俊 ,  土生刚志 ,  生岛伸祐 ,  龟井胜利 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  C08F210/08 ,  C09J123/14 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J123/14 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明提供一种具有可以充分填补被粘物的凹凸的高度差追随性且能够经时地保持充分填补了凹凸的状态的粘合带。本发明的粘合带具备粘合剂层和基材层，该粘合剂层在20℃下的储能模量为0.5×106Pa～1.0×108Pa，该粘合剂层在20℃～80℃下的损耗角正切tanδ为0.1以上。在优选的实施方式中，前述粘合剂层包含使用茂金属催化剂聚合而成的非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物，该丙烯-(1-丁烯)共聚物的重均分子量(Mw)为200000以上，该丙烯-(1-丁烯)共聚物的分子量分布(Mw/Mn)为2以下。

公开(公告)号：CN102093827B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201010520031.1

申请日：2010-10-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 土生刚志 ,  浅井文辉 ,  新谷寿朗 ,  佐佐木贵俊 ,  水野浩二

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J133/08 ,  H01L21/68

CPC classification number: B32B27/40 ,  B32B27/16 ,  B32B27/281 ,  B32B27/302 ,  B32B27/304 ,  B32B27/32 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B2307/308 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/51 ,  B32B2307/748 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/14 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2891

Abstract: 本发明的目的是提供一种再剥离性粘合片，其能够降低晶片的翘曲、破裂、边缘的缺口，并能够降低针对温度变化的粘合力的上升和/或再剥离时的被粘物的污染，可容易地剥离。该粘合片具备基材和层叠在该基材表面上的粘合剂层，是半导体晶片背面磨削用的再剥离性粘合片，该粘合片的弹性模量为103MPa以上，在60℃下加热10分钟后的加热收缩率为1％以下，并且粘合剂层设定为一定的厚度，使得在前述粘合片的三点弯曲试验中，在自该粘合剂层侧的30μm压入量下，最大点应力为200g/cm以下。

公开(公告)号：CN101955737A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010229677.4

申请日：2010-07-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 浅井文辉 ,  佐佐木贵俊 ,  川岛教孔

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2809 ,  Y10T428/2891

Abstract: 本发明的目的在于提供一种表面保护片，其能够改善对于突起电极的追随性，实现良好的晶圆粘接性，同时能够有效防止片材剥离时的晶圆破损。一种表面保护片，其为在表面具有10～150μm的突起电极的半导体晶圆的表面保护片，其在基材的一个面上具有由多个层构成的粘合剂层，该粘合剂层在所述表面保护片剥离时具有10～100MPa的25℃下的贮能弹性模量，且具有1.0N/20mm以下的对于硅镜面晶圆的粘合力。

公开(公告)号：CN101157830A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710153171.8

申请日：2007-09-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 浅井文辉 ,  新谷寿朗 ,  佐佐木贵俊 ,  山本晃好 ,  高桥智一

IPC: C09J7/02 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  C09J7/22 ,  C09J7/241 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/162 ,  C09J2205/114 ,  C09J2423/006 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/28

Abstract: 本发明的目的在于提供一种激光加工用粘合片，该粘合片在使用激光切断半导体晶片等被加工物时，可以把基材膜本身的切断限制在最小限度，防止基材膜向加工用的台面局部附着，从而容易且高效地进行之后的工序。本发明的激光加工用粘合片是在基材膜的表面叠层粘合剂层而形成的，其中，上述基材膜在里面含有接触减少层而构成。