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公开(公告)号：CN101518887B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200910118648.8
申请日：2009-02-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B24B37/04 , B24B37/34 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , C09J7/29 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2431/006 , C09J2433/00 , C09J2433/006 , H01L21/6835 , H01L2221/6834 , Y10T428/28
Abstract: 用于研磨半导体晶片背面的粘合片以及使用其研磨半导体晶片背面的方法。本发明提供用于研磨半导体晶片背面的粘合片，当研磨半导体晶片的背面时，将该粘合片粘合至半导体晶片的回路形成表面，其中，该粘合片以从回路形成表面侧依次包括粘合剂层、中间层的和基材，该中间层具有高于55至低于80的JIS-A硬度，和中间层的厚度为300至600μm。此外，本发明还提供用于研磨半导体晶片背面的方法，该方法包括以下步骤：将上述粘合片粘合至半导体晶片的回路形成表面，接着研磨半导体晶片背面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101518887A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910118648.8
申请日：2009-02-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B24B37/04 , B24B29/02 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , C09J7/29 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2431/006 , C09J2433/00 , C09J2433/006 , H01L21/6835 , H01L2221/6834 , Y10T428/28
Abstract: 用于研磨半导体晶片背面的粘合片以及使用其研磨半导体晶片背面的方法。本发明提供用于研磨半导体晶片背面的粘合片，当研磨半导体晶片的背面时，将该粘合片粘合至半导体晶片的回路形成表面，其中，该粘合片以从回路形成表面侧依次包括粘合剂层、中间层的和基材，该中间层具有高于55至低于80的JIS－A硬度，和中间层的厚度为300至600μm。此外，本发明还提供用于研磨半导体晶片背面的方法，该方法包括以下步骤：将上述粘合片粘合至半导体晶片的回路形成表面，接着研磨半导体晶片背面。
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公开(公告)号：CN101955737A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010229677.4
申请日：2010-07-13
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , Y10T428/2495 , Y10T428/26 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/2891
Abstract: 本发明的目的在于提供一种表面保护片，其能够改善对于突起电极的追随性，实现良好的晶圆粘接性，同时能够有效防止片材剥离时的晶圆破损。一种表面保护片，其为在表面具有10～150μm的突起电极的半导体晶圆的表面保护片，其在基材的一个面上具有由多个层构成的粘合剂层，该粘合剂层在所述表面保护片剥离时具有10～100MPa的25℃下的贮能弹性模量，且具有1.0N/20mm以下的对于硅镜面晶圆的粘合力。
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公开(公告)号：CN101859692A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010142167.3
申请日：2010-04-01
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/68 , C09J7/02 , C09J133/08
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B3/28 , B32B3/30 , B32B7/06 , B32B25/042 , B32B25/06 , B32B25/08 , B32B25/14 , B32B27/08 , B32B27/10 , B32B27/16 , B32B27/18 , B32B27/20 , B32B27/22 , B32B27/283 , B32B27/302 , B32B27/304 , B32B27/306 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B29/06 , B32B2255/10 , B32B2255/12 , B32B2255/26 , B32B2270/00 , B32B2274/00 , B32B2307/50 , B32B2307/748 , B32B2405/00 , C09J7/29 , C09J2203/326 , C09J2467/006 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T428/2848
Abstract: 本发明涉及半导体晶片保护用压敏粘合片及其粘贴方法。本发明提供半导体晶片保护用压敏粘合片的粘贴方法，该方法包括将包含依次叠置的基材、至少一中间层和压敏粘合剂层的半导体晶片保护用压敏粘合片粘贴至半导体晶片的表面，其中，将该压敏粘合片在50℃至100℃范围内的粘贴温度下粘贴至该半导体晶片，并且与该压敏粘合剂层接触的中间层在该粘贴温度下具有损耗角正切(tanδ)为0.5以上。
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公开(公告)号：CN101859692B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201010142167.3
申请日：2010-04-01
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/68 , C09J7/02 , C09J133/08
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B3/28 , B32B3/30 , B32B7/06 , B32B25/042 , B32B25/06 , B32B25/08 , B32B25/14 , B32B27/08 , B32B27/10 , B32B27/16 , B32B27/18 , B32B27/20 , B32B27/22 , B32B27/283 , B32B27/302 , B32B27/304 , B32B27/306 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B29/06 , B32B2255/10 , B32B2255/12 , B32B2255/26 , B32B2270/00 , B32B2274/00 , B32B2307/50 , B32B2307/748 , B32B2405/00 , C09J7/29 , C09J2203/326 , C09J2467/006 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T428/2848
Abstract: 本发明涉及半导体晶片保护用压敏粘合片及其粘贴方法。本发明提供半导体晶片保护用压敏粘合片的粘贴方法，该方法包括将包含依次叠置的基材、至少一中间层和压敏粘合剂层的半导体晶片保护用压敏粘合片粘贴至半导体晶片的表面，其中，将该压敏粘合片在50℃至100℃范围内的粘贴温度下粘贴至该半导体晶片，并且与该压敏粘合剂层接触的中间层在该粘贴温度下具有损耗角正切(tanδ)为0.5以上。
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公开(公告)号：CN101942278A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010223680.5
申请日：2010-07-07
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/68 , H01L21/304 , B32B27/00 , C09J133/00
CPC classification number: C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , C09J2400/226 , C09J2423/006 , C09J2467/006 , C09J2479/086 , Y10T428/264 , Y10T428/269 , Y10T428/2848
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体晶圆切割用粘合片和使用该粘合片的半导体晶圆的切割方法，所述半导体晶圆切割用粘合片即使在半导体晶圆的表面存在凹凸等的情况下，也能够良好地追随于该凹凸，能够防止粘合片粘贴面的浸水、污染、芯片飞溅、碎裂等。一种半导体晶圆切割用粘合片，该半导体晶圆切割用粘合片至少由基材、中间层和粘合剂层层压而成，所述中间层通过熔点为50～100℃的热塑性树脂形成，所述基材的熔点高于所述中间层的熔点。
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