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公开(公告)号：CN117812989A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311138869.8
申请日：2023-09-05
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/50 , H10N30/00 , H10N30/853 , H10N30/045 , H10N30/20
Abstract: 本发明涉及压电元件及致动器，课题为以低成本提供在低电压下获得高的压电性能的压电元件及压电致动器。压电元件在基板上依次具备第1电极、第1压电膜、第2电极、第2压电膜及第3电极，第1压电膜及第2压电膜均以在A位包含Pb且在B位包含Zr、Ti及M的钙钛矿型氧化物作为主成分，M为选自V、Nb、Ta、Sb、Mo及W中的金属元素，第1压电膜和第2压电膜所包含的钙钛矿型氧化物中的Pb组成比不同，使第1电极接地、将第2电极作为驱动电极对第1压电膜测定的极化‑电场滞后和使第2电极接地、将第3电极作为驱动电极对第2压电膜测定的极化‑电场滞后相对于各自的原点向相同的电场方向偏移。
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公开(公告)号：CN117121656A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280022178.9
申请日：2022-03-10
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/853 , H10N30/074
Abstract: 本发明提供一种兼备了高耐压和长期可靠性的压电膜、压电元件及压电膜的制造方法。一种压电膜，其以钙钛矿型氧化物作为主成分，在表示由一对电极层夹持并以10kV/cm·sec的第1变化速度从‑40V至+40V扫描施加电压时获得的电压与施加了电压时流过的电流之间的关系的电流‑电压曲线中，具有2个极大值。
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公开(公告)号：CN117084002A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280024352.3
申请日：2022-03-10
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/853
Abstract: 提供一种抑制了压电特性降低的廉价的压电元件(1)及压电元件的制造方法。一种压电元件，其在基板(11)上依次具备下部电极层(12)、以钙钛矿型氧化物为主成分的压电膜(15)及上部电极层(18)，其中，上部电极层的至少最靠压电膜侧的区域由包含In的氧化物导电层构成，关于压电膜与上部电极层的氧化物导电层之间的界面区域，通过X射线光电子能谱测定获得的结合能的强度分布中，将源自与氧键合的In的3d5/2轨道的结合能的峰值强度设为α，将源自与OH基键合的In的3d5/2轨道的结合能的峰值强度设为γ时的峰值强度比γ/α满足γ/α≤0.25。
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公开(公告)号：CN116648131A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310141311.9
申请日：2023-02-08
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/50 , H10N30/853 , H10N30/093 , H10N30/076 , C23C14/34 , C23C14/08
Abstract: 本发明涉及压电层叠体、压电元件及压电层叠体的制造方法，获得一种长期可靠性优异的压电层叠体及压电元件。所述压电层叠体依次具备下部电极层、及包含含Pb钙钛矿型氧化物的压电膜，所述压电膜中，包含作为构成元素的氧超过自然丰度的质量数为18的氧原子18O。
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公开(公告)号：CN116264877A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202180066173.1
申请日：2021-06-11
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/853
Abstract: 本发明提供一种压电层叠体及压电元件，该压电层叠体在基板上依次具备下部电极层、压电膜，其中，下部电极层中的与压电膜接触的区域由金属层构成，金属层的(111)面相对于基板的表面具有1°以上的斜率，压电膜包含含有Pb的钙钛矿型氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111836779A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980017033.8
申请日：2019-02-26
Applicant: 富士胶片株式会社 , 人工光合成化学工艺技术研究组合
Abstract: 本发明的课题在于提供一种起始电位优异的水分解用光催化剂电极及水分解装置。本发明的水分解装置通过对氢产生用光催化剂电极及氧产生用光催化剂电极照射光而从氢产生用光催化剂电极及氧产生用光催化剂电极产生气体，所述水分解装置具有：用于装满电解水溶液的槽；及配置在槽内的氢产生用光催化剂电极及氧产生用光催化剂电极，氢产生用光催化剂电极具有p型半导体层、设置在p型半导体层上的n型半导体层及设置在n型半导体层上的助催化剂，p型半导体层为包含含有Cu、In、Ga及Se的CIGS化合物半导体的半导体层，CIGS化合物半导体中的Ga相对于Ga及In的合计摩尔量的摩尔比为0.4～0.8。
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公开(公告)号：CN110035822B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201780075480.X
申请日：2017-12-12
Applicant: 富士胶片株式会社 , 人工光合成化学工艺技术研究组合 , 国立大学法人东京大学
Abstract: 本发明的目的在于，提供光电流密度优异的制氧用光催化剂电极、制氧用光催化剂电极的制造方法及模块。本发明的制氧用光催化剂电极是包含集电层、和含有Ta3N5的光催化剂层的制氧用光催化剂电极，在上述集电层与上述光催化剂层之间，具有电荷分离促进层。
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公开(公告)号：CN103201846A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180051703.1
申请日：2011-11-01
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03923 , H01L31/022425 , Y02E10/541
Abstract: [问题]一种光电转换元件，包括光电转换层，且使密着性提高，所述光电转换层藉由蒸镀法而形成于包含过渡金属的导电层上。[解决方案]光电转换元件（1）于基板（10）上具有包含过渡金属元素的导电层（20）、包含化合物半导体的光电转换层（30）、以及透明电极（60）的积层构造，所述化合物半导体含有Ib族元素、IIIb族元素及VIb族元素，光电转换元件（1）采用如下的构成，即，于导电层（20）与光电转换层（30）之间包括过渡金属二硫属化物薄膜（25），该过渡金属二硫属化物薄膜（25）包含过渡金属元素与VIb族元素。构成所述过渡金属二硫属化物薄膜（25）的多个微结晶（25a）中，c轴为大致垂直地形成于导电层（20）的表面的微结晶于形成有薄膜的导电层（20）的表面所占的比例设为80%以下。
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公开(公告)号：CN101908596A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010200075.6
申请日：2010-06-08
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/0973 , H01L41/1136 , H01L41/1878
Abstract: 本发明提供一种压电器件，含其的压电致动器，液体排出装置和发电装置，该压电器件在传输能力和接收能力方面均优异，并且适于用作压电致动器、传感器、超声波传感器或发电器件。压电器件(1)包括具有压电性的压电体(13)和一对电极(12，14)，所述一对电极用于在预定方向上对所述压电体施加电场，其中压电体的压电应变常数d33(pm/V)和相对介电常数ε33满足下式(1)和(2)。100＜ε33＜1500 (1)
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公开(公告)号：CN101304068B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810088790.8
申请日：2008-05-07
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: B41J2/14201 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1871 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 一种压电元件及其制造方法和液体排出装置，在压电元件中，压电体膜包含以下强电介质相中的任意一种：由电场施加方向和由自发极化轴和[010]轴构成的面的法线构成的角θm满足-45°＜θm＜+45°且θm≠0°的强电介质相(I)；自发极化轴相对于电场施加方向垂直，且由电场施加方向和由自发极化轴和[010]轴构成的面的法线构成的角θm满足-45°＜θm＜+45°且θm≠0°的强电介质相(II)；以及[010]轴相对于电场施加方向垂直，且由电场施加方向和由自发极化轴和[010]轴构成的面的法线构成的角θm满足-45°＜θm＜+45°且θm≠0°的强电介质相(III)。
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