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公开(公告)号：CN106489195A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201580036786.5
申请日：2015-07-09
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L23/49822 , H01L21/486 , H01L23/32 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H01R4/04 , H01R12/52 , H01R13/2414 , H05K1/03 , H05K1/144 , H05K3/323 , H05K2201/0116 , H05K2201/09945 , H05K2201/10378 , H05K2203/1189 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种可达成优异的导通可靠性的异向导电构件及使用其的多层配线基板。本发明的各向异性导电构件具备：包含无机材料的绝缘性基材；包含导电性构件的多个导电通路，以在绝缘性基材的厚度方向上贯通、相互绝缘的状态而设置；粘着层，设于绝缘性基材的表面；各导电通路包含自绝缘性基材的表面突出的突出部分，各导电通路的突出部分的端部自粘着层的表面露出或突出。
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公开(公告)号：CN104425827A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410437651.7
申请日：2014-08-29
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01M4/66 , H01M4/70 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/661 , H01M4/78 , H01M10/052
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种可制作容量保持率及循环特性优异的二次电池的集电体用铝基材、以及使用其的集电体、正极、负极及二次电池。本发明的集电体用铝基材是具有至少一部分被糙面化了的表面的集电体用铝基材，未被糙面化的表面的面积率为20％以下、被糙面化了的表面以10个/100μm2以上的密度具有平均开口直径0.5μm～3.0μm的凹部。
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公开(公告)号：CN103890986A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280051044.6
申请日：2012-10-18
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C22C12/00 , C23C14/024 , C23C14/086 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/12 , C25D11/16 , C25D11/18 , C25D11/24 , H01L35/34
Abstract: 本发明涉及一种热电转换元件及其制造方法，所述热电转换元件是在基板上层积热电转换层而成的，所述基板具有铝的多孔质阳极氧化皮膜，所述热电转换层含有无机氧化物半导体或熔点为300℃以上的元素作为主要成分且具有空隙结构。
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公开(公告)号：CN103270199A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062875.9
申请日：2011-12-21
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , C25D7/08 , C25D11/04 , C25D11/12 , G02B5/0808 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1301 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于，提供显示出高反射率、并且可以获得反射率的各向异性小、各向同性优异的发光的光反射基板、以及使用了它的发光元件。本发明的光反射基板是具备铝基板、和其上的铝的阳极氧化皮膜的光反射基板，所述阳极氧化皮膜表面的第一方向的表面粗糙度Ra1、和与所述第一方向正交的第二方向的表面粗糙度Ra2的比(其中，以Ra1及Ra2中的更大的值的一方作为分母，以值小的一方作为分子。而且，在Ra1及Ra2为相同值的情况下，无论哪一个为分母都可以。)为0.4～1.0，Ra1及Ra2分别为0.1～0.4μm。
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公开(公告)号：CN103140762A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180047777.8
申请日：2011-09-26
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01R12/7082 , G01R1/0735 , G01R31/2889 , H01R12/732 , H01R13/2407 , H05K3/361 , Y10T29/49126
Abstract: 提出了一种具有连接的电路板的结构，使用压力部件将各向异性导电部件与具有第一电极的刚性电路板和具有作为连接盘的第二电极的柔性电路板相连接，所述压力部件使用之间的支持板按压所述电路板。在所述结构中，多个导电路径沿厚度方向穿透各向异性导电部件的绝缘基材，所述导电路径的每一个具有分别从所述绝缘基材的一个表面和另一个表面突出的第一突出部和第二突出部，所述第二突出部的高度(H2a)是5μm或以上，并且小于或等于从柔性电路板的表面开始的连接盘的厚度的两倍。第一突出部与第一电极的至少一部分接触，第二突出部与连接盘的表面的至少一部分接触，按压所述各向异性导电部件的绝缘基材，使得所述绝缘基材不与所述柔性电路板直接接触，在利用施加至连接盘的300MPa至1000MP的压力下附着和分离电路板时不会向电路板施加负荷，并且减小了电路板的破裂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101255588B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710160319.0
申请日：2007-12-19
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C25D11/12 , C25D11/24 , H01L21/31687 , Y10T428/12479 , Y10T428/249953
Abstract: 本发明公开了一种制备微结构体的方法和通过所述方法制备的微结构体，在所述方法中，对铝衬底依次进行以下步骤：(1)对铝衬底的表面进行第一阳极化处理，以在铝衬底的表面上形成具有微孔的阳极化膜的步骤；(2)使用酸或碱部分地溶解所述阳极化膜的步骤；(3)进行第二阳极化处理，以使微孔在它们的深度方向上生长的步骤；和(4)除去在微孔横截面中的拐点之上的部分阳极化膜的步骤，从而得到具有形成在所述阳极化膜的表面上的微孔的微结构体。所述方法能够在短的时期内得到具有有序排列的凹坑的微结构体，而没有使用高毒性的铬(VI)酸。
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公开(公告)号：CN101276661B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810087625.0
申请日：2008-03-25
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种各向异性导电性部件及其制造方法，其能够显著提高导通路的设置密度，即使在更加推进高集成化的现在也能够用作半导体元件等的电子器件的电连接部件或检查用插接件等。本发明的各向异性导电性部件是在绝缘性基材中由导电性部件构成的多个导通路以相互被绝缘的状态在厚度方向贯通绝缘性基材，并且以所述各导通路的一端在所述绝缘性基材的一面露出且所述各导通路的另一端在所述绝缘性基材的另一面露出的状态设置的各向异性导电性部件，其中，所述导通路的密度在200万个/mm2以上，所述绝缘性基材是由具有规则排列的微孔的铝基板的阳极氧化被膜构成的结构体。
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公开(公告)号：CN102460749A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080028235.1
申请日：2010-06-23
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1301 , H01L2933/0058 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于安装发光元件(22)的光反射基板(30)，所述光反射基板(30)至少包括绝缘层(32)和与所述绝缘层接触的金属层(33)。所述光反射基板的特征在于：金属层由铝形成；绝缘层为阳极氧化的铝涂布膜；所述光反射基板的表面具有平均波长为0.01-100μm的粗糙度；并且320nm至700nm的光的全反射率不小于50％，并且300nm至320nm的光的全反射率不小于60％。所述基板提高了安装在其上的发光元件的发光输出。
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公开(公告)号：CN102317010A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007950.7
申请日：2010-02-17
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B22F1/00 , B22F1/02 , B22F9/02 , B22F9/08 , B22F9/24 , B82B1/00 , B82B3/00 , C25D11/18 , C25D11/20
CPC classification number: B22F1/004 , B22F1/0025 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B81B2207/056 , B81C1/00111 , B82Y30/00 , C25D11/18 , C25D11/20 , Y10T428/12424 , B22F9/04 , B22F3/10 , B22F2201/10 , B22F2201/20
Abstract: 本发明提供高纵横尺寸比的金属构件如纳米柱、纳米棒等及其制备方法，这种金属构件通过以下方法制备：用金属填充有序度为70％以上的阳极氧化膜的微孔至5以上的纵横尺寸比，随后在惰性气体气氛中或在真空中在300℃以上至1000℃以下进行烘焙以提高结晶性。
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公开(公告)号：CN101897083A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880119897.2
申请日：2008-12-01
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H01R12/714 , Y10T29/49126 , Y10T29/4921 , Y10T428/24074 , Y10T428/24083 , Y10T428/24091 , Y10T428/24174 , Y10T428/24917 , Y10T428/249953 , Y10T428/249956 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种各向异性导电接合组件，其中各向异性导电膜被接合到至少一种导电材料上，所述至少一种材料选自金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、镍(Ni)、铟掺杂的氧化锡(ITO)、钼(Mo)、铁(Fe)、Pd(钯)、铍(Be)和铼(Re)。所述组件的特征在于：所述各向异性导电膜具有绝缘基底和导电通道，所述导电通道由导电构件构成，彼此绝缘，并且在所述绝缘基底的厚度方向上延伸通过所述绝缘基底，导电通道的一端暴露于所述绝缘基底的一侧，并且另一端暴露于另一侧，所述导电通道的密度是3,000,000个/mm2以上，并且所述绝缘基底是具有微孔的铝基板的阳极氧化膜构成的结构体，并且每一个微孔沿着深度都没有分支结构。通过显著提高了导电通道的设置密度，即使结构体实现了更高的集成度，所述组件也可以被用作半导体器件等的电子部件的各向异性导电构件或用于检查的连接器。
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