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公开(公告)号：CN117812990A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311206754.8
申请日：2023-09-18
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/80 , H10N30/50 , H10N30/20 , H10N30/853
Abstract: 提供压电元件及致动器。压电元件在基板上依次具备第1电极、第1压电膜、第2电极、第2压电膜及第3电极将一个压电膜的滞后曲线中的、正侧的矫顽电压设为Vcf+、负侧的矫顽电压设为Vcf‑、两者之差的绝对值|Vcf+‑Vcf‑|设为ΔVcf、2个矫顽电压Vcf+的绝对值及Vcf‑的绝对值中较大的一方设为Vcf，将另一个压电膜的滞后曲线中的、正侧的矫顽电压设为Vcr+、负侧的矫顽电压设为Vcr‑、两者之差的绝对值|Vcr+‑Vcr‑|设为ΔVcr、矫顽电压Vcr+的绝对值及矫顽电压Vcr‑的绝对值中较大的一方设为Vcr时，满足ΔVcr＜ΔVcf‑0.2且Vcr＜Vcf‑0.2。
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公开(公告)号：CN117812988A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311236583.3
申请日：2023-09-22
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题为以低成本提供在低电压下获得高的压电性能的压电元件及致动器。压电元件在基板上依次具备第1电极、第1压电膜、第2电极、第2压电膜及第3电极，第1压电膜及第2压电膜均以添加了金属元素M的PZT作为主成分，第1压电膜和第2压电膜中的一个压电膜具有在膜厚方向上一致的自发极化，将表示其中一个压电膜的极化‑电压特性的滞后曲线中的、正侧的矫顽电压设为Vcf+、负侧的矫顽电压设为Vcf‑，将另一个压电膜的极化‑电压特性中的、正侧的矫顽电压设为Vcr+、负侧的矫顽电压设为Vcr‑时，满足|Vcr++Vcr‑|＜|Vcf++Vcf‑|‑0.2。
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公开(公告)号：CN116782745A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310240096.8
申请日：2023-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 中村诚吾
IPC: H10N30/853 , H10N30/87 , H10N30/00 , H10N30/50
Abstract: 本发明涉及压电层叠体及压电元件，其获得兼具高压电常数和高耐电压。所述压电层叠体及压电元件是在基板上依次具备下部电极层及压电膜的压电层叠体及压电元件，其中，压电膜包含钙钛矿型氧化物，压电膜具备：第1区域，钙钛矿型氧化物以(100)面取向或(001)面取向与基板面的法线方向形成的第1角度为5°以上且30°以下的第1钙钛矿晶体为主成分；及第2区域，设置于第1区域与下部电极层之间，钙钛矿型氧化物以(100)面取向或(001)面取向与法线方向形成的第2角度小于5°的第2钙钛矿晶体为主成分，且第2区域的厚度为30nm以上。
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公开(公告)号：CN111095037B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201880059995.5
申请日：2018-08-17
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种耐久性高的防反射膜、具备防反射膜的光学元件及具备该光学元件的光学系统。在所述防反射膜中，从基材侧起，依次层叠有中间层、含有银的含银金属层及电介质层，中间层为具有相对高的折射率的高折射率层与具有相对低的折射率的低折射率层交替层叠的2层以上的多层膜，电介质层具有露出于空气的表面，电介质层为包含含硅的氧化物层、氟化镁层、设置于含硅的氧化物层及氟化镁层之间且提高含硅的氧化物层与氟化镁层的密合性的密合层的多层膜。
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公开(公告)号：CN111902739A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201880091646.1
申请日：2018-12-20
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种环境耐久性优异的防反射膜及光学部件。防反射膜具备配置于基材侧的电介质多层膜及层叠设置于电介质多层膜的以水合氧化铝为主要成分的微细凹凸层。电介质多层膜由具有相对高的折射率的高折射率层和具有相对低的折射率的低折射率层的交替层构成，电介质多层膜作为高折射率层及低折射率层中的1个层而包含由氮化硅构成的阻挡层，阻挡层的密度为2.7g/cm3以上且厚度为15nm以上且150nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111051055A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055579.8
申请日：2018-08-08
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种在树脂基材上具备平坦的超薄膜的金属层的密合性高的层叠膜及其制造方法。本发明的层叠膜设为如下：依次层叠树脂基材、由有机层和无机层交替层叠而成的有机无机多层膜及厚度为20nm以下的含银金属层而成，有机无机多层膜的最靠含银金属层侧的层为无机层，在无机层的表面具备Hamaker常数为7.3×10-20J以上的锚金属扩散控制层，在锚金属扩散控制层与含银金属层之间具备包含锚金属的氧化物的锚区域，该锚金属具有与锚金属扩散控制层相比，与含银金属层的表面能之差较小的表面能，在含银金属层的与锚金属扩散控制层侧的面相反的面侧具备包含锚金属的氧化物的罩体区域。
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公开(公告)号：CN108496245A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201780007888.3
申请日：2017-01-11
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明提供一种使用有机半导体溶液来制造有机半导体膜的有机半导体膜的制造装置。制造装置具有：涂布部件，与形成有机半导体膜的基板的表面对向且分开而配置，在与基板之间形成有机半导体溶液的积液；供给部，向基板和涂布部件之间供给有机半导体溶液；以及罩部，至少覆盖有机半导体溶液的晶体生长部。罩部具备附着有机半导体溶液蒸发出的溶剂且将由有机半导体溶液蒸发出的溶剂形成的附着物导向有机半导体膜的未成膜区域的引导件。一边由供给部向与基板的表面之间供给有机半导体溶液，一边使涂布部件以接触有机半导体溶液的状态在与基板的表面平行的第1方向上移动，从而将晶体生长部作为起点而形成有机半导体膜。
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公开(公告)号：CN117812989A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311138869.8
申请日：2023-09-05
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/50 , H10N30/00 , H10N30/853 , H10N30/045 , H10N30/20
Abstract: 本发明涉及压电元件及致动器，课题为以低成本提供在低电压下获得高的压电性能的压电元件及压电致动器。压电元件在基板上依次具备第1电极、第1压电膜、第2电极、第2压电膜及第3电极，第1压电膜及第2压电膜均以在A位包含Pb且在B位包含Zr、Ti及M的钙钛矿型氧化物作为主成分，M为选自V、Nb、Ta、Sb、Mo及W中的金属元素，第1压电膜和第2压电膜所包含的钙钛矿型氧化物中的Pb组成比不同，使第1电极接地、将第2电极作为驱动电极对第1压电膜测定的极化‑电场滞后和使第2电极接地、将第3电极作为驱动电极对第2压电膜测定的极化‑电场滞后相对于各自的原点向相同的电场方向偏移。
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公开(公告)号：CN117121656A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280022178.9
申请日：2022-03-10
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/853 , H10N30/074
Abstract: 本发明提供一种兼备了高耐压和长期可靠性的压电膜、压电元件及压电膜的制造方法。一种压电膜，其以钙钛矿型氧化物作为主成分，在表示由一对电极层夹持并以10kV/cm·sec的第1变化速度从‑40V至+40V扫描施加电压时获得的电压与施加了电压时流过的电流之间的关系的电流‑电压曲线中，具有2个极大值。
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公开(公告)号：CN117084002A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280024352.3
申请日：2022-03-10
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/853
Abstract: 提供一种抑制了压电特性降低的廉价的压电元件(1)及压电元件的制造方法。一种压电元件，其在基板(11)上依次具备下部电极层(12)、以钙钛矿型氧化物为主成分的压电膜(15)及上部电极层(18)，其中，上部电极层的至少最靠压电膜侧的区域由包含In的氧化物导电层构成，关于压电膜与上部电极层的氧化物导电层之间的界面区域，通过X射线光电子能谱测定获得的结合能的强度分布中，将源自与氧键合的In的3d5/2轨道的结合能的峰值强度设为α，将源自与OH基键合的In的3d5/2轨道的结合能的峰值强度设为γ时的峰值强度比γ/α满足γ/α≤0.25。
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