公开(公告)号：CN115443543A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202180030596.8

申请日：2021-11-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 原田祐一 ,  野口晴司 ,  小宫山典宏 ,  伊仓巧裕 ,  樱井洋辅 ,  铃木启久

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；以及第一导电型的缓冲区，其设置在漂移区与半导体基板的下表面之间，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高，缓冲区具有配置在半导体基板的深度方向上的不同位置的两个以上的氦化学浓度峰。各个氦化学浓度峰的半峰全宽可以为1μm以下。各个氦化学浓度峰可以注入4He而形成。

公开(公告)号：CN113454789A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202080011718.4

申请日：2020-08-04

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大井幸多 ,  伊仓巧裕 ,  樱井洋辅 ,  北村睦美 ,  小野泽勇一 ,  加藤由晴 ,  安喰彻

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；以及第一导电型的缓冲区，其设置于漂移区与半导体基板的下表面之间，并在半导体基板的深度方向上具有3个以上的掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的浓度峰，3个以上的浓度峰包含：最浅峰，其最接近半导体基板的下表面；高浓度峰，其配置于比最浅峰更远离半导体基板的下表面的位置；以及低浓度峰，其配置于比高浓度峰更远离半导体基板的下表面的位置，且掺杂浓度为高浓度峰的掺杂浓度的1/5以下。