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公开(公告)号：CN106366105B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610635012.0
申请日：2016-08-04
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： C07F5/02 , C07C45/68 , C07C45/40 , C07C49/83 , C07C49/835
CPC分类号： C07C45/40 , C07C45/68 , C07C49/83 , C07C49/835 , C07F5/02
摘要： 本发明涉及一种二氟烯丙基硼酸酯的制备方法及其应用，属于化合物制备领域。一种二氟烯丙基硼酸酯的制备方法，是于溶剂中，以通式II所示化合物和联硼酸频那醇酯为原料，在铁催化剂和碱存在下按下述反应式进行反应，得通式I所示化合物，本发明所述方法直接使用便宜、市售的金属铁盐作为催化剂，为二氟烯丙基硼酸酯的制备提供了一种方便、低成本的方法，而且为γ‑氨基丁酸受体激动剂(III)的合成提供了一种新的有效的途径。
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公开(公告)号：CN103469299B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310398997.6
申请日：2013-09-05
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明提供一种掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜，该掺杂氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：选取衬底，所述衬底中含有目标掺杂元素；采用金属有机物化学气相沉积法在所述衬底上制备氧化镓膜，得到掺杂氧化镓膜初品；对制备得到的掺杂氧化镓膜初品进行热处理和激活，得到掺杂氧化镓膜。本发明掺杂氧化镓膜的制备方法步骤科学、合理，有效解决了目前金属有机物化学气相沉积法难以实现氧化镓膜的多种类、安全、有效掺杂的问题。本发明制备得到的掺杂氧化镓膜具有优良的导电特性。
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公开(公告)号：CN103456603B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310401102.X
申请日：2013-09-05
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜，在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法包括以下步骤：选取镓系半导体衬底，并清理镓系半导体衬底表面；然后在含有氧分压的气氛中，采用外部能量对镓系半导体衬底进行处理，将镓系半导体衬底表面区域的镓原子与其它组分原子形成的化学键打开，使得镓原子与气氛中的氧原子结合形成镓氧键；最后采用氧化镓膜生长技术在处理后的镓系半导体衬底上生长氧化镓膜。本发明在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法步骤科学、合理，解决了现有技术的诸多问题，有效降低了异质外延生长氧化镓膜的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN102543988B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210052040.1
申请日：2012-03-02
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/64
摘要： 本发明公开了一种金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED及制备方法。本发明金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED是将发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED连接在一起，在电流驱动下发射白光。本发明的特点是将两种发射不同颜色光的LED（分别为发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED）通过直接键合技术集成在一起；金属支撑基板作为整个器件的新支撑体与衬底剥离工艺使得器件的散热性能得到大幅提升，解决了LED结温影响发光性能的弊端；多电极的引入可分别控制红光、黄光或红黄混合光与蓝光比例，以调节白光LED的色温；欧姆接触合金发射层的存在与GaAs衬底的剥离使得器件的光提取效率得到大幅度提升。
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公开(公告)号：CN103489967A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310399590.5
申请日：2013-09-05
申请人： 大连理工大学
CPC分类号： H01L21/02565 , H01L21/0262
摘要： 本发明涉及半导体材料制备领域，公开了一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜，采用三甲基镓或三乙基镓作为镓源，以气态含氧物质作为氧源，以含氢的化合物作为辅助反应气体，进而制备氧化镓外延膜。本发明使用MOCVD系统且通过调节生长参数、加入辅助反应物和优化后续处理方法来制备氧化镓外延膜，该方法能够让有机源充分反应，且反应产物可以完全脱离，避免了碳及其相关化合物的再次沉积对氧化镓膜表面造成的污染；经本方法制备的氧化镓外延膜性能优异，符合未来工业化量产的需求。
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公开(公告)号：CN103469299A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310398997.6
申请日：2013-09-05
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明提供一种掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜，该掺杂氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：选取衬底，所述衬底中含有目标掺杂元素；采用金属有机物化学气相沉积法在所述衬底上制备氧化镓膜，得到掺杂氧化镓膜初品；对制备得到的掺杂氧化镓膜初品进行热处理和激活，得到掺杂氧化镓膜。本发明掺杂氧化镓膜的制备方法步骤科学、合理，有效解决了目前金属有机物化学气相沉积法难以实现氧化镓膜的多种类、安全、有效掺杂的问题。本发明制备得到的掺杂氧化镓膜具有优良的导电特性。
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公开(公告)号：CN218779008U
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202223054704.6
申请日：2022-11-17
申请人： 大连理工大学
摘要： 本实用新型属于掩模夹具技术领域，公开了一种用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具，包括掩模夹具本体，其上分为均匀分布的四个镂空方孔和用于可调整图形化掩模位置的镂空滑轨；若干抽屉式掩模，用于实现图形化电极，其上开有用于精细对准的对准圆孔。本实用新型的用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具，通过抽屉式多层可抽动的掩模版设计，和不同图案掩模的嵌套组合，有效解决了实验用碳化硅样品，多层电极尺寸对准精度不高，频繁更换样品引入沾污，多个分立掩模成本过高，不易保存等问题。本掩模夹具制备节约成本，可用于实验用多层复杂的电极结构制备。
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公开(公告)号：CN218767329U
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202223087578.4
申请日：2022-11-17
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： G01T7/00
摘要： 本实用新型属于半导体器件测试技术领域，公开了一种基于带电粒子响应特性的碳化硅探测器极化效应测试系统，包括碳化硅探测器、带电粒子源、准直器、铝合金屏蔽盒、真空罐、机械真空泵、电荷灵敏前置放大器、主放大器、低压供电电源、高压电源、多道分析仪、计算机、数字信号示波器和连接信号线缆。本实用新型设计的一种基于带电粒子响应特性的碳化硅探测器极化效应测试系统，确定了碳化硅探测器的极化效应程度，给出碳化硅探测器稳定工作的预极化条件，同时为碳化硅探测器缺陷研究提供参考。
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