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公开(公告)号：CN1758430A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510102531.2
申请日：2005-09-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/00 , H01L23/12 , H01L23/48 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明的半导体器件，具备：具有贯通孔的半导体基板；在上述贯通孔的内面上形成的第1绝缘树脂层；在上述半导体基板的表背面中的至少一方的面上形成的第2绝缘树脂层；以及在上述贯通孔内以至少把上述半导体基板的表背两面间连接起来的方式连续地形成，而且，已借助于上述第1绝缘树脂层与上述贯通孔的内面绝缘的第1导电体层。在第2绝缘树脂层上，可以具备已与贯通孔内的第1导电体层电连的第2导电体层(布线图形)。可以得到在贯通孔内形成、构成连接插塞等的导电体层的绝缘可靠性高，适合于多芯片封装体等的半导体器件。连接半导体基板的表背间的导电体层和绝缘层的形成性高，可以削减形成成本。
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公开(公告)号：CN102651379A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210043827.1
申请日：2012-02-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1469
Abstract: 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。实施例的半导体制造方法具备：在第1基板的主表面上形成作为包含光电二极管的有源区域的光电二极管层的步骤；在所述光电二极管层上，形成包含布线以及覆盖该布线的绝缘层的布线层的步骤；在所述布线层上形成绝缘膜的步骤。实施例的半导体制造方法还具备：以使所述光电二极管层的晶体取向和第2基板的晶体取向一致的方式将所述第2基板接合到所述第1基板的所述绝缘膜的步骤。
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公开(公告)号：CN100382304C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510009366.6
申请日：2005-02-17
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高可靠性。本发明的半导体装置包括：支承板(5)，其粘接在所述半导体衬底(1)的表面上，使其覆盖介由由氧化硅膜或氮化硅膜等构成的绝缘层(2)形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)；通孔(8)，其从所述半导体衬底(1)的背面到达所述焊盘电极(3)的表面，其中，靠近所述焊盘电极表面的部分的开口直径大于靠近所述半导体衬底(1)背面的部分的开口直径。
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公开(公告)号：CN101055867A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710096315.0
申请日：2007-04-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/18 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，具备：表面侧形成有电极焊盘的半导体基板；贯通电极，其具有：形成为从所述半导体基板的背面侧到达形成于所述电极焊盘上的金属凸块的贯通孔，以覆盖所述贯通孔的内壁的方式形成的绝缘树脂，以及在利用所述绝缘树脂与所述半导体基板绝缘的状态下形成于所述贯通孔内，并将所述电极焊盘与所述半导体基板的背面侧电连接的导体；半导体芯片，其以背面彼此相对的方式安装在所述半导体基板的背面侧；以及布线，其将所述贯通电极和形成于所述半导体芯片的电极电连接。
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