公开(公告)号：CN102347445B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110215067.3

申请日：2011-07-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大西润哉 ,  山崎信夫 ,  石原数也 ,  井上雄史 ,  玉井幸夫 ,  粟屋信义

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明实现一种可变电阻元件和具有该可变电阻元件的非易失性半导体存储装置，该可变电阻元件通过抑制伴随成形处理完成的急剧电流，从而降低特性偏差，稳定地进行切换动作。一种非易失性半导体存储装置，将在第一电极(12a)与第2电极(14)之间夹持电阻变化层(13)而成的可变电阻元件(2)用于信息存储中，可变电阻元件(2)在形成切换界面的第一电极(12a)与电阻变化层(13)之间被插入缓冲层(12b)而成。以如下方式选择缓冲层(12b)和电阻变化层(13)的材料，即:缓冲层(12b)与电阻变化层(13)均包含n型金属氧化物而构成，构成缓冲层(12b)的n型金属氧化物的导带底的能量比构成电阻变化层(13)的n型金属氧化物的导带底的能量低。

公开(公告)号：CN102347445A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110215067.3

申请日：2011-07-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大西润哉 ,  山崎信夫 ,  石原数也 ,  井上雄史 ,  玉井幸夫 ,  粟屋信义

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明实现一种可变电阻元件和具有该可变电阻元件的非易失性半导体存储装置，该可变电阻元件通过抑制伴随成形处理完成的急剧电流，从而降低特性偏差，稳定地进行切换动作。一种非易失性半导体存储装置，将在第一电极(12a)与第2电极(14)之间夹持电阻变化层(13)而成的可变电阻元件(2)用于信息存储中，可变电阻元件(2)在形成切换界面的第一电极(12a)与电阻变化层(13)之间被插入缓冲层(12b)而成。以如下方式选择缓冲层(12b)和电阻变化层(13)的材料，即:缓冲层(12b)与电阻变化层(13)均包含n型金属氧化物而构成，构成缓冲层(12b)的n型金属氧化物的导带底的能量比构成电阻变化层(13)的n型金属氧化物的导带底的能量低。

公开(公告)号：CN1649026B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200510006820.2

申请日：2005-01-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上刚至 ,  森川佳直 ,  岛冈笃志 ,  玉井幸夫

IPC: G11C7/00 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C7/062 ,  G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C7/14 ,  G11C8/08

Abstract: 本发明具备列读出电压供给电路，对每一条列选择线，在读出选择时供给规定的第1电压，在读出非选择时供给与上述第1电压不同的第2电压，具备行读出电压供给电路，对每一条行选择线，在读出选择时供给第2电压，具备读出电路，在读出时，将流经被选择的行选择线的电流与流经非选择的行选择线的电流分离并进行检测，检测被选择的存储单元的电阻状态，具备列电压位移抑制电路，在读出时，对非选择的列选择线的每一条个别地抑制供给的电压电平的位移。

公开(公告)号：CN101681913A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880015449.8

申请日：2008-04-07

Applicant: 夏普株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 玉井幸夫 ,  岛久 ,  秋永广幸 ,  高野史好 ,  细井康成 ,  粟屋信义 ,  大西茂夫 ,  石原数也

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C11/5614 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种能够高速且低功耗地工作的可变电阻元件。在第一电极(11)和第二电极(12)之间具有金属氧化物层(10)，对应于向第一和第二电极间的电应力的施加，第一和第二电极间的电阻可逆地变化，其中，金属氧化物层(10)具有：作为在第一和第二电极间流过的电流的电流密度局部地变高的电流路径的细丝(13)，在第一电极和第二电极内的至少任何的一方的特定电极(11)与金属氧化物层(10)的界面的、至少包含特定电极(11)和细丝(13)的界面附近的一部分，具备：界面氧化物(15)，该界面氧化物作为包含在特定电极中的至少一个元素的氧化物，与金属氧化物层(10)的氧化物不同。

公开(公告)号：CN100485811C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200510087650.5

申请日：2005-07-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川添豪哉 ,  玉井幸夫 ,  岛冈笃志 ,  森本英德 ,  粟屋信义

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/26 ,  G11C7/00

Abstract: 本发明的非易失性半导体存储装置包括：存储单元选择电路(17)，以行、列或存储单元为单位从存储单元阵列(15)中选择存储单元；读出电压施加电路(22a)，对由存储单元选择电路(17)选出的选择存储单元的可变电阻元件施加读出电压；读出电路(23)，对选择存储单元内的读出对象存储单元检测与该可变电阻元件的电阻值对应流过的读出电流的大小，再读出存储在读出对象存储单元中的信息；读出电压施加电路(22a)将和读出电压反极性的伪读出电压施加给选择存储单元的可变电阻元件。

公开(公告)号：CN1767049A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510103804.5

申请日：2005-06-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 细井康成 ,  玉井幸夫 ,  石原数也 ,  小林慎司 ,  粟屋信义

IPC: G11C7/00 ,  G11C11/15 ,  G11C16/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C29/50 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/50008 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31

Abstract: 可变电阻元件在第一电极(1)和第二电极(3)之间设置钙钛矿型氧化物(2)而形成，通过在第一电极(1)和第二电极(3)之间施加一定极性的电压脉冲使第一电极(1)和第二电极(3)之间的电阻变化，进而，具有相对于电压脉冲施加中的累积脉冲施加时间的增加、电阻值的变化率从正到负变化的电阻滞后特性。以累积脉冲施加时间不超过电阻滞后特性中相对于累积脉冲施加时间的增加、电阻值的变化率从正到负变化的特定累积脉冲施加时间的方式，在可变电阻元件上施加电压脉冲。