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公开(公告)号：CN115579369A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211153498.6
申请日：2022-09-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及对称式融合视觉传感器像素结构及其制备与信号控制方法，该动态视觉传感器像素包括：混合型衬底，氧化埋层，四个像素有源区，四个读出晶体管有源区，欧姆接触区域，五个顶层硅沟道区,以及在沟道区之上的栅氧化层，栅极，两个深槽隔离侧墙，一个浅槽隔离侧墙，栅极侧墙，栅极金属接触，源极金属接触，漏极金属接触，衬底金属接触。与现有技术相比，本发明基于单晶体管光电子原位探测器结构，在紧凑的像素架构内部可同时读出光强绝对信号和差分信号，实现了传统图像传感器光强数据和动态视觉传感器事件数据的融合，为PISD在下一代新型动态视觉传感器中的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN102110601B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201010572181.7
申请日：2010-12-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/312 , H01L21/3213 , H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备可以测量金属-氧化物-半导体（MOS）电容器低频电容-电压（CV）特性的器件结构的自对准工艺方法。该方法采用自对准工艺制作一种简易的源漏短接MOSFET结构，将源漏接地或者电源，因而在MOS电容器处于反型区时，反型载流子跟得上交流测量信号的变化，使MOS结构在高频CV测量时能表现出低频CV曲线特性，从而可以替代标准的准静态测量获得MOS电容器的低频CV曲线。整个工艺实现方法全程只使用一次光刻步骤，具有工艺自对准且简单易行的优点。该方法可以很好地移植到测量以高K或其他介质层材料为绝缘体的金属-绝缘体-半导体（MIS）电容器低频CV曲线中去。
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公开(公告)号：CN102184975A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110089411.9
申请日：2011-04-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体为一种能增加光电转换效率的薄膜太阳能电池及其制造方法。本发明的薄膜太阳能电池是在传统硅薄膜太阳能电池表面电极上加入周期性纳米尺寸金属铝圆柱体，引入局域表面等离激元共振效应，使吸收效率得到大幅提升，从而提高太阳能电池的光电转换效率。与传统硅薄膜太阳能电池相比，加入纳米铝圆柱体的硅薄膜太阳能电池具有转换效率高的优点，且工艺实现只需额外增加一次光刻。与常用于等离激元增强的贵金属银相比，使用金属铝可以在得到同样（稍高）吸收增强效果的同时大幅降低生产成本。
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公开(公告)号：CN102184912A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110096681.2
申请日：2011-04-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种提升铜与镍硅化合物直接接触热稳定性的叠层接触结构。因为铜的导电性比钨好，因此在集成电路芯片第一层互连线与晶体管源、漏、栅极所用的镍硅化合物电极间可以利用铜塞替代传统钨塞。本发明具体采用铜/钽/氮化钽/钽/镍硅化合物，或者铜/氮化钽/钽/镍硅化合物的接触结构。实验证实，钽与镍硅化合物的直接接触可以很好地提升镍硅化合物的热稳定性，而氮化钽可以有效地阻止铜的扩散，故而该叠层结构可以很好地提高铜与镍硅化合物接触的热稳定性，进而提高器件可靠性，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102110601A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010572181.7
申请日：2010-12-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/312 , H01L21/3213 , H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备可以测量金属-氧化物-半导体（MOS）电容器低频电容-电压（CV）特性的器件结构的自对准工艺方法。该方法采用自对准工艺制作一种简易的源漏短接MOSFET结构，将源漏接地或者电源，因而在MOS电容器处于反型区时，反型载流子跟得上交流测量信号的变化，使MOS结构在高频CV测量时能表现出低频CV曲线特性，从而可以替代标准的准静态测量获得MOS电容器的低频CV曲线。整个工艺实现方法全程只使用一次光刻步骤，具有工艺自对准且简单易行的优点。该方法可以很好地移植到测量以高K或其他介质层材料为绝缘体的金属-绝缘体-半导体（MIS）电容器低频CV曲线中去。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101016616A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710037907.5
申请日：2007-03-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法。其步骤为先制备一种和铜不易发生互溶、扩散、反应的但具有高界面能的衬底，用常规物理气相淀积的方法沉积铜薄膜，在刚淀积的铜薄膜中即可产生纳米尺度孪晶。为增大铜晶粒尺寸并且提高铜孪晶密度还可以进行适当温度的退火处理。本方法仅需要制备一种衬底就可以用常规物理气相淀积的方法制备孪晶铜薄膜，因此具有简单、方便、实用性强的特点。
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公开(公告)号：CN115588675A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211152590.0
申请日：2022-09-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146 , H04N25/76 , H04N25/77 , H04N25/78
Abstract: 本发明涉及非对称融合视觉传感器像素结构及其制备与信号控制方法，该动态视觉传感器像素包括：混合型衬底，氧化埋层，三个像素有源区，两个读出晶体管有源区，欧姆接触区域，三个顶层硅沟道区，以及在沟道区之上的栅氧化层，栅极，两个深槽隔离侧墙，一个浅槽隔离侧墙，栅极侧墙，栅极金属接触，源极金属接触，漏极金属接触，衬底金属接触。本发明基于单晶体管光电子原位探测器结构，在紧凑的像素架构内部可同时读出光强绝对信号和差分信号，实现了传统图像传感器光强数据和动态视觉传感器事件数据的融合，为PISD在下一代新型动态视觉传感器中的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN103904132B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410093312.1
申请日：2014-03-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/08 , H01L29/47
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种调节硅化钛和硅之间肖特基接触势垒的方法。本发明通过向硅化钛薄膜中引入适量氧原子，形成硅化钛（TiSix，内含氧原子）/硅肖特基接触结构，实现对硅化钛与硅之间肖特基接触势垒的有效调节。相比普通硅化钛/硅肖特基整流二极管的工艺流程，本发明只需要增加一步氧原子的引入工艺，就可获得明显的接触势垒调节，整个工艺步骤简单易行，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102543755A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210004176.5
申请日：2012-01-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法。锗器件因其高载流子迁移率、可实现低等效氧化层厚度以及与现有工艺的高兼容性等优点，成为目前注目的焦点，但锗严重的表面费米能级钉扎效应却是制约着制备高性能锗基N型MOS器件的问题之一。本发明通过NH3等离子处理锗衬底的方法，在表面形成GeOxNy(x=0.92,y=0.08)介质层，成功实现解钉扎效应，且由于GeON与Ge较小的能量偏移，使得制备的金属/GeON/Ge样品具有较低的接触电阻，因而具有良好的应用价值。
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公开(公告)号：CN102185037A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110120952.3
申请日：2011-05-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/20 , B82Y40/00 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体为一种能提高光电转换效率的硅纳米柱太阳能电池及其制造方法。本发明在硅纳米柱太阳能电池衬底端表面加入纳米尺寸金属铝圆柱体颗粒，通过引入局域表面等离激元共振效应，提升太阳能电池吸收率，从而提高硅纳米柱太阳能电池的光电转换效率。金属铝的使用，相对于常用贵金属（如金、银），可大幅降低生产成本，同时得到更好的吸收增强效果。
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