公开(公告)号：CN1212734A

公开(公告)日：1999-03-31

申请号：CN97192815.0

申请日：1997-03-04

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器工业株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  吾妻正道 ,  卡洛斯·A·帕兹德阿劳霍

IPC: C23C26/02 ,  C23C18/14

CPC classification number: H01L21/02197 ,  B05D1/00 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0493 ,  B05D3/062 ,  B05D3/065 ,  C23C8/10 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/12 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1287 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/314 ,  H05K3/105

Abstract: 一个基体(5)位于沉积室(2)中,该基体确定了基体平面。一个阻隔板(6)置于基体之上,与基体相互隔开并平行,在与所说基体平行的平面上的所说阻隔板的面积与在所说基本平面上的所说基体的面积基本相同。阻隔板的平整度的容许偏差为所说阻隔板和所说基体之间平均距离的5%。产生一种雾气(66),使其在一缓冲室(42)中沉降,通过1微米的过滤器(33)过滤,流入基体与阻隔板之间的沉积室中以在基体上沉积一液体层。该液体经干燥在基体上形成一固体物质的薄膜(1130),后者随后被加入到集成电路(1110)的一个电子元件(1112)中。

公开(公告)号：CN1311896A

公开(公告)日：2001-09-05

申请号：CN99809086.7

申请日：1999-07-07

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  卡洛斯·A·帕兹德阿罗

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1295

Abstract: 将一种包含铊的液态前体涂敷到第一电极(28,58)上,以低于725℃的温度进行烘焙,以相同的温度进行一至五小时的退火,以产生铁电叠层超晶格材料(30,60)。成形第二电极(32,77),以形成电容器(16,72),并且以低于725℃的温度进行第二退火。如果所述的材料是锶铋铊钽酸盐,在所述的前体中,每(2.2－x)摩尔当量的铋,就含有(m－1)摩尔当量的锶、x摩尔当量的铊、以及m摩尔当量的钽,其中,m=2,并且,0.0

公开(公告)号：CN1252779A

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN98804185.5

申请日：1998-03-12

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 加纳刚太 ,  卡洛斯·A·帕兹德阿罗 ,  有田浩二 ,  迈克尔·C·斯科特 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  林慎一郎

IPC: C03C17/25 ,  H01J9/24

CPC classification number: H01J9/20 ,  C03C17/25 ,  C03C2217/228 ,  C03C2218/11 ,  H01J2209/012 ,  H01J2211/40

Abstract: 提出一种在等离子体显示器(100)上制造氧化镁层(122)的新方法(P200)。将羧化镁液态前体溶液加在显示面板(102)上,进行干燥退火处理,形成一层具有很好的光电性能的固体氧化镁层。

公开(公告)号：CN1180447A

公开(公告)日：1998-04-29

申请号：CN97190141.4

申请日：1997-03-04

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  吾妻正道 ,  卡洛斯·A·帕斯·得阿劳霍

IPC: H01L21/3205

Abstract: 将液体底层涂料雾化并使其流入到沉积室(2)中并沉积在衬底(5)上。将液体前体(64)雾化,使其流入到沉积室(2)中并沉积在衬底(5)上。该底层涂料及前体被干燥并形成固体薄膜,然后该薄膜被退火并形成一集成电路(1110)中电子元件(1112)的一部分,例如另一存储器单元中的电介质。底层涂料是一种溶剂,及前体包括前体溶剂中的金属羧酸盐,金属醇盐或金属烷氧基羧酸盐。最好,底层涂料及前体的溶剂是相同的溶剂,如2－甲氧基乙醇、二甲苯类,n－乙酸丁酯及六甲基－二硅氧烷。

公开(公告)号：CN1272951A

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN99800918.0

申请日：1999-06-07

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 加纳刚太 ,  嶋田恭博 ,  林慎一郎 ,  有田浩二 ,  卡洛斯·A·帕兹德阿罗 ,  约瑟夫·D·库奇奥 ,  拉里·D·麦克米伦

IPC: H01J1/30 ,  H01J31/12 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/133603

Abstract: 在平板显示器中的铁电分层超晶格材料薄膜通电,选择性地影响显示器图象。在一个实施方案中,电压脉冲引起所述分层超晶格材料发射电子,这些电子撞击在磷光体上,引起磷光体发光。在另一个实施方案中,电势在分层超晶格材料中产生一个剩余极化,该剩余极化施加一个电场在液晶层上,由此影响通过该液晶的光线的透过率。所述分层超晶格材料是金属氧化物,用含有烷氧羧酸盐的本发明液态前体制成。所述薄膜厚度优选为50—140nm,这样提高了薄膜的极化度和透明性。显示器元件可以包括一个变阻器装置,以防止像素间的串扰,并使得突然的极化转换成为可能。在铁电薄膜中的功能梯度增加了电子发射。在磷光体两边各一个的两个铁电元件,可以用来提高发光性能。磷光体可以是三明治型的,夹在介电层和铁电层之间,以便增加发射。

公开(公告)号：CN1329750A

公开(公告)日：2002-01-02

申请号：CN99812156.8

申请日：1999-09-21

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 科吉·阿里塔 ,  林慎一郎 ,  约瑟夫·D·库奇阿罗 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10852

Abstract: 一种液态前体,用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜(313),其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时,这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格材料的薄膜(313),此超晶格材料由包含了过量的钽和铌的前体制造,因此在75℃下经过10

公开(公告)号：CN1231063A

公开(公告)日：1999-10-06

申请号：CN97197971.5

申请日：1997-08-18

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 加里·F·德本威克 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  纳拉严·索拉亚攀 ,  迈克尔·C·斯科特 ,  卡洛特·A·帕兹德阿罗 ,  林慎一郎

IPC: H01L21/316 ,  C23C18/12

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225

Abstract: 制备一种溶于二甲苯/甲基乙基酮溶剂中的包含几种2－乙基己酸金属,例如2－乙基己酸锶、钽和铋的原液,在一个真空淀积室(2)内放置一个基底(5,858),在原液中添加少量六甲基乙硅氮烷,并予以雾化,以及使云雾流进淀积室内以在基底上淀积一层原液。对该原液进行干燥、焙烤和退火,以在基底上形成一个分层超晶格材料,例如钽酸锶铋的薄膜(506,860)。然后使分层超晶格材料薄膜的至少一部分含在集成电路的一个元件(604,872)中,从而完成一个集成电路(600,850)。

公开(公告)号：CN1217818A

公开(公告)日：1999-05-26

申请号：CN98800229.9

申请日：1998-03-03

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  大槻逹男

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/768 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 一种铁电薄膜电容器(400)具有光滑的电极(412、420),随着铁电电容器老化允许相对较强的极化、较少疲劳及较少印记。光滑电极表面(414、428)是用小心地控制的干燥、轻烘烤及退火条件生成的。

公开(公告)号：CN1213457A

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN97193062.7

申请日：1997-03-14

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子株式会社

Inventor： 拉里·D·麦克米伦 ,  迈克尔·C·斯科特 ,  阿劳约·卡洛斯·A·帕兹德 ,  大槻达男 ,  林慎一郎

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/316 ,  B05D1/00 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0493 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1287 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C30B7/00 ,  C30B29/68 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L41/316 ,  H05K3/105

Abstract: 制备一种包括在二甲苯溶剂中的硅的前体液体(64),衬底(5,71)放置到真空沉淀室(2)中,前体液体被雾化,并在将沉淀室维持在室温时将雾气(66)流入沉淀室中,以在衬底上沉淀前体液体层。此液体被干燥、烘干、以及退火,以在衬底上形成二氧化硅或硅玻璃的薄膜(1224,77)。然后,完成集成电路(100),以便至少包括一部分二氧化硅或硅玻璃作为集成电路中电子设备(76)的绝缘体(77)。