公开(公告)号：CN111025690A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201911279644.8

申请日：2019-12-13

申请人： 国家纳米科学中心

发明人： 戴庆 ,  郭相东 ,  杨晓霞 ,  刘瑞娜 ,  胡德波 ,  胡海 ,  吴晨晨 ,  罗成

IPC分类号： G02F1/015 ,  G02F1/03 ,  G02F1/00 ,  G02F2/00

摘要： 本发明提供一种用于全光调制的石墨烯等离激元器件，激元器件由下至上依次包括TMD薄膜层和石墨烯薄膜层，石墨烯薄膜层覆盖于TMD薄膜层上形成石墨烯/TMD异质结；其中，石墨烯薄膜层内存在固定的费米能，具有费米能的石墨烯薄膜层与TMD薄膜层间形成具有石墨烯/TMD异质结的周期性纳米结构。本发明的有益效果是：可实现通过可见光进行对石墨烯等离激元红外信号的调制，是一种新颖的全光调制极化激元的器件，包括应用于光波导器件、光电探测器和光学记忆存储器件等。

公开(公告)号：CN109407210A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811336502.6

申请日：2018-11-12

申请人： 国家纳米科学中心

发明人： 戴庆 ,  郭相东 ,  杨晓霞 ,  胡海 ,  胡德波 ,  廖宝鑫

IPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/13

摘要： 本发明公开了一种基于面内异质结的极化波波导传输耦合装置，该传输耦合效率可调控，所述装置自下而上依次包括设置的衬底、电介质层、石墨烯/hBN面内异质结薄膜；本发明可改变石墨烯等离激元极化波和hBN声子极化波的动量匹配条件，从而调控极化波之间的传输耦合效率；当调控石墨烯费米能达到两种极化波动量匹配点时，极化波之间的耦合效率可达到100％，实现100％透射。

公开(公告)号：CN108428986A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810110711.2

申请日：2018-02-05

申请人： 国家纳米科学中心

发明人： 戴庆 ,  胡海 ,  杨晓霞 ,  胡德波 ,  刘梦昆 ,  郭相东

IPC分类号： H01P3/00 ,  H01P11/00

摘要： 本发明提供了一种悬空石墨烯传播等离激元波导器件，包括：自下而上依次设置的衬底，石墨烯层和电极；所述衬底包括至少一个孔结构，用于支撑石墨烯层和电极；所述石墨烯层覆盖在所述衬底的孔结构上，构成悬空石墨烯结构；所述电极用于电学测量和静电调控石墨烯载流子浓度，置于石墨烯层之上。本发明提供一种悬空石墨烯结构上支持的传播等离激元，这种结构可以有效消除石墨烯等离激元的介电损耗，降低等离激元的衰减率。另外，由于空气介电常数很小，悬空石墨烯上的等离激元波长很长，配合其低衰减的特性，可实现长波长的传播距离。

公开(公告)号：CN104036878B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201410286459.2

申请日：2014-06-24

申请人： 国家纳米科学中心

发明人： 李振军 ,  和峰 ,  白冰 ,  杨晓霞 ,  孔祥天 ,  裘晓辉 ,  戴庆

IPC分类号： H01B13/00 ,  C01B32/186 ,  C01B32/162

摘要： 一种石墨烯和碳纳米管三维结构材料的制备方法，包括如下步骤：(1)制备石墨烯的生长基底；(2)生长石墨烯；在步骤(1)制备的石墨烯的生长基底之上采用化学气相沉积方法生长石墨烯；任选进行(3)石墨烯的转移和图形化；(4)制备碳纳米管生长催化剂；(5)生长碳纳米管。本发明的制备方法成本低廉，适合大规模生产使用，得到一种原位生长的石墨烯和碳纳米管三维结构，且生长位置和生长图形可以预先设计，适合光电器件的集成和三维设计。

公开(公告)号：CN107655891A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710956650.7

申请日：2017-10-13

申请人： 国家纳米科学中心

发明人： 戴庆 ,  胡德波 ,  杨晓霞 ,  李驰 ,  刘瑞娜 ,  胡海 ,  刘梦昆

IPC分类号： G01N21/84

摘要： 本发明提供了一种表征纳米级厚度的范德华晶体光学各向异性的方法，通过使用散射型扫描近场光学显微镜(s-SNOM)在范德华晶体中激发寻常及非寻常波导模式，并对这些波导模式进行近场成像，进而通过对近场图像的分析求得所测范德华晶体的光学各向异性。这一方法克服了传统表征手段对样品大小的限制，能够对单轴及双轴范德华晶体材料的光学各向异性进行精准的表征。

公开(公告)号：CN105355702B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201510792417.0

申请日：2015-11-17

申请人： 国家纳米科学中心

发明人： 胡海 ,  胡德波 ,  白冰 ,  刘瑞娜 ,  杨晓霞 ,  戴庆

IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供了一种用于增强红外光谱探测的石墨烯等离激元器件，包括：自下而上依次设置的衬底、电介质层、石墨烯层、源极与漏极金属层，以及待检测物质；其中，衬底同时作为栅极，电介质层沉积在衬底上，石墨烯层覆盖于电介质层之上，源极与漏极金属层沉积在石墨烯层上，源极与漏极金属层由石墨烯导通，衬底与石墨烯层之间夹着电介质层；源极与漏极金属层之间的石墨烯层的局部区域具有周期性微纳米结构；周期性微纳米结构包含多个连续纵剖面为台阶状的结构，待测材料层设置以覆盖台阶状的结构；电介质层的材料选自：NaCl，KBr，CsI，CsBr，MgF2，CaF2，BaF2，LiF，AgBr，AgCl，ZnS，ZnSe，KRS‑5，AMTIR1‑6，Diamond，SiO2。

公开(公告)号：CN106198435A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610608505.5

申请日：2016-07-28

申请人： 国家纳米科学中心

发明人： 胡海 ,  胡德波 ,  刘瑞娜 ,  白冰 ,  杨晓霞 ,  戴庆

IPC分类号： G01N21/35

CPC分类号： G01N21/35

摘要： 本发明提供了一种红外光谱衬底的制备方法，包括如下步骤：1)选取支撑基底；2)利用机械加工、干法或者湿法刻蚀的方法，在支撑基底上制备通孔结构；3)转移衬底材料和其保护层至通孔表面：利用标准的湿法转移工艺，将衬底材料和其保护层转移至样品表面，将样品晾干并且加热使得转移的薄膜与基底贴合紧密；4)对通孔的背面进行密封：利用另一块基底材料贴合至背面通孔处，使用玻璃胶将背面的通孔密封；5)去除样品表面的保护层：将样品放置于丙酮或者去保护层溶剂里，去除表面的保护层；6)拆除样品背面的密封结构：将样品清洗干净并且晾干以后拆除背面的密封基底。

公开(公告)号：CN104134594B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201410373851.0

申请日：2014-07-31

申请人： 国家纳米科学中心

发明人： 李驰 ,  白冰 ,  李振军 ,  和峰 ,  杨晓霞 ,  裘晓辉 ,  戴庆

IPC分类号： H01J1/304

摘要： 本发明涉及一种石墨烯薄膜场发射阴极。所述石墨烯薄膜场发射阴极包括阴极基底和覆盖于阴极基底上的石墨烯薄膜；所述石墨烯薄膜上设置有多孔阵列。本发明通过制备多孔薄膜结构，可以充分提高石墨烯薄膜的边缘比例，进而提高其大电流发射能力；在石墨烯孔的边缘，将会形成“金属‑绝缘体‑真空”三结，将极大地增强场发射电流，降低场发射驱动电压。

公开(公告)号：CN105352906A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510792416.6

申请日：2015-11-17

申请人： 国家纳米科学中心

发明人： 胡海 ,  胡德波 ,  白冰 ,  刘瑞娜 ,  杨晓霞 ,  戴庆

IPC分类号： G01N21/35

CPC分类号： G01N21/35

摘要： 本发明提供了一种石墨烯等离激元增强红外光谱探测的谱线峰值分离方法，所述方法包括：1)制作石墨烯等离激元器件的红外增强及探测装置；2)将待检测物置于石墨烯微结构之上；3)对石墨烯微结构进行电学测试：测量石墨烯的Ids-Vg输运曲线，读出石墨烯的狄拉克点对应的电压Vg(CNP)；4)通过调节栅极电压来进行红外探测谱线峰值的分离，包括以下子步骤：a)采集石墨烯的狄拉克点对应的电压Vg(CNP)下的消光谱T(CNP)作为背景；b)背景采集完，调节栅极电压Vg，使其偏离石墨烯狄拉克点位置对应的电压，然后采集不同电压下样品的信号，再次采集消光谱T(EF)，逐渐增加Vg的步长，使得本征信号里被掩盖的峰显现出来。

公开(公告)号：CN104377114A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201310351839.5

申请日：2013-08-13

申请人： 国家纳米科学中心

发明人： 李振军 ,  白冰 ,  杨晓霞 ,  王小伟 ,  许应瑛 ,  戴庆 ,  裘晓辉

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/15

CPC分类号： H01L21/0259 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  Y02E10/547

摘要： 本发明涉及一种锗量子点的生长方法，所述方法为在石墨烯层上生长锗量子点。本发明在常规基底表面引入均匀性极高的石墨烯界面，在界面上实现了Ge量子点的生长，避免了为得到高质量界面对常规基底进行繁杂的清洗程序，简化了工艺流程；且保证了锗量子点的低杂质元素含量和低缺陷密度，且保证了锗量子点的自组织生长过程，形成了形貌统一和密度均匀的锗量子点。