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公开(公告)号：CN109637567B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201811554714.1
申请日：2018-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C7/24 , G11C11/413
Abstract: 一种监测触发器是否发生翻转的边沿检测电路及触发器，它涉及一种边沿检测电路及触发器。本发明要解决SETTOFF触发器对SEU软错误的在线监测和修正以及检测SET和TE错误过程中，SETTOFF触发器中原沿检测(TD)电路中的晶体管尺寸不能采用最小尺寸来实现而必须要经过特定的设计，从而增大了TD电路输入和输出之间的传播延迟，进而产生毛刺脉冲引发流水线的重写操作的问题。本发明设计了用于监测流水线中的触发器是否发生翻转的沿检测电路，并且通过合理的监测机制实现了对D触发器单粒子翻转效应的监测和纠正以及对单粒子瞬态效应和时序错误的监测功能，本发明应用于触发器领域。
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公开(公告)号：CN110459649A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910774690.9
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，属于太阳电池微电子技术领域。本发明针对现有太阳电池由于空间带电粒子的辐照会产生辐照缺陷，进而造成太阳电池I-V特性退化的问题。它根据原单晶Si太阳电池的结构参数，确定离子的欲注入位置，并根据欲注入位置模拟确定离子的能量和射程；然后模拟离子注入过程中的目标I-V变化曲线，当目标I-V变化曲线的变化量小于原单晶Si太阳电池I-V变化曲线的10％时，记录离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原单晶Si太阳电池进行离子注入并进行退火处理，实现对原单晶Si太阳电池的抗位移辐照加固。本发明用于单晶Si太阳电池的加固。
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公开(公告)号：CN109860033A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910110228.9
申请日：2019-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/32
Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域，目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，对肖特基二极管的有源区进行离子注入。本发明的有益效果是：本发明通过深层离子注入的方式，在肖特基二极管内部的一定深度范围内通过离子注入的方式人为地引入缺陷陷阱，可以对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用，使器件内部的位移辐射缺陷保持稳定，不因辐射注量的增大而明显变化，从而提高肖特基二极管的抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN100357718C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200410013784.8
申请日：2004-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01H11/06
Abstract: 本发明提供的是一种声和振动集成多功能传感器及其制造方法。它包括管座、安装在管座上的管壳和连接于管座上的管脚，管壳上部开有透声孔，管壳内与透声孔相对应处安装有驻极体麦克风，管座上安装有电路板，电路板的中间为振动结构敏感元件，在振动结构敏感元件的两侧分别为声接口电路与振动接口电路，驻极体麦克风与声接口电路通过柔性导线相连，振动结构敏感元件与振动接口电路之间焊接。本发明的产品具有结构简单，能够同时测量声和振动信号，声和振动信号互相没有影响，可靠性高，易于批量生产，灵敏度高，频带范围宽等优点。
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公开(公告)号：CN1770528A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510010337.1
申请日：2005-09-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E60/523 , Y02P70/56
Abstract: 本发明是一种硅基微型液体进料直接甲醇燃料电池的结构及其制造方法。它包括质子交换膜和位于质子交换膜两侧的阳极板和阴极板，阳极板和阴极板与质子交换膜相对应的一侧上有多孔硅层，在多孔硅层之上负载有催化层，阳极板的另一侧上有包括燃料存储腔体及导流通道的流场结构、并在其上键合有玻璃密封层，阴极板面向质子交换膜一侧上有流场结构，阳极板和阴极板上的催化层可分别作为电池的正极、负极连接引出导线。硅基双极板的制作采用氧化、光刻、湿法腐蚀图形、硅阳极腐蚀多孔硅层、催化层的淀积、激光打孔等工艺。本发明的方法可以有效地完成本发明中涉及电池结构的加工，并可有效缩小燃料电池的体积，增加系统的稳定性和便于批量加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1487275A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03132458.4
申请日：2003-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供的是一种相变式自检测压力传感器及其制作方法。它包括硅杯，在硅杯的杯底上设置有压敏电阻，它还包括硅片底板和隔热玻璃板，隔热玻璃板上开有透气孔，硅片底板上开有相变物质充填孔并且在其上表面上设置有加热电阻，硅杯倒置安装在隔热玻璃板上，隔热玻璃板安装在硅片底板上且隔热玻璃板与硅片底板之间有相变物质装填腔，相变物质装填腔中装填有相变物质，相变物质充填孔处设置有封闭堵。本发明的产品具有结构简单、自检测效果显著等优点。本发明的方法能够保证其产品的加工简单，性能优异。
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公开(公告)号：CN1486822A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03132459.2
申请日：2003-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供的是一种电化学法玻璃片硅片穿孔设备。它包括电解槽，在电解槽中装有碱性溶液。电源负极接石墨电极或者镍电极，穿孔探针接电源正极。玻璃片或硅片水平置于石墨电极或镍电极上。穿孔探针材料为金属钨，穿孔探针上串联有限流电阻。电源提供脉动直流电压，电压范围为40－100V。本发明的优点在于：1、穿孔速度快；2、结构简单，易于操作与携带；3、对玻璃片和硅片表面无破坏性损伤。
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公开(公告)号：CN1437018A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN03111185.8
申请日：2003-03-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/447 , G01N33/561
Abstract: 本发明提供的是一种用于化学分析的毛细管电泳芯片的制备方法，首先在材质上选用有机玻璃，采用机械划刻仪进行沟道加工，然后在加工完沟道的有机玻片上的相应位置打通孔，再进行沟道表面的光滑化以及表面改性处理，最后用有机溶剂将两片有机玻璃进行粘接处理，使沟道封闭。本发明的方法，制造成本低，易于大批量生产，工艺流程的简单，提高了制造成品率。
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公开(公告)号：CN117151012A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311312876.5
申请日：2023-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/39 , G06F18/214 , G06N20/00 , G06F119/02
Abstract: 本发明的一种肖特基势垒二极管可靠性的预测方法，涉及肖特基势垒二极管可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有肖特基势垒二极管的可靠性预测方法复杂度高，计算效率低，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：步骤一、将需预测可靠性的肖特基势垒二极管的预计工作时长输入至训练好的可靠性预测模型，得到肖特基势垒二极管的可靠性参数预测值；步骤二、将可靠性参数预测值与预设的可靠性参数阈值比较，在可靠性参数预测值小于可靠性参数阈值时，判断肖特基势垒二极管在预计工作时长后为可靠。
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公开(公告)号：CN114236339A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111546467.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池低温量子效率试验装置及其方法，该装置包括：恒温真空舱、光源控制单元、氙灯光源、测试单元和控制模块；方法包括以下步骤：S1.氙灯光源产生入射光；入射光包括单色光和偏置光；S2.将恒温真空舱横向放置，舱头部的光学窗口正对单色光下方，确保单色光和偏置光入射至待测电池表面，通过探针连接待测电池电极，并通过测试线将探针与测试单元相连，确认无断触后关闭舱门；S3.将恒温真空舱抽成真空；S4.达到真空度要求后进行降温；S5.通过测试单元进行量子效率性能测试得到量子效率曲线，根据量子效率曲线获取短路电流密度，以及半导体材料在当前温度下的带隙。本发明为深空太阳电池低温量子效率测试提供了试验条件。
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