-
公开(公告)号：CN118738171A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410768701.3
申请日：2024-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , H04B10/2575 , G01V8/10
Abstract: 一种全钙钛矿异质结材料及光电传感器的制备方法和应用，本发明是要解决位敏探测器的位置灵敏度较低、未有同时兼具信号光位置和强度解调的无线光通信系统的问题。本发明所述的全钙钛矿异质结材料是在n型铌掺杂钛酸锶基片上采用脉冲激光沉积法制备p型镍酸盐氧化物层，在镍酸盐氧化物层表面沉积卤素钙钛矿层。本发明利用光电性质优异的CsPbBr3作为吸光层，Nb:SrTiO3半导体作为衬底形成内建电场提供载流子驱动力，通过调控PrxSm1‑xNiO3薄膜中Pr和Sm的比例改变异质结的电输运性质，实现兼具优异的侧向光伏灵敏度和超快的响应速度的传感器，该器件能实现对激光功率和光斑位置的线性探测。
-
公开(公告)号：CN115074820B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210684574.X
申请日：2022-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶RIG厚膜的双坩埚液相外延制备方法，涉及液相外延生长单晶薄膜技术领域，包括：采用双坩埚液相外延炉进行制备，其中，第一炉体用于厚膜外延生长和衬底更换，第二炉体用于备用熔体保温和原料更换；将原料加入位于第一炉体内的坩埚A内，加热并搅拌成均匀熔体；在第二炉体放置坩埚B，将原料加入坩埚B内，加热并搅拌成均匀熔体后备用；待坩埚A内的熔体表面呈现镜面后，将清洗后衬底放入熔体中进行液相外延生长，并通过替换备用坩埚实现持续液相外延生长，重复上述内容，维持液相外延生长至所需薄膜厚度后，取出衬底，并降温至室温后，得到单晶RIG厚膜。本发明实现薄膜持续生长并保证薄膜的生长质量。
-
公开(公告)号：CN113380911B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202110644498.5
申请日：2021-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , G01B11/00
Abstract: 基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有光电位敏传感器的响应速度较慢，位置灵敏度不高的问题。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料具有p‑n结结构，在n型硼掺杂硅基片上采用激光脉冲沉积有厚度为150～250nm的p型卤素钙钛矿溴化物层，其中所述的p型卤素钙钛矿溴化物为CsSnBr3或CsPbBr3。将该异质结表面镀有金电极制备传感器。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料的传感器位置敏感度高，光电响应速度快，其位置灵敏度最大在405nm波长、10mW功率的激光照射下，达到了880mV/mm。
-
公开(公告)号：CN113380911A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110644498.5
申请日：2021-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , G01B11/00
Abstract: 基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有光电位敏传感器的响应速度较慢，位置灵敏度不高的问题。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料具有p‑n结结构，在n型硼掺杂硅基片上采用激光脉冲沉积有厚度为150～250nm的p型卤素钙钛矿溴化物层，其中所述的p型卤素钙钛矿溴化物为CsSnBr3或CsPbBr3。将该异质结表面镀有金电极制备传感器。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料的传感器位置敏感度高，光电响应速度快，其位置灵敏度最大在405nm波长、10mW功率的激光照射下，达到了880mV/mm。
-
公开(公告)号：CN109772386A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910223827.1
申请日：2019-03-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J27/185 , B01J35/10 , C25B11/06 , C25B1/04
Abstract: 自支撑结构的NiPS3纳米片的制备方法及其应用，本发明属于纳米材料制备及清洁能源制备技术领域，它针对NiPS3作为HER催化剂所存在的表面积低、制备过程所需温度较高的问题。制备方法：一、对碳布进行超声清洗；二、将红磷粉和升华硫粉混合，研磨后得到磷硫粉混合物；三、将镍盐、尿素和氟化铵加入到超纯水中搅拌溶解，得到反应液；四、碳布浸入反应液中进行水热反应；五、将磷硫粉混合物倒入敞口反应器中，敞口反应器和前驱体一同放入刚玉舟中，先加热至磷硫粉混合物至熔融，然后升华后磷、硫蒸汽与前驱体在高温下发生反应。本发明合成温度较低，NiPS3纳米片催化剂与导电衬底复合，可以直接用作HER电极，无需后续处理。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024926B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610560686.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0312 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 快速光电恢复响应的近紫外光电位敏传感器及其制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有窄禁带半导体紫外光电位敏传感需要遮光片的问题。该近紫外光电位敏传感器具有金属氧化物—SiC结构，在β‑SiC基片上采用激光脉冲沉积金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、Al‑ZnO、In2O3或F‑SnO2。制备方法：一、金属氧化物粉末压片成型，制备金属氧化物靶材；二、清洗β‑SiC基片；三、采用准分子激光器辐照金属氧化物靶材，利用激光脉冲在基片上沉积金属氧化物层。本发明采用的SiC宽禁带半导体仅在紫外/近紫外光区响应，所以不需要增加遮光片，并且该传感器的位置灵敏度较高。
-
公开(公告)号：CN101979722A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201010563025.4
申请日：2010-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 具有低磁场巨磁热效应DyTiO3单晶材料及其制备方法，它属于磁制冷材料领域。目的是为了提供一种具有良好的化学稳定性、较高的电阻率、较高的磁熵变、无热滞和磁滞、环境友好的具有低磁场巨磁热效应DyTiO3单晶材料及其制备方法。本发明单晶材料由Dy2O3、TiO2和Ti粉制成，制备方法：将Dy2O3烧结，将TiO2烘烤；将经过处理的Dy2O3、TiO2与Ti粉研磨后制成细棒，将细棒生长DyTiO3单晶，即得。本发明的DyTiO3钙钛矿单晶材料在磁场变化为1.5T下，最大磁熵变的绝对值达到8.10J/kg K；在磁场变化为1.5T下，DyTiO3钙钛矿单晶材料相对制冷能力RCP值达到123J/kg。
-
公开(公告)号：CN110510584B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201910912645.5
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种CoSbSe纳米片材料的制备方法及其应用，本发明属于纳米材料制备技术领域，它的目的是针对CoSbSe作为热电材料所存在的制备过程所需温度较高、时间较长、能耗较高的问题。CoSbSe纳米片的制备方法：一、对碳布进行超声清洗；二、按照化学计量比Sb:Se＝1:1的比例将锑粉和硒粉混合；三、将钴盐、尿素和氟化铵加入到超纯水中搅拌溶解；四、碳布浸入步骤三的反应液中水热反应；五、将锑硒粉混合物和前驱体一同放入石英管中，抽真空密封，分两个阶段加热反应，得到CoSbSe纳米片。本发明得到的CoSbSe纳米片所需的制备温度大幅度降低，所需的制备时间大幅度减少，有利于清洁高效制备CoSbSe纳米片。
-
公开(公告)号：CN115074820A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210684574.X
申请日：2022-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶RIG厚膜的双坩埚液相外延制备方法，涉及液相外延生长单晶薄膜技术领域，包括：采用双坩埚液相外延炉进行制备，其中，第一炉体用于厚膜外延生长和衬底更换，第二炉体用于备用熔体保温和原料更换；将原料加入位于第一炉体内的坩埚A内，加热并搅拌成均匀熔体；在第二炉体放置坩埚B，将原料加入坩埚B内，加热并搅拌成均匀熔体后备用；待坩埚A内的熔体表面呈现镜面后，将清洗后衬底放入熔体中进行液相外延生长，并通过替换备用坩埚实现持续液相外延生长，重复上述内容，维持液相外延生长至所需薄膜厚度后，取出衬底，并降温至室温后，得到单晶RIG厚膜。本发明实现薄膜持续生长并保证薄膜的生长质量。
-
公开(公告)号：CN110265504A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910588485.3
申请日：2019-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种紫外光电探测器，包括衬底、设置在所述衬底上的源电极和漏电极，还包括设置在所述衬底上的量子点修饰的纳米线，所述量子点修饰的纳米线的两端分别与所述源电极和所述漏电极连接；所述量子点修饰的纳米线包括氮化铝纳米线和氧化镍量子点，所述氧化镍量子点附着在所述氮化铝纳米线表面且与所述氮化铝纳米线之间形成p-n结。本发明提供的紫外光电探测器，利用氮化铝纳米线和氧化镍量子点之间形成的p-n结，有效提高氮化铝纳米线载流子的浓度，从而提高紫外光电探测器的光电导增益，实现紫外光电探测器对VUV紫外线的探测。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.023 seconds)
