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公开(公告)号：CN105449225A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510874624.0
申请日：2015-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/80
CPC classification number: H01M4/80
Abstract: 一种三维多孔结构铝集电极的制备方法，本发明涉及电极的制备方法。本发明要解决现有多孔铝集电极存在铝箔表面采用机械加工的方式冲孔，但是充放电过程中容易发生活性物质脱落现象的问题。本发明的方法：对铝箔进行阳极氧化，得到表面覆有氧化层的铝箔，再将铝箔上氧化层刻蚀掉，得到三维多孔结构铝集电极。本发明用于三维多孔结构铝集电极的制备方法。
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公开(公告)号：CN105386003A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510874598.1
申请日：2015-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种三维结构石墨烯增强铜基复合材料的制备方法，本发明涉及复合电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯增强铜基复合材料中，液态铜在石墨烯表面难润湿、界面处易形成孔洞和缺陷等，这导致石墨烯与铜的接触不充分，制作的石墨烯增强铜基复合材料导热性与导电性下降的问题。本发明的方法：首先采用化学气相沉积方法，在泡沫铜基体上制备三维石墨烯，然后在石墨烯表面上蒸镀一层铜，最后将蒸镀有铜的三维石墨烯/泡沫铜材料与铜粉进行放电等离子烧结。本发明用于三维结构石墨烯增强铜基复合材料的制备。
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公开(公告)号：CN105364246A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510968183.0
申请日：2015-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种表面腐蚀SiO2陶瓷基复合材料辅助钎焊的方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有SiO2陶瓷基复合材料中非晶的熔石英难以被活性钎料润湿，进而影响SiO2陶瓷基复合材料与金属钎焊的接头力学性能的问题。方法：首先使用砂纸对SiO2陶瓷基复合材料、钎料以及金属材料进行打磨、超声清洗，然后采用腐蚀液对SiO2陶瓷基复合材料待焊表面进行腐蚀，最后将腐蚀后的SiO2陶瓷基复合材料、钎料以及金属材料依次叠放并放入真空炉中钎焊。本发明用于表面腐蚀SiO2陶瓷基复合材料辅助钎焊的方法。
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公开(公告)号：CN105345195A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510874581.6
申请日：2015-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/008 , B23K1/20 , B23K1/19 , B23K103/18
CPC classification number: B23K1/008 , B23K1/19 , B23K1/20 , B23K2103/18
Abstract: 一种铝或铝合金与其它金属钎焊的方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有铜颗粒中间层钎焊铝或铝合金与其它金属的过程中，因铝铜共晶反应剧烈且难以控制而导致钎焊接头力学性能差的问题。方法：一、将铜颗粒置于化学气相沉积设备中，通入氢气与氩气的混合气体；二、在一定温度下，进行沉积，沉积结束后调节气体流量；三、将制备的石墨烯增强铜颗粒中间层复合材料置于铝或铝合金与其它金属中间，放置于真空钎焊炉中钎焊，最后将其缓慢冷却至室温完成钎焊。本发明用于铝或铝合金与其它金属钎焊的方法。
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公开(公告)号：CN104445443B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410815723.7
申请日：2014-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/46
Abstract: 一种制备纳米片结构氧化钴电极的方法，本发明涉及制备电极的方法。本发明要解决现有氧化钴赝电容存在比电容较低的问题。本发明的方法：在Si基底上制备Co镀层，然后将其置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节气体流量、压强，升温到一定温度后，再通入氧气，调节氩气及氧气气体流量，调节温度、射频功率、压强，进行沉积，沉积结束后，即得到纳米片结构氧化钴电极。本发明用于制备纳米片结构氧化钴电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104096939B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410353044.2
申请日：2014-07-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有陶瓷基复合材料表面钎料难润湿性而导致钎焊接头力学性能差的问题。方法：去除陶瓷基复合材料表面杂质，然后将陶瓷基复合材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节温度及压强，再通入甲烷气体进行沉积，沉积结束后，得到表面形成渗碳层的陶瓷基复合材料，将钛基钎料置于表面形成渗碳层的陶瓷基复合材料和金属材料的待焊接面之间，并放置于真空钎焊炉中，抽真空并在高温下保温，冷却，即完成新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊过程。本发明用于一种新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊方法。
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公开(公告)号：CN105081502A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510582390.2
申请日：2015-09-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氮气处理及其辅助钎焊陶瓷基复合材料的方法，本发明涉及钎焊陶瓷基复合材料的方法。本发明要解决现有采用钎焊方法连接陶瓷基复合材料-金属构件时，由于陶瓷基复合材料表面活性钎料的润湿性极差，难以实现复合构件的高质量连接的问题。方法：一、清洗；二、氮气处理陶瓷基复合材料；三、真空钎焊，即完成利用氮气处理及辅助钎焊陶瓷基复合材料的方法。本发明用于氮气处理及其辅助钎焊陶瓷基复合材料的方法。
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公开(公告)号：CN105070524A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510566764.1
申请日：2015-09-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种絮状二氧化锰/石墨烯复合电极材料的制备方法，本发明涉及复合电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯材料作为超级电容器电极材料，其理论极限带来的比电容值的限制，从而限制超级电容器比电容值的大幅提高十分困难的问题。方法：一、制备沉积石墨烯的集电极材料；二、制备循环伏安后的集电极材料；三、清洗，即得到絮状二氧化锰/石墨烯复合电极材料。本发明用于絮状二氧化锰/石墨烯复合电极材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN104625283A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410828186.X
申请日：2014-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 三维结构石墨烯复合中间层辅助钎焊的方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有钎焊的过程中接头极易产生较大的残余应力而导致钎焊接头力学性能差的问题。方法：去除泡沫金属表面杂质，然后将泡沫金属置于化学气相沉积装置中，通入氩气，调节气体流量及压强，然后升温，再通入甲烷，调节气体流量及压强，进行沉积，沉积结束后，得到三维结构石墨烯金属复合中间层，然后将三维结构石墨烯金属复合中间层置于两个待焊接材料之间，然后将钎料置于待焊接面之间，并放置于真空钎焊炉中，抽真空并在高温下保温，冷却，即完成三维结构石墨烯复合中间层辅助钎焊过程。本发明用于三维结构石墨烯复合中间层辅助钎焊的方法。
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公开(公告)号：CN104465131A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410817245.3
申请日：2014-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种石墨烯纳米带-铝基超级电容器集电极的制备方法，本发明涉及电极的制备方法。本发明要解决现有石墨烯纳米带制备方法存在合成过程复杂，结构缺陷多，表面含氧官能团很多，不能充分发挥出石墨烯纳米带优异性能，且比表面积低和电学性能差的问题。方法：制备表面覆有催化剂颗粒的Al基底材料，并置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氢气并调节压强，在氢气气氛中升温；达到一定温度后，通入氩气，调节氩气和氢气的流量、压强、射频功率，进行刻蚀处理一段时间后，关闭氩气；最后通入甲烷和氢气，调节气体的流量、压强及射频功率，进行沉积。本发明用于一种石墨烯纳米带-铝基超级电容器集电极的制备。
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