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公开(公告)号：CN104805488A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510259730.8
申请日：2015-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/30
CPC classification number: C25D11/30
Abstract: 一种镁合金埋件螺纹表面强化的方法，它涉及一种埋件螺纹表面强化的方法。本发明的目的是要解决现有镁合金螺纹因电场分布不均，受电场分布不均的影响，螺纹内部易出现局部放电现象，导致表面成膜不均的问题。方法：一、镁合金埋件表面机械预处理；二、超声处理；三、除油；四、微弧氧化，即完成镁合金埋件螺纹表面强化的方法。对使用本发明方法表面强化后的镁合金埋件实施4.0N.M拧紧力距，反复装卸20次微弧氧化膜层不脱落；对使用本发明的方法完成表面强化后的镁合金埋件内螺纹实施拉脱试验，拉脱力达8千牛顿～12千牛顿；满足了航天用镁合金材料要求。本发明可获得一种镁合金埋件螺纹表面强化的方法。
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公开(公告)号：CN100497759C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710072441.2
申请日：2007-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法，它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在VPb、VO及晶体诱导色心Pb3+、O-和F缺陷，光学性能差的问题。Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化镱和氧化锌制成；氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1，氧化镱的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50～300ppm，氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50～1050ppm。制备方法：一、烧结；二、采用提拉法生长晶体。本发明在钨酸铅晶体中掺杂元素镱和锌，在保留钨酸铅晶体原有优良性能的基础上，大幅度改善其光学性能。本发明Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备过程中不需要抽真空或充入惰性保护气体。
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公开(公告)号：CN1936107A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610010555.X
申请日：2006-09-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 具有观察及排气装置的钨酸铅晶体生长炉，它涉及晶体生长炉。它为了解决现有单晶炉无法观察晶体生长情况，不利于参数的调整，密封性差，氧化铅易挥发外泄有毒气体，给人身健康带来危害的问题。本发明的观察孔(7)设在保温罩(2)的上部外侧与保温罩(2)内腔相连通，保温盖(6)覆盖在观察孔(7)的上方，排气管(8)的底端设在炉体的顶部与炉腔相贯通，滑轮(3)由吊杆(5)吊固在保温罩(2)的上方，提拉绳(4)的一端与保温盖(6)的上平面连接，提拉绳(4)的另一端绕滑轮(3)穿过炉体到炉外。该炉可观察晶体生长的情况，以利调整最佳的钨酸铅晶体生长参数，排气管能将挥发外泄的氧化铅有毒气体排出室外，减少对人身的危害。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102181287B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110072116.2
申请日：2011-03-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/68
Abstract: 镱铥双掺杂钨酸钙多晶粉蓝光上转换材料及其制备方法，它涉及一种稀土元素掺杂钨酸钙多晶粉蓝光上转换材料及其制备方法。它解决了基质材料中掺杂稀土元素，难以得到单一性很好的发射光，以及掺杂Tm3+产生的上转换蓝光强度微弱的问题。镱铥双掺杂钨酸钙多晶粉蓝光上转换材料的化学式为Ca0.99-xWO4:Ybx/Tm0.01，其中0.01≤x≤0.08。制备方法：一、按化学式的化学计量比称取；二、研磨、压片；三、高温烧结。本发明镱铥双掺杂钨酸钙多晶粉蓝光上转换材料在980nm激光泵浦、激发功率为300mW条件下能发出明亮的上转换蓝光，且发光均匀。
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公开(公告)号：CN102191049A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110072098.8
申请日：2011-03-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/68
Abstract: 镱铒双掺杂钨酸钙多晶粉绿光上转换材料及其制备方法，它涉及一种稀土元素掺杂钨酸钙多晶粉绿光上转换材料及其制备方法。它解决了基质材料中掺杂稀土元素，难以得到单一性很好的发射光的问题。镱铒双掺杂钨酸钙多晶粉绿光上转换材料的化学式为Ca0.99-xWO4:Yb0.01/Erx，其中0.001≤x≤0.08。制备方法：一、按化学式的化学计量比称取；二、研磨、压片；三、高温烧结。本发明镱铒双掺杂钨酸钙多晶粉绿光上转换材料在980nm激光泵浦、激发功率为300mW条件下能发出明亮的上转换绿光，且发光均匀。
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公开(公告)号：CN102174323A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110064438.2
申请日：2011-03-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 镱铥双掺七铝酸十二钙多晶及其制备方法，它涉及七铝酸十二钙多晶及其制备方法。本发明解决了现有的蓝光材料蓝色光波长分布宽，不利于应用的技术问题。本发明的镱铥双掺七铝酸十二钙多晶是由氧化钙、氧化铝、氧化镱和氧化铥制成的，其中氧化钙和氧化铝摩尔比为12∶7，氧化镱的物质的量为氧化钙物质的量的0.042％～0.42％，氧化铥的物质的量为氧化钙物质的量的0.042％～0.21％。方法：将氧化钙、氧化铝、氧化镱和氧化铥粉末研磨、压片后在空气氛下烧结得到镱铥双掺七铝酸十二钙多晶。在980nm的光激发下得到460nm～490nm的单一蓝光发射。可用于光存储技术、光电子技术、传感技术及海底光纤通讯领域。
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公开(公告)号：CN101328613A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810064778.3
申请日：2008-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法。它解决了现有技术制备的Er掺杂铌酸锂晶体上转换材料存在发光强度不高的问题。本发明光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料由Li2CO3、Nb2O5、ZnO和Er2O3制成。方法：1.称取所需成分；2.烧结；3.采用提拉法生长晶体；4.极化处理，即得光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料。本发明在Er掺杂铌酸锂晶体中掺杂元素Zn，使其上转换机制由双光子过程改变为光子雪崩机制，明显提高了铌酸锂晶体上转换材料的发光强度。
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公开(公告)号：CN101328612A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810064777.9
申请日：2008-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。它解决了现有技术制备掺杂的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、CuO和In2O3制成。方法：一、称取所需成分；二、烧结；三、采用提拉法生长晶体；四、极化处理；五、氧化处理或还原处理，即得In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体。本发明在铌酸锂晶体中掺杂元素铟(In)、铁(Fe)和铜(Cu)，在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上，明显提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力和响应时间。
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