-
公开(公告)号：CN119952173A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510269104.0
申请日：2025-03-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于金属陶瓷复合阻隔层的方钴矿热电材料/电极高热稳定焊接方法，涉及一种用于方钴矿基热电材料与金属电极的连接方法。为了解决方钴矿与金属电极之间存在剧烈的元素扩散，使得其强度和界面电阻增大，进而焊接接头强度低和服役寿命降低的问题。本发明以金属陶瓷复合相作为扩散阻隔层的连接强度高，接头电阻低，长期服役下反应层厚度增长缓慢，因此保持良好的力学性能与使用性能。本发明可以通过选择不同的难熔金属和陶瓷调控整体阻隔层的组成和比例，可以通过控制焊接温度及保温时间可以控制界面反应层的种类、厚度及分布方式，进而控制焊接接头的强度及热/电输运性能。
-
公开(公告)号：CN119387795A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411590803.7
申请日：2024-11-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K20/02 , B23K20/24 , B23K20/22 , B23K103/18
Abstract: 一种基于恒流电场作用下实现锆及其合金低温扩散连接的方法，涉及材料连接技术领域。本发明的目的是为了解决当前锆及其合金直接扩散连接中存在低连接温度下接头强度低，以及高连接温度下母材性能削减和焊后变形大的问题。本发明主要通过恒流电场作用下的电迁移效应，恒流电场提高锆及其合金的空位浓度和高温塑性共同促进扩散连接界面处的孔洞闭合和原子扩散，从而在低温下获得高强度锆及其合金接头。本发明可获得一种基于恒流电场作用下实现锆及其合金低温扩散连接的方法。
-
公开(公告)号：CN119347085A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411608522.X
申请日：2024-11-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种通过表面质子辐照辅助金属材料实现低温扩散连接的方法，涉及焊接技术领域。本发明通过质子辐照方法在金属母材表面制备含有大量晶格缺陷和位错的辐照层，使元素扩散通道显著增加，实现了Zr‑4合金在600℃～800℃低温条件下的扩散连接，焊接接头强度达到290～420MPa，最佳可超过母材强度的90％。本发明可获得一种通过表面质子辐照辅助金属材料实现低温扩散连接的方法。
-
公开(公告)号：CN119328250A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411625392.0
申请日：2024-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/19 , B23K1/20 , B23K20/02 , B23K103/00
Abstract: 一种基于Ti‑Ni‑Nb复合中间层实现Cf/SiC复合材料与YSZ陶瓷高温钎焊的方法，涉及异种材料钎焊技术领域。本发明为了解决现有的YSZ陶瓷与Cf/SiC复合材料之间难以形成高强度及高服役温度连接接头的问题。本发明可使Cf/SiC与YSZ陶瓷连接接头得到高质量冶金结合，在钎焊温度为1190℃、保温时间为20min下，接头室温剪切强度最高可达59MPa，500℃下剪切强度最高可达48MPa，1000℃下抗剪强度可达11MPa，在实现Cf/SiC与YSZ陶瓷连接的同时也保证了接头的耐高温性能。本发明可获得一种基于Ti‑Ni‑Nb复合中间层实现Cf/SiC复合材料与YSZ陶瓷高温钎焊的方法。
-
公开(公告)号：CN119135501A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411182651.7
申请日：2024-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H04L27/26
Abstract: 一种基于插零和补零的灵活谱效chirp多载波信号生成方法，它属于chirp多载波信号生成技术领域。本发明解决了现有非正交chirp多载波复用技术的频谱效率受到限制，以及现有非正交chirp多载波复用系统结构的适用性、通用性受到限制的问题。本发明的收发两端在进行第一次相位旋转后添加了插零和补零的操作，通过控制插零和补零的数量可以调整DFT和IDFT的点数，以调节chirp多载波复用系统中的带宽压缩因子，进而提供灵活可变的频谱效率，解决了chirp多载波信号生成过程中由于操作点数必须为整数且为2的幂次导致的频谱效率范围受限的问题，进一步扩展了chirp多载波复用系统的结构适用范围，更具有通用性。本发明方法可以应用于chirp多载波信号生成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118893265A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411099840.8
申请日：2024-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用TiZrNiCu活性钎料钎焊Y2O3‑MgO复相陶瓷与金属的方法，涉及一种钎焊Y2O3‑MgO复相陶瓷与金属的方法。为了解决Y2O3‑MgO复相陶瓷与金属钎焊连接强度低，并提高连接接头气密性的问题。方法：Y2O3‑MgO复相陶瓷、TiZrNiCu活性钎料和待焊金属的焊前处理，将TiZrNiCu活性钎料置于Y2O3‑MgO复相陶瓷与待焊金属之间得到装配件，将装配件放入真空钎焊炉中，进行钎焊。本发明采用钎焊方法连接Y2O3‑MgO复相陶瓷与金属，获得的的焊接接头组织致密，无明显气孔、裂纹等缺陷，满足Y2O3‑MgO复相陶瓷与金属连接的气密性要求。
-
公开(公告)号：CN118650332A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410966495.7
申请日：2024-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于焊接镍基合金的高熵钎料、钎料的制备方法和TLP焊接镍基合金的方法，属于材料焊接领域，具体涉及一种用于焊接镍基合金的高熵钎料、钎料的制备方法和应用。为了解决现有的镍基合金焊接时存在金属间化合物析出和低温焊接高温服役难以实现的问题，提出一种用于焊接镍基合金的高熵钎料、钎料的制备方法和TLP焊接镍基合金的方法，本发明用于焊接镍基合金的高熵钎料的原子百分比组成为：Fe：15～35％、Co：15～35％、Ni：15～35％、Cu：15～35％、Si：8～13％；本发明高熵钎料钎料的组元种类多且含量较高，原子排列较为混乱，故其原子排列的混合熵很高，接头具有优良的力学，获得的焊接接头焊缝熔点较高且在常温及高温条件下具有较高的剪切强度。
-
公开(公告)号：CN115502538B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202211138061.5
申请日：2022-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以MAX或Mxene为阻隔层的方钴矿基热电材料与金属电极的连接方法，涉及一种可用于方钴矿基热电材料与金属电极材料的连接方法。为了解决方钴矿系热电材料与金属电极在焊接以及服役过程中元素扩散问题。本发明选用三元层状化合物MAX相陶瓷或二维MXene作为方钴矿系热电材料与金属电极之间的防止元素扩散阻隔层，MAX相陶瓷与金属电极和方钴矿系热电材料在焊接过程中的没有严重界面反应，元素扩散在MAX相陶瓷晶粒或MXene内部极其微弱，而在晶界处扩散速度较快，并且不会形成连续的脆性化合物。并且MAX相陶瓷材料或MXene的导电性很高，膨胀系数接近方钴矿系热电材料。
-
公开(公告)号：CN115476012A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211313813.7
申请日：2022-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/008 , B23K1/20 , B23K103/18
Abstract: 一种高Cu原子比Cu‑Ti钎料在陶瓷与金属钎焊中的应用，涉及高Cu原子比Cu‑Ti钎料的应用技术领域。本发明的目的是为了解决采用现有的共晶成分Cu‑23Ti(wt.％)钎料进行Ti3SiC2陶瓷与Nb的钎焊连接时，接头内产生的脆性CuTi化合物导致接头抗剪切强度低的问题。方法：按照Ti3SiC2陶瓷/Ti箔/Cu箔/Nb的顺序装配，得到待焊装配件；将待焊装配件放入真空钎焊炉内，在5×10‑2Pa的真空度及950～1010℃的钎焊温度下保温5～60min，钎焊结束后冷却至室温。本发明可获得一种高Cu原子比Cu‑Ti钎料在陶瓷与金属钎焊中的应用。
-
公开(公告)号：CN114101830A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111469873.3
申请日：2021-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种DZ40M钴基高温合金TLP焊接方法，涉及一种钴基高温合金TLP焊接方法。为了解决现有焊接工艺对钴基高温合金DZ40M焊接时存在可靠性差的问题。焊接方法：中间层粉末元素质量百分比为Co：5～15％、Cr：15～30％、W：4～15％、B：1～10％、Ni为余量，待焊的DZ40M钴基高温合金进行预处理，中间层粉末调成膏状中间层制成待焊DZ40M钴基高温合金，固定得到待焊的连接件进行焊接和时效处理。本发明提出一种DZ40M钴基高温合金TLP焊接方法，可以有效减少焊缝内气孔、裂纹和未焊合缺陷，为DZ40M钴基高温合金的连接和修复工作提供技术支持。本发明适用于DZ40M钴基高温合金TLP焊接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
112
records
(took 0.038 seconds)
