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公开(公告)号：CN103741116A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410040025.4
申请日：2014-01-27
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/56 , B01D17/022
Abstract: 本发明的金刚石网及其分离油水混合物和转移液滴的应用，属于材料表面浸润性质应用的技术领域。金刚石网由金属网衬底与金刚石涂层构成；金刚石涂层是连续的CVD金刚石膜，并经过氢终止或氧终止表面处理；金属网衬底是微米孔径尺寸的铜网、钛网或不锈钢网。本发明金刚石涂层具有优良的耐强酸强碱的化学稳定性，并且当涂层表面为氢终止时体现为超疏水性，同时具有超亲油性，当涂层表面为氧终止时体现为亲水性，氢终止或氧终止表面能够相互转换，因此可以在任何酸碱度条件下实现高效油水分离和液滴转移；油水分离或液滴转移后的金刚石网经清水清洗后，可重复多次使用，性能没有任何变化，具备了自清洁性。
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公开(公告)号：CN101807606B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010117449.8
申请日：2010-03-04
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/88 , H01L21/34 , H01L29/267
Abstract: 本发明的n型氧化锌/p型金刚石异质结隧道二极管及其制作方法属于半导体材料及其制备的技术领域。隧道二极管结构是n型氧化锌(2)是氧化锌纳米阵列结构竖直生长在p型金刚石(1)上；导电玻璃(3)与氧化锌纳米结构接触作为导电阴极，p-型金刚石(1)作为导电阳极。制作过程是在硅或金刚石单晶衬底上生长p型金刚石，热蒸发法在p型金刚石上生长n型氧化锌(2)纳米结构，最后制作电极。本发明的具有负阻特性的隧道二极管不需要采用以往的多层复杂结构，具有较大电流峰谷比；其制备方法具有简单、可控性强、晶体质量高、制造廉价等优点。
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公开(公告)号：CN101807519A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010128715.7
申请日：2010-03-22
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种立方氮化硼单晶-薄膜同质P-N结的制备方法，属于半导体元件的制备方法。该方法包括有合成半导体特性的立方氮化硼单晶片和制备掺杂的立方氮化硼薄膜，该立方氮化硼薄膜与立方氮化硼单晶片的半导体特性相反，所述的合成半导体特性的立方氮化硼单晶片，是采用高压直接合成或高压再扩散的方法，所述的制备掺杂的立方氮化硼薄膜，是以上述具有半导体特性的立方氮化硼单晶片为衬底，采用真空气相沉积的方法，掺杂生长半导体类型与衬底类型相反的立方氮化硼薄膜。所述真空气相沉积的方法是真空物理气相沉积法或真空化学气相沉积法。其降低了工艺难度、提高了生产效率和成品率等，较从前的高压合成、再生长制备cBN同质P-N结技术有很大的提高。
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公开(公告)号：CN101789463A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010117462.3
申请日：2010-03-04
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明的n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法，属于半导体材料及其制备的技术领域。光电器件是n型氧化锌纳米棒高取向竖直生长在p型金刚石上；用银浆在导电阴极和导电阳极上分别连接铜导线。制备方法的第1步生长硼掺杂的p-型多晶微米金刚石膜或硼掺杂的p-型金刚石单晶；第2步在p型金刚石溅射ZnO晶种层；第3步在乙酸锌和六次甲基四胺的混合水溶液中，在ZnO晶种层上生长ZnO纳米棒；第4步制作电极。本发明利用水热合成法在金刚石上制备ZnO纳米棒结构，通过调节ZnO的尺寸、退火处理、金刚石的掺硼浓度、晶粒尺寸等手段在低温下获得性能优越的异质结；方法简单成本低，适合大规模生产及应用。
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公开(公告)号：CN101608533A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910067292.X
申请日：2009-07-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的孕镶金刚石膜的钻头及其制作方法属于机械加工领域。钻头是由钢体(1)和工作层(2)构成，工作层(2)包含化学气相沉积的金刚石膜(4)和硬质胎体材料(3)。金刚石膜(4)按要求形态分布于工作层(2)中。钻头成型方式包括一次成型和镶块式二次成型。一次成型是指烧结型热压金刚石钻头，镶块式二次成型是先烧结出金刚石孕镶块，然后把孕镶块镶焊在铣好的钢体上形成钻头。本发明的钻头增强了耐磨性，减小了切割粘附性，保证钻头底唇面的粗糙度和有效出刃，并可有效地保径，提高了切削效率和工具的寿命。与普通金刚石钻头比较，具有寿命长、钻进效率高、工作距离长、能耗低、防粘岩粉能力强等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117153889A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310728245.5
申请日：2023-06-20
Applicant: 宜宾吉林大学研究院
IPC: H01L29/80 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/167 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L21/337 , H01L21/28
Abstract: 本发明的一种雪崩调制的异质结栅场效应晶体管及其制备方法属于半导体器件技术领域。所述的场效应晶体管，结构包括：异质外延衬底(1)、沟道层(2)、电阻缓冲层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、n型氧化锌(6)、栅电极(7)、凹槽(8)等。制备方法包括生长异质外延衬底(1)、掺杂沟道层(2)、掺杂电阻缓冲层(3)等步骤。本发明制备的场效应晶体管具有高阈值电压、低导通电阻以及低栅极漏电等高性能。
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公开(公告)号：CN116111184A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310318886.3
申请日：2023-03-29
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M10/0563 , H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M10/42
Abstract: 本发明公开了一种锂离子电池含水电解液及其制备方法和用途，本发明将水加入商用电解液中，并引入纳米金刚石颗粒，制备水和纳米金刚石混合电解液。将混合电解液引入离子锂电池半电池和全电池，在充放电循环过程中，含水的混合电解液具有较高的离子电导率和更好的隔膜浸润性，有利于提高锂离子的传输能力。纳米金刚石颗粒和水的协同作用构建纳米金刚石相关固体电解质界面，提供了丰富的锂离子吸附活性位点，保护石墨等负极避免水作用下的剥离，提高电池的容量、倍率等综合性能。本发明制备方法简单、成本低、环境友好，具有良好的工业化生产前景。
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公开(公告)号：CN110596212B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910896637.6
申请日：2019-10-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种用于检测盐酸克伦特罗的复合结构传感器的制备方法，属于电化学传感器的技术领域。在硼掺杂金刚石薄膜上沉积纳米金薄膜，通过水蒸气高温处理，构成金纳米颗粒和纳米多孔硼掺杂金刚石复合结构传感器。本发明纳米多孔硼掺杂金刚石的形成以及金纳米颗粒的复合结构合理的设计，可用于测试盐酸克伦特罗，并且这种新型检测盐酸克伦特罗的复合结构传感器灵敏度高，传感器制备便捷，成本低廉，有较高的稳定性和重复性，并且具有较强的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN109671920B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201811282366.7
申请日：2018-10-31
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/485 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的纳米金刚石与二氧化钛空心球复合电极材料及制备方法属于锂离子电池负极材料的技术领域，其特征是，二氧化钛呈空心球状态，纳米金刚石粒呈现为颗粒状吸附在二氧化钛空心球表面，制备方法包括纳米金刚石的处理、强碱溶液的配制、高压釜中密封反应、煅烧等步骤。制备的产物晶粒尺寸小、结晶性好，具有较高的锂离子的存储密度与传输速率，可作为一种理想的锂离子电池材料。
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公开(公告)号：CN112961676A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110216248.1
申请日：2021-02-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种锰掺杂锗酸锌纳米材料制备方法属于纳米材料制备的技术领域，将Zn(CH3COO)2·H2O和GeO2混合后再加入Mn(CH3COO)2·4H2O，充分搅拌后加入到NaOH溶液中，产生粉红色胶体沉淀；将粉红色胶体沉淀物在微波石英容器中加热至100～160℃反应5～15分钟，反应结束后，自然冷却至室温，经离心、洗涤后、烘干，得到锰掺杂锗酸锌纳米材料Zn2GeO4:xMn2+。本发明操作简单，掺杂后的锗酸锌由蓝色发光转变成足够强度的绿色发光，可以应用于发光二极管、激光器、光放大器和高温光学传感器等许多技术领域。
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