n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法

    公开(公告)号:CN101789463A

    公开(公告)日:2010-07-28

    申请号:CN201010117462.3

    申请日:2010-03-04

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明的n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法,属于半导体材料及其制备的技术领域。光电器件是n型氧化锌纳米棒高取向竖直生长在p型金刚石上;用银浆在导电阴极和导电阳极上分别连接铜导线。制备方法的第1步生长硼掺杂的p-型多晶微米金刚石膜或硼掺杂的p-型金刚石单晶;第2步在p型金刚石溅射ZnO晶种层;第3步在乙酸锌和六次甲基四胺的混合水溶液中,在ZnO晶种层上生长ZnO纳米棒;第4步制作电极。本发明利用水热合成法在金刚石上制备ZnO纳米棒结构,通过调节ZnO的尺寸、退火处理、金刚石的掺硼浓度、晶粒尺寸等手段在低温下获得性能优越的异质结;方法简单成本低,适合大规模生产及应用。

    n型氧化钛纳米管/p型金刚石异质结光催化材料及制备方法

    公开(公告)号:CN101786026B

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN201010131050.5

    申请日:2010-03-24

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的n型TiO2纳米管/p型金刚石异质结光催化材料及制备方法,属于光催化材料及其制备领域。本发明光催化材料是锐钛矿结构的n型TiO2纳米管生长在p型金刚石上。制备方法的第1步,生长硼掺杂的p-型多晶金刚石膜或硼掺杂的p型金刚石单晶;第2步,在p型金刚石溅射ZnO籽晶层;第3步,在乙酸锌和六次甲基四胺的混合水溶液中,在ZnO籽晶层上生长ZnO纳米棒;第4步,在氟钛酸氨和硼酸的混合溶液中,以ZnO纳米棒为模板在p型金刚石生长n型TiO2纳米管。本发明利用液相合成法在金刚石上制备了TiO2纳米管,获得光催化性能优越的异质结;方法简单成本低,适合大规模生产及应用。

    n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法

    公开(公告)号:CN101789463B

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN201010117462.3

    申请日:2010-03-04

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明的n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法,属于半导体材料及其制备的技术领域。光电器件是n型氧化锌纳米棒高取向竖直生长在p型金刚石上;用银浆在导电阴极和导电阳极上分别连接铜导线。制备方法的第1步生长硼掺杂的p-型多晶微米金刚石膜或硼掺杂的p-型金刚石单晶;第2步在p型金刚石溅射ZnO晶种层;第3步在乙酸锌和六次甲基四胺的混合水溶液中,在ZnO晶种层上生长ZnO纳米棒;第4步制作电极。本发明利用水热合成法在金刚石上制备ZnO纳米棒结构,通过调节ZnO的尺寸、退火处理、金刚石的掺硼浓度、晶粒尺寸等手段在低温下获得性能优越的异质结;方法简单成本低,适合大规模生产及应用。

    n型氧化钛纳米管/p型金刚石异质结光催化材料及制备方法

    公开(公告)号:CN101786026A

    公开(公告)日:2010-07-28

    申请号:CN201010131050.5

    申请日:2010-03-24

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的n型TiO2纳米管/p型金刚石异质结光催化材料及制备方法,属于光催化材料及其制备领域。本发明光催化材料是锐钛矿结构的n型TiO2纳米管生长在p型金刚石上。制备方法的第1步,生长硼掺杂的p-型多晶金刚石膜或硼掺杂的p型金刚石单晶;第2步,在p型金刚石溅射ZnO籽晶层;第3步,在乙酸锌和六次甲基四胺的混合水溶液中,在ZnO籽晶层上生长ZnO纳米棒;第4步,在氟钛酸氨和硼酸的混合溶液中,以ZnO纳米棒为模板在p型金刚石生长n型TiO2纳米管。本发明利用液相合成法在金刚石上制备了TiO2纳米管,获得光催化性能优越的异质结;方法简单成本低,适合大规模生产及应用。

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