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公开(公告)号：CN119038501A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411162998.5
申请日：2024-08-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种制备镧基超氮聚合物的方法属于高含能材料制备技术领域。通过磁控溅射或真空蒸镀和高压气体装载技术将镧和氮气置于金刚石对顶砧中激光加热直接反应，在百万大气压力下合成了一种全新的镧基超氮聚合物LaN8。本发明制备得到的镧基超氮聚合物相具有不同于已知的多氮结构的类笼型N8聚合单元。其具有所有多氮聚合物中最长的氮氮键长，是一种潜在的高能量密度材料。本研究为通过高温高压实验手段发现具有独特氮结构的新型超氮化物开辟了一条崭新的、有希望的途径。
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公开(公告)号：CN118320716A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410446765.1
申请日：2024-04-15
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明提供一种金刚石对顶砧的应用及金刚石对顶砧合成过渡金属氟化物的方法，本发明将金刚石对顶砧应用于过渡金属氟化物的合成；选择过渡金属材料作为反应的初始原料，将二氟化氙以及液氩或液氮封装到金刚石对顶砧的样品腔中。在60℃下加热金刚石对顶砧直到二氟化氙晶体消失，通过温度和压力的调控，得到过渡金属氟化物晶体。解决了金刚石对顶砧的氟气封装技术难题，通过使用固体的二氟化氙替代气体氟化剂，合成过渡金属氟化物；提供了针对金刚石对顶砧的氟化物合成新思路。本发明操作简单，合成转化率高，纯度高，安全无污染，可重复性高。
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公开(公告)号：CN116359572A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310371065.6
申请日：2023-04-10
Applicant: 吉林大学
IPC: G01R1/28 , G01R33/12 , G01R33/07 , G01N27/72 , G05B19/042
Abstract: 本发明的一种多铁芯小型磁场发生器及控制系统属于磁场产生设备技术领域，所述多铁芯小型磁场发生器，结构有样品测试腔(26)、外壳(27)、硅钢悬臂(21)、汇聚悬臂(25)、缓冲内衬(20)、线圈绕组(22)和磁路臂(23)；所述多铁芯小型磁场发生器控制系统，结构包括磁场强度传感器(1)、磁场发生器(2)、并行模数转换器(3)、可调多路脉冲发生器(4)、并行数据处理模块(5)、单片机(6)、显示模块(7)、调整数据采集设备(8)和线性稳压电源(9)。本发明利用多组分散线圈产生磁场，降低了传统电磁线圈体积对空间的要求，在满足设备小型化的同时还能对磁场强度大小进行精确控制。
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公开(公告)号：CN109928400B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201910374280.5
申请日：2019-05-07
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明的一种无粘接剂的纳米聚晶一硼化钛块体材料的制备方法属于硬质导体纳米块体材料制备的技术领域，以纳米c‑TiB粉末为原料，首先对原料进行真空干燥处理，然后将原料在大于或等于3Gpa压力下1000K温度烧结30分钟，之后冷却卸压，得到纳米聚晶一硼化钛块体材。本发明在不使用粘接剂的情况下，利用高温高压烧结方法，制备出高性能的纳米聚晶块体材料，制备的材料致密高硬度高，本发明不仅对提高c‑TiB的硬度有意义，而且对制备其他无粘接剂的高致密纳米体材料有重要参考价值。
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公开(公告)号：CN112088295B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202080001240.7
申请日：2020-07-13
Applicant: 吉林大学
IPC: G01L1/24
Abstract: 本申请提供了一种压力测量系统。该系统可以包括传感组件、光源、荧光处理组件和压力测量组件。传感组件可以被配置用于接收待测压力。传感组件可以包括含6‑酰基‑2‑萘胺衍生物的荧光材料。光源可以被配置用于向传感组件发射激光。荧光处理组件可以被配置用于测定与荧光相关的荧光数据，所述荧光由传感组件对所述激光响应而产生。压力测量组件可以被配置用于基于荧光数据确定与所述待测压力相关的压力数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110055502B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910374278.8
申请日：2019-05-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种带隙可调的半导体硼碳薄膜的制备方法属于非晶半导体薄膜材料制备的技术领域。在磁控溅射设备上以玻璃为基底材料，使用高纯的硼靶和碳靶，基底与靶材间的距离均是55mm，以氩气为工作气体，在1.0Pa工作气压下，控制硼靶功率在160W～240W变化、碳靶功率在50W～80W变化、基底温度在200～400℃变化，进行磁控溅射，得到带隙不同的半导体硼碳薄膜。本发明利用磁控溅射方法，通过对基底温度、硼靶功率和碳靶功率的控制，有效调控了a‑C:B中碳原子的sp2杂化态和sp3杂化态的比例含量，最终探索出一种有效调控a‑C:B的Eopt的方法，为进一步开发可应用的a‑C具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111620696A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010515464.1
申请日：2020-06-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明的一种高硬度铁磁性α-MnB的制备方法属于高力学强度磁性锰硼陶瓷材料制备的技术领域，以锰粉、硼粉两种单质为原料，经原料混合、压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得α-MnB块状材料。本发明工艺流程简单，不需要通过材料复合、掺杂、老化等复杂的合成工艺；简化了高硬度磁性材料的制备流程，缩短了材料制备周期和烧结时间；通过调节单质原料的配比、温度和压力来提高硼化锰(α-MnB)的纯度，设计和制备出了高力学强度的磁性硼化锰(α-MnB)体材料。
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公开(公告)号：CN109701447A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910170585.4
申请日：2019-03-07
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明的一种无触媒的低压制备纳米聚晶金刚石的方法属于超硬材料制备的技术领域。以纳米石墨为原料，首先将原料压成圆柱状，在压力范围为1～5GPa，温度范围为500～700℃条件下保温10分钟，然后冷却卸压；将预压后的将样品取出并用六角氮化硼包裹，在压力大于或等于9GPa，温度大于或等于1800℃条件下，保温5-30分钟，冷却卸压，得到纳米聚晶金刚石。本发明不需要任何粘接剂，以廉价纳米石墨为原料，直接合成NPD，制备方法简单。所需压力低，制备的样品致密性好，硬度高。本发明的方法对聚晶金刚石的实际应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN103601189B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310634390.3
申请日：2013-11-30
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B31/34
Abstract: 本发明的二碳化钼钨的高温高压制备方法，属于高温导电钼钨三元碳化物制备的技术领域。制备过程为将钼粉、钨粉和碳粉进行混合，按合成腔体大小压成圆柱状；将块状圆柱状原料装入加热容器，放入合成腔体中，在压力为2.0～6.0GPa、温度为1800～2000K下保温保压15～60分钟；最后冷却卸压，制得二碳化钼钨块状材料。本发明工艺流程简单，缩短了制备周期和烧结时间；不需要二元的碳化物做为原料；不需要任何如金属铝助熔剂；通过调节单质原料的配比、温度和压力来提高二碳化钼钨的纯度，并制备出了较高纯度的块体二碳化钼钨材料。
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公开(公告)号：CN101973559A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010502262.X
申请日：2010-10-11
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明的锰的硼化物的高温高压制备方法属于超硬材料的技术领域。所述的锰的硼化物主要组分是MnB2或Mn3B4；制备方法是：以锰粉和硼粉为原料，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得锰的硼化物材料；锰粉和硼粉按摩尔比1∶2～4；所说的高温高压合成，是在压力为1.0～6.0GPa、温度为1300～2000K下保温保压10～120分钟。本发明方法简单，易于实施；不采用任何助熔剂；通过原料的配比、合成温度和压力来调整MnB2或Mn3B4材料的组分及其纯度，并制备出较高纯度的MnB2。
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