公开(公告)号：CN115424929A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202210430941.3

申请日：2022-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高境鸿

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成栅极介电层；在栅极介电层上方形成牺牲层；图案化牺牲层以形成牺牲栅电极；通过部分地蚀刻牺牲栅电极在牺牲栅电极中形成多个开口；利用与牺牲栅电极的材料不同的填充材料填充多个开口；去除牺牲栅电极以形成栅极空间，从而在栅极空间中留下多个柱或壁；以及利用一种或多种导电材料填充栅极空间，从而形成金属栅电极。

公开(公告)号：CN115312580A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210555141.4

申请日：2022-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高境鸿

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了制造半导体器件的方法。该方法包括沿半导体衬底的顶面形成凹槽。该方法包括形成沿凹槽的第一侧壁延伸的基于氮化物的间隔件层。该方法包括在凹槽中形成场氧化物层，该场氧化物层沿凹槽的底面延伸，而基于氮化物的间隔件层阻止场氧化物层的横向尖端延伸到除了凹槽之外的半导体衬底的任何部分。本申请的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN109860173A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811248683.7

申请日：2018-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高境鸿 ,  黄崎峰 ,  蔡辅桓 ,  梁其翔

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 在一个实施例中，集成电路装置(IC)包括半导体基板、配置在半导体基板上的隔离区域以及主动区域、配置在主动区域上的栅极堆叠以及配置在主动区域中并且在第一方向上被插入栅极堆叠的源极以及漏极。主动区域至少部分地被隔离区域所围绕。主动区域的中间部分在第二方向上横向地延伸超过栅极堆叠，第二方向与第一方向正交。

公开(公告)号：CN106898556B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201610961740.0

申请日：2016-10-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李国弘 ,  李智飞 ,  张復诚 ,  高境鸿

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/544

Abstract: 本揭露提供一种半导体结构及其制造方法。制造半导体结构的方法包含：形成对准记号层于基板上；图案化对准记号层来形成至少一对准记号特征；以实质上共形的方式形成下导电层于图案化的对准记号层上；形成绝缘层于下导电层上；以及形成上导电层于绝缘层上。

公开(公告)号：CN109427648A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711220067.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗翰 ,  王柏仁 ,  吴春立 ,  高境鸿

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

Abstract: 提供半导体装置结构及其形成方法。此半导体装置结构包括基板。此基板包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的一绝缘层。此半导体装置结构亦包括栅极堆叠，位于基板之上。此半导体装置结构更包括多个源极及漏极结构，位于基板的第二半导体层中。此些源极及漏极结构位于栅极堆叠的两侧。此外，此半导体装置结构包括第一隔离结构，位于基板中。此第一隔离结构包括绝缘材料且环绕源极及漏极结构。此半导体装置结构亦包括第二隔离结构，位于第一隔离结构中。此第二隔离结构包括金属材料且环绕源极及漏极结构。