公开(公告)号：CN106898556A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201610961740.0

申请日：2016-10-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李国弘 ,  李智飞 ,  张復诚 ,  高境鸿

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/78 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/528 ,  H01L28/40 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

Abstract: 本揭露提供一种半导体结构及其制造方法。制造半导体结构的方法包含：形成对准记号层于基板上；图案化对准记号层来形成至少一对准记号特征；以实质上共形的方式形成下导电层于图案化的对准记号层上；形成绝缘层于下导电层上；以及形成上导电层于绝缘层上。

公开(公告)号：CN106898556B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201610961740.0

申请日：2016-10-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李国弘 ,  李智飞 ,  张復诚 ,  高境鸿

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/544

Abstract: 本揭露提供一种半导体结构及其制造方法。制造半导体结构的方法包含：形成对准记号层于基板上；图案化对准记号层来形成至少一对准记号特征；以实质上共形的方式形成下导电层于图案化的对准记号层上；形成绝缘层于下导电层上；以及形成上导电层于绝缘层上。