公开(公告)号：CN107204347B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201611248438.7

申请日：2016-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖志育 ,  蔡敏瑛 ,  杜友伦 ,  金海光 ,  蔡正原

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

Abstract: 本发明实施例公开一种图像传感器件。图像传感器件包括：具有正面和背面的衬底；形成于衬底内的辐射感测区；从衬底的背面延伸至衬底的开口；包含第一金属的第一金属氧化物膜，第一金属氧化物膜形成于衬底的内表面上；及包含第二金属的第二金属氧化物膜，第二金属氧化物膜形成于第一金属氧化物膜的上方；其中，第一金属的电负性高于第二金属的电负性。本发明还公开了一种相关的制造方法。本发明实施例涉及图像传感器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN107204347A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201611248438.7

申请日：2016-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖志育 ,  蔡敏瑛 ,  杜友伦 ,  金海光 ,  蔡正原

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

Abstract: 本发明实施例公开一种图像传感器件。图像传感器件包括：具有正面和背面的衬底；形成于衬底内的辐射感测区；从衬底的背面延伸至衬底的开口；包含第一金属的第一金属氧化物膜，第一金属氧化物膜形成于衬底的内表面上；及包含第二金属的第二金属氧化物膜，第二金属氧化物膜形成于第一金属氧化物膜的上方；其中，第一金属的电负性高于第二金属的电负性。本发明还公开了一种相关的制造方法。本发明实施例涉及图像传感器件及其制造方法。