一种棒状氧化锆晶须的制备方法

    公开(公告)号:CN107460545A

    公开(公告)日:2017-12-12

    申请号:CN201710733133.3

    申请日:2017-08-24

    Applicant: 台州学院

    CPC classification number: C30B29/16 C30B9/12 C30B29/62

    Abstract: 本发明公开了一种棒状氧化锆晶须的制备方法,属于无机结构材料领域。该棒状氧化锆晶须的制备方法,包括以下步骤:将四方相氧化锆和助熔剂分别研磨成粉状颗粒,混合均匀得到反应原料,其中四方相氧化锆和助熔剂的摩尔比为1:1~1:1.5;将所述反应原料升温至850~1000℃进行煅烧处理30~90min,冷却,得到相应的烧结产物;将上述烧结产物加入去离子水中,并控制温度在70℃~90℃的条件下进行搅拌浸泡处理,再经过滤得到白色的固体粉饼;将得到的白色固态粉饼进行烘干处理,即得到白色棒状氧化锆晶须。本发明工艺流程简单、煅烧温度适中,反应体系均匀性好,成本低,产品得到率80%以上,所得棒状氧化锆晶须产品微观形貌均匀、产率高,助熔剂易于洗去,适于工业化应用。

    一种ZrCrN/ZrAlN叠层刀具涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN107299314A

    公开(公告)日:2017-10-27

    申请号:CN201710556298.8

    申请日:2017-07-10

    Applicant: 台州学院

    CPC classification number: C23C14/325 C23C14/0641 C23C14/0688

    Abstract: 本发明属于金属表面涂层技术领域,公开了一种在WC/CO硬质合金基体上沉积ZrCrN/ZrAlN叠层刀具涂层及其制备方法。本发明所述的ZrCrN/ZrAlN叠层涂层从基体到表层依次为:Cr/CrN过渡层、ZrCrN层、ZrAlN层……ZrCrN层、ZrAlN层。单层涂层厚度为40~80nm,涂层总厚度为3~4微米。本发明所述的涂层采用多弧离子镀技术沉积。涂层中含有锆、铝、铬和氮四种元素,涂层显微硬度达到38.3GPa,耐高温氧化温度可达1280℃,划痕法测得涂层与基体见的结合力可达138N。通过本发明制备的硬质合金刀具有较高的膜基结合力,可实现对高硬度的金属材料进行高速干切削。

    一种ZrCrN/ZrMoN叠层刀具涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN107287565A

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201710555850.1

    申请日:2017-07-10

    Applicant: 台州学院

    Abstract: 本发明属于金属表面涂层技术领域,公开了一种在WC/CO硬质合金基体上沉积ZrCrN/ZrMoN叠层刀具涂层及其制备方法。本发明所述的ZrCrN/ZrMoN叠层涂层从基体到表层依次为:Cr/CrN过渡层、ZrCrN层、ZrMoN层……ZrCrN层、ZrMoN层。单层涂层厚度为40~80nm,涂层总厚度为3~4微米。本发明所述的涂层采用多弧离子镀技术沉积。涂层中含有锆、钼、铬和氮四种元素,涂层显微硬度达到37.3GPa,耐高温氧化温度可达1240℃,划痕法测得涂层与基体见的结合力可达132N,摩擦系数为0.28。通过本发明制备的硬质合金刀具有较高的膜基结合力,较低的摩擦系数,可实现对高硬度的金属材料进行高速干切削。

    可见光区域纳米结构阵列增透膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN107015296A

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:CN201710264960.2

    申请日:2017-04-21

    Applicant: 台州学院

    Inventor: 李志刚 冯尚申

    CPC classification number: G02B1/118 B82Y30/00 B82Y40/00

    Abstract: 本发明公开了一种可见光区域SiO2柱状纳米结构阵列增透膜的制备方法,包括以下步骤:第一步、对石英衬底进行清洗;第二步、在石英衬底的其中一面合成胶体晶体模板;第三步、合成单面SiO2纳米柱状结构阵列膜;第四步、在石英衬底的另一面合成胶体晶体模板;第五步、合成双面SiO2纳米柱状结构阵列膜。本发明的SiO2柱状纳米阵列膜与石英衬底之间的结合十分牢固,超声清洗半小时对薄膜的形貌没有任何影响。本发明还公开了一种可见光区域SiO2柱状纳米结构阵列增透膜。

    NiMnGaSi合金粘结磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN101714451A

    公开(公告)日:2010-05-26

    申请号:CN200910153351.5

    申请日:2009-10-15

    Applicant: 台州学院

    Abstract: 本发明是一种铁磁形状记忆合金及其制备方法,特别是一种NiMnGaSi合金粘结磁体及其制备方法。NiMnGaSi合金粘结磁体的制备方法是选用原料Ni2O3粉末、Ga2O3粉末、Mn粉、Ca粉和SiO2乳胶液,通过还原反应和扩散反应得到NiMnGaSi合金粉末;再将NiMnGaSi合金粉末粘结成一体,即得到NiMnGaSi合金粘结磁体。本发明的NiMnGaSi合金粘结磁体,其磁致应变性能和机械性能都得到明显的提高,在高频电磁场作用下不易发热,可以根据工件的要求加工成不同尺寸和形状,有较大的应用价值。

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