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公开(公告)号:CN107460545A
公开(公告)日:2017-12-12
申请号:CN201710733133.3
申请日:2017-08-24
Applicant: 台州学院
Abstract: 本发明公开了一种棒状氧化锆晶须的制备方法,属于无机结构材料领域。该棒状氧化锆晶须的制备方法,包括以下步骤:将四方相氧化锆和助熔剂分别研磨成粉状颗粒,混合均匀得到反应原料,其中四方相氧化锆和助熔剂的摩尔比为1:1~1:1.5;将所述反应原料升温至850~1000℃进行煅烧处理30~90min,冷却,得到相应的烧结产物;将上述烧结产物加入去离子水中,并控制温度在70℃~90℃的条件下进行搅拌浸泡处理,再经过滤得到白色的固体粉饼;将得到的白色固态粉饼进行烘干处理,即得到白色棒状氧化锆晶须。本发明工艺流程简单、煅烧温度适中,反应体系均匀性好,成本低,产品得到率80%以上,所得棒状氧化锆晶须产品微观形貌均匀、产率高,助熔剂易于洗去,适于工业化应用。
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公开(公告)号:CN107354441A
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201710555848.4
申请日:2017-07-10
Applicant: 台州学院
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/0036 , C23C14/024 , C23C14/0641 , C23C28/347
Abstract: 本发明属于金属表面涂层技术领域,公开了一种在WC/CO硬质合金基体上沉积纳米复合锆铝硅氮化物涂层及其制备方法。本发明所述的锆铝硅氮化物涂层分为两层,一层为Zr/ZrN打底层,厚度为100~400纳米;一层为纳米复合锆铝硅氮化物涂层,厚度为2.8~3.4微米;涂层总厚度为2.9~3.8微米。本发明所述的涂层采用磁控溅射技术沉积。涂层中含有锆、铝、硅和氮四种元素,涂层显微硬度达到36.2GPa,耐高温氧化温度可达1180℃。通过本发明制备的硬质合金刀具可实现对高硬度的金属材料进行高速干切削。
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公开(公告)号:CN107299314A
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201710556298.8
申请日:2017-07-10
Applicant: 台州学院
CPC classification number: C23C14/325 , C23C14/0641 , C23C14/0688
Abstract: 本发明属于金属表面涂层技术领域,公开了一种在WC/CO硬质合金基体上沉积ZrCrN/ZrAlN叠层刀具涂层及其制备方法。本发明所述的ZrCrN/ZrAlN叠层涂层从基体到表层依次为:Cr/CrN过渡层、ZrCrN层、ZrAlN层……ZrCrN层、ZrAlN层。单层涂层厚度为40~80nm,涂层总厚度为3~4微米。本发明所述的涂层采用多弧离子镀技术沉积。涂层中含有锆、铝、铬和氮四种元素,涂层显微硬度达到38.3GPa,耐高温氧化温度可达1280℃,划痕法测得涂层与基体见的结合力可达138N。通过本发明制备的硬质合金刀具有较高的膜基结合力,可实现对高硬度的金属材料进行高速干切削。
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公开(公告)号:CN107287565A
公开(公告)日:2017-10-24
申请号:CN201710555850.1
申请日:2017-07-10
Applicant: 台州学院
Abstract: 本发明属于金属表面涂层技术领域,公开了一种在WC/CO硬质合金基体上沉积ZrCrN/ZrMoN叠层刀具涂层及其制备方法。本发明所述的ZrCrN/ZrMoN叠层涂层从基体到表层依次为:Cr/CrN过渡层、ZrCrN层、ZrMoN层……ZrCrN层、ZrMoN层。单层涂层厚度为40~80nm,涂层总厚度为3~4微米。本发明所述的涂层采用多弧离子镀技术沉积。涂层中含有锆、钼、铬和氮四种元素,涂层显微硬度达到37.3GPa,耐高温氧化温度可达1240℃,划痕法测得涂层与基体见的结合力可达132N,摩擦系数为0.28。通过本发明制备的硬质合金刀具有较高的膜基结合力,较低的摩擦系数,可实现对高硬度的金属材料进行高速干切削。
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公开(公告)号:CN107015296A
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201710264960.2
申请日:2017-04-21
Applicant: 台州学院
Abstract: 本发明公开了一种可见光区域SiO2柱状纳米结构阵列增透膜的制备方法,包括以下步骤:第一步、对石英衬底进行清洗;第二步、在石英衬底的其中一面合成胶体晶体模板;第三步、合成单面SiO2纳米柱状结构阵列膜;第四步、在石英衬底的另一面合成胶体晶体模板;第五步、合成双面SiO2纳米柱状结构阵列膜。本发明的SiO2柱状纳米阵列膜与石英衬底之间的结合十分牢固,超声清洗半小时对薄膜的形貌没有任何影响。本发明还公开了一种可见光区域SiO2柱状纳米结构阵列增透膜。
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公开(公告)号:CN103769577B
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201410011134.3
申请日:2014-01-10
Abstract: 本发明公开了一种可磁场调控宽紫外光吸收性能的FeGa空心球纳米阵列材料,包括衬底、FeGa空心球阵列膜,FeGa空心球阵列膜覆盖于衬底上;所述FeGa空心球阵列膜由多个FeGa空心球单层紧密排列为蜂巢形阵列;所述FeGa空心球的直径为500~1000nm,壁厚为20~120nm。本发明将FeGa材料做成金属光子晶体,可通过外加磁场,利用FeGa良好的磁滞伸缩性能来调控材料的形态结构,能够实现进一步调控材料的光学方面性能。本发明还公开了一种FeGa空心球纳米阵列材料的制备方法。
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公开(公告)号:CN101714451A
公开(公告)日:2010-05-26
申请号:CN200910153351.5
申请日:2009-10-15
Applicant: 台州学院
Abstract: 本发明是一种铁磁形状记忆合金及其制备方法,特别是一种NiMnGaSi合金粘结磁体及其制备方法。NiMnGaSi合金粘结磁体的制备方法是选用原料Ni2O3粉末、Ga2O3粉末、Mn粉、Ca粉和SiO2乳胶液,通过还原反应和扩散反应得到NiMnGaSi合金粉末;再将NiMnGaSi合金粉末粘结成一体,即得到NiMnGaSi合金粘结磁体。本发明的NiMnGaSi合金粘结磁体,其磁致应变性能和机械性能都得到明显的提高,在高频电磁场作用下不易发热,可以根据工件的要求加工成不同尺寸和形状,有较大的应用价值。
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